焦平面探測器銦柱的光刻方法及裝置制造方法及圖紙

本發(fā)明專利技術公開了一種焦平面探測器銦柱的光刻方法及裝置，該方法包括：在金屬化處理后的探測器芯片上涂覆光刻膠；將涂覆完光刻膠的所述探測器芯片進行烘烤；將烘烤完的所述探測器芯片進行離焦光刻，得到顯影后呈倒梯形的厚膠圖形；將離焦光刻后的探測器芯片進行低溫烘烤。該裝置包括：涂膠機、烘烤箱和光刻機。本發(fā)明專利技術通過對涂覆完光刻膠的探測器芯片進行整體烘烤之后，再對探測器芯片進行表面烘烤，使得探測器芯片上的光刻膠產(chǎn)生內(nèi)外溫差，然后結(jié)合非接觸光刻方式的離焦光刻，產(chǎn)生顯影后呈倒梯形的厚膠圖形，該倒梯形的厚膠圖形側(cè)壁與銦的接觸面積小，后續(xù)用丙酮溶解光刻膠時，光刻膠表面上的銦更容易脫落，從而得到均勻的銦柱形貌。

【技術實現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術涉及光電
，尤其涉及一種焦平面探測器銦柱的光刻方法及裝置。
技術介紹
紅外焦平面探測技術的光譜響應波段寬，可獲得更多的地面目標信息，而且能夠晝夜工作，廣泛應用于預警探測、情報偵察、毀傷效果估計以及農(nóng)牧業(yè)、森林資源的調(diào)查、氣象預報、地熱分布、地震、火山活動得等領域。隨著探測器的逐步發(fā)展，需制備出陣列規(guī)模更大、成像效果更好的探測器芯片，而光刻工藝是制備探測器芯片的關鍵技術之一，但是現(xiàn)有的光刻方法都只是采用接觸式光刻方法，而接觸式光刻工藝在將光刻膠進行剝離時，會破壞探測器銦柱的均勻性，隨著探測器芯片的不斷發(fā)展接觸式光刻工藝已不能滿足人們對探測器芯片的發(fā)展需求，所以如何提高探測器銦柱的光刻后的均勻性成為現(xiàn)在亟待解決的問題。
技術實現(xiàn)思路
鑒于上述的分析，本專利技術旨在提供一種焦平面探測器銦柱的光刻方法及裝置，用以進一步提聞現(xiàn)有技術中探測器鋼柱的均勻性。本專利技術的目的主要是通過以下技術方案實現(xiàn)的:一種焦平面探測器銦柱的光刻方法，該方法包括:在金屬化處理后的探測器芯片上涂覆光刻膠；將涂覆完光刻膠的所述探測器芯片進行烘烤；將烘烤完的所述探測器芯片進行離焦光刻，得到顯影后呈倒梯形的厚膠圖形；將離焦光刻后的探測器芯片進行低溫烘烤。優(yōu)選地，所述探測器芯片涂覆光刻膠的厚度為12 18微米。優(yōu)選地，將涂覆完光刻膠的所述探測器芯片進行烘烤的步驟具體包括:涂覆完光刻膠的所述探測器芯片進行整體烘烤，所述整體烘烤的溫度為5(T70度，整體烘烤時間為0.5 1小時；然后再進行表面烘烤，所述表面烘烤的溫度為9(T110度，表面烘烤時間為f 3分鐘。優(yōu)選地，所述離焦光刻具體包括:將離焦光刻的焦距調(diào)整到所述探測器芯片與光刻膠接觸的表面，然后進行離焦光刻，離焦光刻的離焦量為-0.0lf0.015毫米。優(yōu)選地，所述低溫烘烤的溫度為5(T80度，時間為f 3小時。本專利技術實施例還提供了 一種焦平面探測器銦柱的光刻裝置，該裝置包括:涂膠機，用于在金屬化處理后的探測器芯片上涂覆光刻膠；烘烤箱，用于將涂覆完光刻膠的所述探測器芯片進行烘烤，并將離焦光刻后的探測器芯片進行低溫烘烤；光刻機，用于將所述烘烤箱烘烤完的所述探測器芯片進行離焦光刻，得到顯影后呈倒梯形的厚膠圖形。優(yōu)選地，所述探測器芯片涂覆光刻膠的厚度為12 18微米。優(yōu)選地，所述烘烤箱具體用于，將涂覆完光刻膠的所述探測器芯片進行整體烘烤，所述整體烘烤的溫度為50~70度，整體烘烤時間為0.5^1小時；還包括熱板，所述熱板，用于將整體烘烤后的探測器芯片進行表面烘烤，所述表面烘烤的溫度為90~110度，表面烘烤時間為1~3分鐘。