箔式電力電容器的內串式電容元件制造技術

本發明專利技術公開了一種箔式電力電容器的內串式電容元件，解決了電容元件外串耗費寶貴礦產資源費工、費時、費力，嚴重影響生產率和產品質量的問題。技術方案：是由鋁箔和絕緣薄膜構成，其特征在于大鋁箔設置在絕緣薄膜下方，且作為內串式電容元件的公共極板；絕緣薄膜上方設置2張小鋁箔，中間留有絕緣間隙，其另一邊均長于絕緣薄膜邊緣，并作為內串式電容元件的引出極。新設計的內串式電容元件已構成內串的2個電容，無需外串連接，不需鍍錫銅帶，使生產過程中減少了浪費，大大降低了人工、材料成本，提高了生產效率和產品質量。告別2500V以上高壓電容元件外串的時代，面對金屬原材料資源緊缺乃至枯竭的今天和將來，乃電力電容器行業的一場技術革命。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及一種電力電容器，特別涉及一種2500V以上高壓箔式電力電容器元件的設計與制造技術。
技術介紹
在電力電容器中，電容元件是電容器制造中最關鍵、最重要的部件，它的好壞直接影響電容器的質量。目前，國內電容器廠家普遍采用的電容元件結構為傳統的結構，該結構如圖1所示，在絕緣薄膜2的上、下方設有鋁箔1，該電容元件為單電容，其電氣連接如圖2。這種電容元件構成的電容器，在2500V以下時，由I個心子元件構成整臺電容器，足以滿足需要。現有的這種傳統結構的電力電容器元件所能承受的電壓都在2500V以下，而對于2500V以上電壓使用的電力電容器，必須由2個心子元件進行外串連接，如圖3、4所示，才能加工制造成整臺電容器，用以滿足電容器高壓的需求，因此，該電力電容器要完成外串連接，在每個心子元件的端面處，必須設有鍍錫銅帶3才能完成心子元件的外串連接。譬如，制造3000V的電力電容器，元件所能承受的電壓不得大于2500V，就必須將2個心子元件外串連接，即在鍍錫銅帶處須人工焊接。由于外串需要用鍍錫銅帶進行人工焊接，因此，存在如下弊端:I)外串焊接需要用鍍錫銅帶，需消耗銅錫礦產資源，不僅耗費了礦產金屬資源，而且使制造電容器的材料成本提聞;2)須要人工焊接，第一，人工成本提高；第二，在焊接的過程中很容易產生毛刺，這會增加電容器的局部放電，如果元件所承受的電壓比較低，在相同容量的情況下，電流密度比較高，降低了整臺電容器產品的可靠性和質量。綜上所述，由于外串連接需要用鍍錫銅帶進行人工焊接，不僅使電容器的制造成本增加(包括人工成本和材料成本)，還耗費了寶貴的礦產資源，費工、費時、費力，嚴重影響了產品生產率和產品質量，即產率和產品質量降低。
技術實現思路
本專利技術的目的是為了克服上述缺陷而進行的設計，提供一種元件串聯無需焊接工序,制造工藝簡單、成本低、產率高、質量可大幅度提高的箔式電力電容器的內串式電容元件。本專利技術的技術方案:一種箔式電力電容器的內串式電容元件，是由鋁箔和絕緣薄膜構成，其特征在于大鋁箔設置在絕緣薄膜下方，且作為內串式電容元件的公共極板；絕緣薄膜上方設置2張小鋁箔，中間留有絕緣間隙，其另一邊均長于絕緣薄膜邊緣，并作為內串式電容元件的引出極。本專利技術更好的方案是在絕緣薄膜上方上方設置的2張小鋁箔是以中心線為界左右對稱設置2張小箔。本專利技術更好的方案是在絕緣薄膜上方以中心線為界左右對稱設置的小鋁箔是2張同樣尺寸的小鋁箔。本專利技術更好的方案是2張小鋁箔處在中心端的邊緣處折邊。本專利技術更好的方案是絕緣薄膜下方的大鋁箔兩端均折邊。本專利技術的有益效果:本專利技術的電容元件設計非常之巧妙，使高于2500V以上電力電容器的制造工藝大大簡化，新設計的電容元件已經構成內串的2個電容元件，無需外串連接，不需要鍍錫銅帶。因此，具有如下顯著特點:1.電容元件設計巧妙、使整臺電容器制造工藝大為簡化；2.節約了寶貴的金屬材料，降低了制造的材料成本和人工成本；3.使用本設計的電容元件由于無需焊接，減少了電容器的局部放電量，提高了電容器產品的生產率和產品質量，即產率和產品質量均得到大幅度提高。