層疊型陶瓷電容器制造技術

本發明專利技術公開一種層疊型陶瓷電容器，包括氮化鋁基片和氧化鋁基片之間夾有第一U型導電層、第二U型導電層；所述氮化鋁基片、第一U型導電層和氧化鋁基片中具有兩個貫通三者的第一連通孔，此第一連通孔內填充有第一金屬柱，所述氮化鋁基片、第二U型導電層和氧化鋁基片中具有兩個貫通三者的第二連通孔，此第二連通孔內填充有第二金屬柱；第一金屬柱、第二金屬柱由位于中心的銅柱和包覆于銅柱四周的鎢層組成；一用于與電路板電接觸的金屬貼片固定于第一金屬柱、第二金屬柱兩端的表面。本發明專利技術具有高品質因數，從而降低了高頻損耗，且具有穩定的溫度系數；其次，大大降了燒結時連接孔內的金屬表面產生凹陷的幾率，從而有效避免了空洞的產生，提高了產品的可靠性和良率。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及一種層疊型陶瓷電容器，屬于電容器

技術介紹
近年來，伴隨著攜帶電話等移動機器的普及、作為個人電腦等的主要部件的半導體元件的高速化及高頻化，對于搭載于此種電了機器中的疊層陶瓷電容器，為了滿足作為旁通電容器的特性，小型、高容量化的要求不斷提高。但存在以下技術問題: 現有陶瓷電容器體積較大，提高電容量會導致占用電子產品的較大的空間，因此在減小器件體積時增加電容量成為技術難點，且現有射頻用電容的饋入點及接地點設置在固定的位置，故在將天線安裝至電路板時，只能安裝于電路板特定位置，不能靈活設置； 其次，陶瓷電容器需要將基板兩面上的相互分離電路點做導通連接或者是做基板兩面間的導熱處理時，容易發生于連接孔中未完全填滿而有孔洞，從而在產品的良率控管上有其瓶頸。因此，如何解決上述技術問題，成為本領域普通技術人員努力的方向。
技術實現思路
本專利技術目的是提供一種層疊型陶瓷電容器，該陶瓷電容器在高頻下具有高品質因數，從而降低了高頻損耗，且具有穩定的溫度系數；其次，大大降了燒結時連接孔內的金屬表面產生凹陷的幾率，從而有效避免了空洞的產生，提高了產品的可靠性和良率。為達到上述目的，本專利技術采用的技術方案是:一種層疊型陶瓷電容器，包括氮化鋁基片和氧化鋁基片，此氮化鋁基片和氧化鋁基片之間夾有具有位于同一平面的第一 U型導電層、第二 U型導電層，此第一 U型導電層和第二 U型導電層之間電隔離；所述氮化鋁基片、第一 U型導電層和氧化鋁基片中具有兩個貫通三者的第一連通孔，此第一連通孔內填充有第一金屬柱，所述氮化鋁基片、第二 U型導電層和氧化鋁基片中具有兩個貫通三者的第二連通孔，此第二連通孔內填充有第二金屬柱，所述第一金屬柱、第二金屬柱由位于中心的銅柱和包覆于銅柱四周的鎢層組成；一用于與電路板電接觸的金屬貼片固定于第一金屬柱、第二金屬柱兩端的表面。上述技術方案中進一步改進的技術方案如下: 作為優選，所述第一 U型導電層、第二 U型導電層均包括兩個側電極和連接兩個側電極底端的底電極；所述第一U型導電層的一個側電極嵌入由第二U型導電層的側電極和底電極形成的凹槽區內。作為優選,一銀衆焊接層位于金屬貼片與第一金屬柱、第二金屬柱之間。由于上述技術方案運用，本專利技術與現有技術相比具有下列優點和效果:1.本專利技術層疊型陶瓷電容器，其陶瓷燒結體由氮化鋁基片和氧化鋁基片組成，此氮化鋁基片的下表面和氧化鋁基片的上表面之間具有導電層，既具有高品質因數，從而降低了高頻損耗，且具有穩定的溫度系數，也便于機械加工。2.本專利技術層疊型陶瓷電容器，其第一金屬柱、第二金屬柱由位于中心的銅柱和包覆于銅柱四周的鎢層組成，減小了連通孔電阻率和基板信號響應時間，也有效防止銅的擴散，大大提高了產品的可靠性。3.本專利技術層疊型陶瓷電容器，其第一 U型導電層、第二 U型導電層均包括兩個側電極和連接兩個側電極底端的底電極；所述第一 U型導電層的一個側電極嵌入由第二 U型導電層的側電極和底電極形成的凹槽區內，減小器件體積時增加了電容量，從而有利于器件小型化，提聞了廣品的可罪性和良率。4.本專利技術層疊型陶瓷電容器，其銀漿焊接層分別覆蓋于所述氮化鋁基片的第一連通孔、氧化鋁基片的第二連通孔各自的端面，由于銀漿未固化前流延性好，大大降了連接孔內的金屬表面產生凹陷的幾率，從而有效避免了空洞的產生，提高了產品的可靠性和良率。附圖說明附圖1為本專利技術層疊型陶瓷電容器中間層結構示意 附圖2為本專利技術層疊型陶瓷電容器截面結構示意圖。以上附圖中:1、氮化鋁基片；2、氧化鋁基片；3、第一 U型導電層；4、第二 U型導電層；5、第一連通孔；6、第一金屬柱；7、第二連通孔；8、第二金屬柱；9、銀漿焊接層；10、金屬貼片；11、側電極；12、底電極；13、凹槽區；14、銅柱；15、鎢層。