優(yōu)選地，所述光刻機具體用于，將離焦光刻的焦距調(diào)整到所述探測器芯片與光刻膠接觸的表面，然后進行離焦光刻，離焦光刻離焦量為-0.011~.015毫米，得到顯影后呈倒梯形的厚膠圖形。優(yōu)選地，所述烘烤箱還用于，對所述光刻機離焦光刻后的所述探測器芯片進行低溫烘烤，所述低溫烘烤的溫度為50~80度，時間為1~3小時。本專利技術有益效果如下:本專利技術提供的焦平面探測器銦柱的光刻方法及裝置，對涂覆完光刻膠的探測器芯片進行整體烘烤之后，再對探測器芯片進行表面烘烤，使得探測器芯片上的光刻膠產(chǎn)生內(nèi)外溫差，然后結(jié)合非接觸光刻方式的離焦光刻，產(chǎn)生顯影后呈倒梯形的厚膠圖形，該倒梯形的厚膠圖形側(cè)壁與銦的接觸面積小，后續(xù)用丙酮溶解光刻膠時，光刻膠表面上的銦更容易脫落，從而得到均勻的銦柱形貌。本專利技術的其他特征和優(yōu)點將在隨后的說明書中闡述，并且，部分的從說明書中變得顯而易見，或者通過實施本專利技術而了解。本專利技術的目的和其他優(yōu)點可通過在所寫的說明書、權利要求書、以及附圖中所特別指出的結(jié)構來實現(xiàn)和獲得。附圖說明圖1為本專利技術實施例的焦平面探測器銦柱的光刻方法的流程圖；圖2為本專利技術實施例的焦平面探測器銦柱的光刻裝置示意圖。具體實施例方式下面結(jié)合附圖來具體描述本專利技術的優(yōu)選實施例，其中，附圖構成本申請一部分，并與本專利技術的實施例一起用于闡釋本專利技術的原理。實施例1本專利技術實施例提供了一種焦平面探測器銦柱的光刻方法，參見圖1，該方法包括:S101、在金屬化處理后的探測器芯片上涂覆光刻膠；其中，所述探測器芯片涂覆光刻膠的厚度為12 18微米。S102、將涂覆完光刻膠的所述探測器芯片進行烘烤；烘烤的步驟具體包括:涂覆完光刻膠的所述探測器芯片進行整體烘烤，所述整體烘烤的溫度為50~70度，整體烘烤時間為0.5~1小時；通過整體烘烤使光刻膠進行定型。再進行表面烘烤，所述表面烘烤的溫度為90~110度，表面烘烤時間為1~ 3分鐘。通過表面烘烤使光刻膠進行表面固化。因為光刻膠的特性，溫度高時不容易顯影，溫度低時容易顯影，通過表面烘烤提高了光刻膠表面的溫度，即光刻膠的內(nèi)部溫度低，而表面溫度高，使靠近探測器芯片的光刻膠更容易顯影，最終在進行離焦光刻時，得到顯影后的倒梯形厚膠圖形。S103、將烘烤完光刻膠的所述探測器芯片進行離焦光刻，得到顯影后的倒梯形厚膠圖形；現(xiàn)有技術得到的是正梯形厚膠圖形，而本專利技術得到的是倒梯形的厚膠圖形，即本專利技術的梯形的窄邊與所述探測器芯片連接，這樣使銦與光刻膠側(cè)壁的接觸的面積小，使后續(xù)用丙酮溶解光刻膠時，光刻膠表面上的銦更容易脫落，所述離焦光刻具體包括:將離焦光刻的焦距調(diào)整到所述探測器芯片與光刻膠接觸的表面，然后進行離焦光刻，離焦量為-0.011 0.015毫米。S104、將離焦光刻后的探測器芯片進行低溫烘烤；所述低溫烘烤的溫度為5(T80度，時間為f 3小時。在離焦光刻完后再進行低溫烘烤，通過低溫烘烤使離焦光刻得到的倒梯形厚膠圖形更穩(wěn)定。S105、進行探測器銦柱生長；S106、使用丙酮溶液將所述探測器芯片上的光刻膠溶解掉。