4.從根本上解決了 2500V以上電壓使用的電力電容器，必須由2個心子元件進行外串連接所造成的一系列問題。綜上所述，由于新設計的電容元件已經是2個電容的內串式連接，因此，完全不需要人工再將2個心子元件用鍍錫銅帶串聯起來，這種新設計的內串式電容元件已經完成了2個電容的串聯，不僅減少了操作步驟，使電容器的制造成本降低(包括人工成本和材料成本)，節省了寶貴的礦產資源，而且減少了外串時人工焊接對電容器元件的負面影響，大大提高了電容器產品的生產率和產品質量，即產率和產品質量均獲得明顯提高。本專利技術開創了電容元件自身內串2個電容的新技術，徹底告別了 2500V以上高壓電容元件外串的時代，面對金屬原材料資源緊缺乃至枯竭的今天和將來，本專利技術將給電力電容器行業帶來一場技術革命。附圖說明圖1是傳統電容元件結構截面示意圖，其中:1、鋁箔；2、絕緣薄膜圖2是傳統電容元件電氣連接3是傳統電容元件組成的2個心子元件外串電氣連接示意4是傳統電容元件組成的2個心子元件外串裝配示意圖其中:3、鍍錫銅帶圖5是箔式電力電容器的內串式電容元件結構截面示意圖其中:2、絕緣薄膜；3、大鋁箔；4、小鋁箔圖6是箔式電力電容器的內串式電容元件電氣連接7箔式電力電容器的內串式電容元件構成的2個心子元件電氣連接示意8是本專利技術的內串式電容元件構成的2個心子元件裝配示意圖具體實施例方式下面結合附圖對本專利技術做進一步詳細說明。實施例1如圖5所示，本專利技術的箔式電力電容器內串式電容元件采用三張鋁箔的結構，在絕緣薄膜2下方設有大鋁箔3，并作為內串式電容元件的公共極板；在絕緣薄膜2上方設置小鋁箔4兩張，在兩張小鋁箔中間留一絕緣間隙，其小鋁箔4另一邊均長于絕緣薄膜邊緣，并分別作為內串式電容元件的兩個弓I出極。這樣的結構設計很巧妙地達到了元件內串的目的和要求，足以使電容元件承受2500V以上電壓，其電氣連接如圖6所示，圖7是箔式電力電容器的內串式電容元件構成的2個心子元件電氣連接示意圖，圖8是本專利技術的內串式電容元件構成的2個心子元件裝配示意圖，可見省去了鍍鋅銅帶。實施例2本專利技術更好的方案是在絕緣薄膜2上方上方設置的2張小鋁箔是以中心線為界左右對稱設置2張小鋁箔4，其余同實施例1。實施例3本專利技術更好的方案是在絕緣薄膜2上方以中心線為界左右對稱設置的小鋁箔4是2張同樣尺寸的小鋁箔4，其余同實施例2。實施例4本專利技術更好的方案是2張小鋁箔4處在中心端的邊緣處折邊，其余同實施例3。實施例5本專利技術更好的方案是絕緣薄膜2下方的大鋁箔3兩端均折邊，其余同實施例4。以上內容是結合具體優選方式對本專利技術所做的進一步詳細說明，不能認定本專利技術的具體實施僅限于這些說明，對于本專利技術所屬
的普通技術人員來說，在不脫離本專利技術構思的前提下，還可以做出許多變化、簡單推演或替換，都應視為包括在本權利要求書所涵蓋的范圍之內，屬于本專利技術的保護范圍。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種箔式電力電容器的內串式電容元件，是由鋁箔和絕緣薄膜構成，其特征在于大鋁箔設置在絕緣薄膜下方，且作為內串式電容元件的公共極板；絕緣薄膜上方設置2張小鋁箔，中間留有絕緣間隙，其另一邊均長于絕緣薄膜邊緣，并作為內串式電容元件的引出極。

【技術特征摘要】
1.一種箔式電力電容器的內串式電容元件，是由鋁箔和絕緣薄膜構成，其特征在于大鋁箔設置在絕緣薄膜下方，且作為內串式電容元件的公共極板；絕緣薄膜上方設置2張小鋁箔，中間留有絕緣間隙，其另一邊均長于絕緣薄膜邊緣，并作為內串式電容元件的引出極。2.根據權利要求1所述的箔式電力電容器的內串式電容元件，其特征是絕緣薄膜上方以中心線為界左右對稱設...

【專利技術屬性】
技術研發人員：賈佳峰，蔣益興，
申請(專利權)人：上虞電力電容器有限公司，
類型：發明
國別省市：