具體實施例方式下面結合附圖及實施例對本專利技術作進一步描述: 實施例1:一種層疊型陶瓷電容器，包括氮化鋁基片I和氧化鋁基片2，此氮化鋁基片I和氧化鋁基片2之間夾有具有位于同一平面的第一 U型導電層3、第二 U型導電層4，此第一 U型導電層3和第二 U型導電層4之間電隔離；所述氮化鋁基片1、第一 U型導電層3和氧化鋁基片2中具有兩個貫通三者的第一連通孔5，此第一連通孔5內填充有第一金屬柱6，所述氮化鋁基片1、第二 U型導電層4和氧化鋁基片2中具有兩個貫通三者的第二連通孔7，此第二連通孔7內填充有第二金屬柱8 ;，所述第一金屬柱6、第二金屬柱8由位于中心的銅柱14和包覆于銅柱14四周的鎢層15組成；一用于與電路板電接觸的金屬貼片10固定于第一金屬柱6、第二金屬柱8兩端的表面。實施例2: —種層疊型陶瓷電容器，包括氮化鋁基片I和氧化鋁基片2，此氮化鋁基片I和氧化鋁基片2之間夾有具有位于同一平面的第一 U型導電層3、第二 U型導電層4，此第一 U型導電層3和第二 U型導電層4之間電隔離；所述氮化鋁基片1、第一 U型導電層3和氧化鋁基片2中具有兩個貫通三者的第一連通孔5，此第一連通孔5內填充有第一金屬柱6，所述氮化鋁基片1、第二 U型導電層4和氧化鋁基片2中具有兩個貫通三者的第二連通孔7，此第二連通孔7內填充有第二金屬柱8 ；，所述第一金屬柱6、第二金屬柱8由位于中心的銅柱14和包覆于銅柱14四周的鎢層15組成；一用于與電路板電接觸的金屬貼片10固定于第一金屬柱6、第二金屬柱8兩端的表面。上述第一 U型導電層3、第二 U型導電層4均包括兩個側電極11和連接兩個側電極11底端的底電極12 ;所述第一 U型導電層3的一個側電極11嵌入由第二 U型導電層4的側電極11和底電極12形成的凹槽區13內。—銀衆焊接層9位于金屬貼片10與第一金屬柱6、第二金屬柱8之間。采用上述層疊型陶瓷電容器時，其陶瓷燒結體由氮化鋁基片和氧化鋁基片組成，此氮化鋁基片的下表面和氧化鋁基片的上表面之間具有導電層，既具有高品質因數，從而降低了高頻損耗，且具有穩定的溫度系數，也便于機械加工；其次，其第一金屬柱、第二金屬柱由位于中心的銅柱和包覆于銅柱四周的鎢層組成，減小了連通孔電阻率和基板信號響應時間，也有效防止銅的擴散，大大提高了產品的可靠性；再次，其第一 U型導電層、第二 U型導電層均包括兩個側電極和連接兩個側電極底端的底電極；所述第一 U型導電層的一個側電極嵌入由第二 U型導電層的側電極和底電極形成的凹槽區內，減小器件體積時增加了電容量，從而有利于器件小型化，提高了產品的可靠性和良率；再次，其銀漿焊接層分別覆蓋于所述氮化鋁基片的第一連通孔、氧化鋁基片的第二連通孔各自的端面，由于銀漿未固化前流延性好，大大降了連接孔內的金屬表面產生凹陷的幾率，從而有效避免了空洞的產生，提聞了廣品的可罪性和良率。上述實施例只為說明本專利技術的技術構思及特點，其目的在于讓熟悉此項技術的人士能夠了解本專利技術的內容并據以實施，并不能以此限制本專利技術的保護范圍。凡根據本專利技術精神實質所作的等效變化或修飾，都應涵蓋在本專利技術的保護范圍之內。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種層疊型陶瓷電容器，其特征在于：包括氮化鋁基片（1）和氧化鋁基片（2），此氮化鋁基片（1）和氧化鋁基片（2）之間夾有具有位于同一平面的第一U型導電層（3）、第二U型導電層（4），此第一U型導電層（3）和第二U型導電層（4）之間電隔離；所述氮化鋁基片（1）、第一U型導電層（3）和氧化鋁基片（2）中具有兩個貫通三者的第一連通孔（5），此第一連通孔（5）內填充有第一金屬柱（6），所述氮化鋁基片（1）、第二U型導電層（4）和氧化鋁基片（2）中具有兩個貫通三者的第二連通孔（7），此第二連通孔（7）內填充有第二金屬柱（8），所述第一金屬柱（6）、第二金屬柱（8）由位于中心的銅柱（14）和包覆于銅柱（14）四周的鎢層（15）組成；一用于與電路板電接觸的金屬貼片（10）固定于第一金屬柱（6）、第二金屬柱（8）兩端的表面。

【技術特征摘要】
1.一種層疊型陶瓷電容器，其特征在于:包括氮化鋁基片(I)和氧化鋁基片(2)，此氮化鋁基片(I)和氧化鋁基片(2)之間夾有具有位于同一平面的第一 U型導電層(3)、第二 U型導電層(4)，此第一 U型導電層(3)和第二 U型導電層(4)之間電隔離；所述氮化鋁基片(I)、第一 U型導電層(3)和氧化鋁基片(2)中具有兩個貫通三者的第一連通孔(5)，此第一連通孔(5)內填充有第一金屬柱(6)，所述氮化鋁基片(I)、第二 U型導電層(4)和氧化鋁基片(2)中具有兩個貫通三者的第二連通孔(7)，此第二連通孔(7)內填充有第二金屬柱(8)，所述第一金屬柱(6)、第二金屬柱(8)由位于中心...

【專利技術屬性】
技術研發人員：喬金彪，
申請(專利權)人：蘇州斯爾特微電子有限公司，
類型：發明
國別省市：