本專利技術實施例提供的焦平面探測器銦柱的光刻方法，對涂覆完光刻膠的探測器芯片進行整體烘烤之后，再對探測器芯片進行表面烘烤，使得探測器芯片上的光刻膠產(chǎn)生內(nèi)外溫差，然后結(jié)合非接觸光刻方式的離焦光刻，產(chǎn)生顯影后呈倒梯形的厚膠圖形，該倒梯形的厚膠圖形側(cè)壁與銦的接觸面積小，后續(xù)用丙酮溶解光刻膠時，光刻膠表面上的銦更容易脫落，從而得到均勻的銦柱形貌。實施例2本專利技術實施例提供了一種焦平面探測器銦柱的光刻裝置，參見圖2，該裝置包括:涂膠機21，用于在金屬化處理后的探測器芯片上涂覆光刻膠。所述探測器芯片涂覆光刻膠的厚度為12 18微米。烘烤箱22，用于將涂覆完光刻膠的所述探測器芯片進行整體烘烤，所述整體烘烤的溫度為5(T70度，整體烘烤時間為0.5 1小時；對所述光刻機離焦光刻后的所述探測器芯片進行低溫烘烤，所述低溫烘烤的溫度為5(T80度，時間為f 3小時；熱板23，用于將所述烘烤箱進行整體烘烤后的探測器芯片進行表面烘烤，所述表面烘烤的溫度為9(TllO度，表面烘烤時間為f 3分鐘。光刻機24，用于將離焦光刻的焦距調(diào)整到所述探測器芯片與光刻膠接觸的表面，然后進行離焦光刻，離焦光刻離焦量為-0.0lf0.015毫米，得到顯影后呈倒梯形的厚膠圖形。綜上所述，本專利技術實施例提供的焦平面探測器銦柱的光刻方法及裝置，對涂覆完光刻膠的探測器芯片進行整體烘烤之后，再對探測器芯片進行表面烘烤，使得探測器芯片上的光刻膠產(chǎn)生內(nèi)外溫差，然后結(jié)合非接觸光刻方式的離焦光刻，產(chǎn)生顯影后呈倒梯形的厚膠圖形，該倒梯形的厚膠圖形側(cè)壁與銦的接觸面積小，后續(xù)用丙本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術保護點】
一種焦平面探測器銦柱的光刻方法，其特征在于，包括：在金屬化處理后的探測器芯片上涂覆光刻膠；將涂覆完光刻膠的所述探測器芯片進行烘烤；將烘烤完的所述探測器芯片進行離焦光刻，得到顯影后呈倒梯形的厚膠圖形；將離焦光刻后的探測器芯片進行低溫烘烤。

【技術特征摘要】
1.一種焦平面探測器銦柱的光刻方法，其特征在于，包括: 在金屬化處理后的探測器芯片上涂覆光刻膠； 將涂覆完光刻膠的所述探測器芯片進行烘烤； 將烘烤完的所述 探測器芯片進行離焦光刻，得到顯影后呈倒梯形的厚膠圖形； 將離焦光刻后的探測器芯片進行低溫烘烤。2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述探測器芯片涂覆光刻膠的厚度為12 18微米。3.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，將涂覆完光刻膠的所述探測器芯片進行烘烤的步驟具體包括: 涂覆完光刻膠的所述探測器芯片進行整體烘烤，所述整體烘烤的溫度為5(T70度，整體烘烤時間為0.5^1小時； 然后再進行表面烘烤，所述表面烘烤的溫度為9(T110度，表面烘烤時間為f 3分鐘。4.根據(jù)權利要求1-3任意一項所述的方法，其特征在于，所述離焦光刻具體包括:將離焦光刻的焦距調(diào)整到所述探測器芯片與光刻膠接觸的表面，然后進行離焦光刻，離焦光刻的離焦量為-0.0lf0.015毫米。5.根據(jù)權利要求1-3任意一項所述的方法，其特征在于，所述低溫烘烤的溫度為5(T80度，時間為廣3小時。6.一種焦平面探測器銦柱的光刻裝置，其特征在于，包括: 涂覆器，用于在金屬化處理...

【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：張敏，諸子玲，孫浩，錢亞男，
申請(專利權)人：中國電子科技集團公司第十一研究所，
類型：發(fā)明
國別省市：