陶瓷電子部件及其制造方法技術

本發明專利技術提供一種具有高可靠性的陶瓷電子部件，該陶瓷電子部件包括外部電極，該外部電極具有：在陶瓷基體之上形成的基底電極層、和在基底電極層之上形成的Cu鍍膜。陶瓷電子部件(1)包括：陶瓷基體(10)、和外部電極(13、14)。外部電極(13、14)被形成在陶瓷基體(10)之上。外部電極(13、14)具有：基底電極層(15)、和第一Cu鍍膜(16)。基底電極層(15)被形成在陶瓷基體(10)之上。第一Cu鍍膜(16)被形成在基底電極層(15)之上。基底電極層(15)包括：能擴散進Cu中的金屬、和陶瓷結合材料。在第一Cu鍍膜(16)的至少基底電極層(15)側的表層中擴散有能擴散進Cu中的金屬。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及一種。特別地，本專利技術涉及一種可優選作為嵌入布線基板中使用的嵌入型陶瓷電子部件而使用的。
技術介紹
近年來，隨著便攜式電話和便攜式音樂播放器等電子設備的小型化和薄型化，搭載在電子設備中的布線基板的小型化正在被推進。作為使布 線基板小型化的方法，例如在下述的專利文獻I中提案有，將陶瓷電子部件嵌入布線基板的內部，并且利用形成在陶瓷電子部件之上的通孔(via hole)導體構成向陶瓷電子部件的布線的方法。根據此方法，不僅不需要確保在布線基板的表面上配置陶瓷電子部件的區域，而且不需要區別于設置陶瓷電子部件的區域，另外確保設置向陶瓷電子部件的布線的區域。因此，能使得部件內置布線基板小型化。陶瓷電子部件連接用的通孔，例如使用CO2激光器等的激光器來形成。在使用激光器形成通孔的情況下，激光會被直接照射到陶瓷電子部件的外部電極上。為此，優選外部電極具有以高的反射率反射激光的Cu鍍膜。這是因為，如果外部電極對激光的反射率低，則激光一直達到陶瓷電子部件的內部，常常會損傷陶瓷電子部件。專利文獻I JP特開2002-100875號公報
技術實現思路
但是，對于嵌入布線基板的內部的陶瓷電子部件，基于減薄布線基板的厚度的觀點，強烈要求其低背化(low profile)。作為使陶瓷電子部件低背化的方法，優選通過將外部電極中位于陶瓷基體的正上方的基底電極層與包含內部電極的陶瓷基體同時進行焙燒、即共同燒制(co-fire: 3' 7 τ^ 了 )來形成。這是因為，這樣相比例如通過燒結由浸潰所涂敷的導電膏來形成基底電極層的情況，能減小基底電極層的最大厚度。但是，在通過共同燒制來形成基底電極層的時候，為了確保陶瓷基體和基底電極層之間的高的密合性，而必須增多陶瓷材料等的陶瓷粘合材料在基底電極層中的含量。但是，如果增多基底電極層中的陶瓷粘合材料的含量，則基底電極層中的金屬成分的含量就會減少。為此，基底電極層、和形成在基底電極層之上的鍍層之間的密合性就會下降。因此，存在電子部件的可靠性會下降這樣的問題。鑒于這樣的問題點進行本專利技術，其目的在于，提供一種具有高可靠性的陶瓷電子部件，該陶瓷電子部件包括外部電極，該外部電極具有:形成在陶瓷基體之上的基底電極層、和形成在基底電極層之上的Cu鍍膜。本專利技術的陶瓷電子部件包括:陶瓷基體和外部電極。外部電極被形成在陶瓷基體之上。外部電極具有:基底電極層、和第一 Cu鍍膜。基底電極層被形成在陶瓷基體之上。第一 Cu鍍膜被形成在基底電極層之上。基底電極層包含:能擴散進Cu中的金屬、和陶瓷結合材料。在第一 Cu鍍膜的至少基底電極層側的表層中擴散有能擴散進Cu中的金屬。根據本專利技術的陶瓷電子部件的某一特定方面，在第一 Cu鍍膜中存在有晶界(grain boundary)。能擴散進Cu中的金屬沿第一 Cu鍍膜的晶界擴散。根據本專利技術的陶瓷電子部件的另一特定方面，能擴散進Cu中的金屬，一直擴散到第一 Cu鍍膜的與基底電極層相反側的表面。根據此結構，可進一步提高第一 Cu鍍膜和基底電極層之間的密合性。根據本專利技術的陶瓷電子部件的再一特定方面，能擴散進Cu中的金屬是從由N1、Ag、Pd、及Au組成的組中選出的一種以上的金屬。根據本專利技術的陶瓷電子部件的再又一特定方面，外部電極還具有形成在第一 Cu鍍膜之上的第二 Cu鍍膜，在第二 Cu鍍膜中未擴散有能擴散進Cu中的金屬。在此結構中，由于設置有能擴散進Cu中的金屬未進行擴散的第二 Cu鍍膜，所以可進一步提高射入外部電極中的激光在外部電極中的反射率。為此，即使在激光照射到外部電極的情況下，也很難損傷陶瓷基體。因此，可優選作為嵌入型陶瓷電子部件使用。根據本專利技術的陶瓷電子部件的又一特定方面，Cu從第一 Cu鍍膜擴散進基底電極層中。此情況下，可進一步提高基底電極層和第一 Cu鍍膜之間的密合性。根據本專利技術的陶瓷電子部件的制造方法，涉及具備陶瓷基體和形成在陶瓷基體之上的外部電極的陶瓷電子部件的制造方法。根據本專利技術的陶瓷電子部件的制造方法，在陶瓷基體之上形成包含能擴散進Cu中的金屬、和陶瓷結合材料在內的基底電極層，并且在基底電極層之上形成第一 Cu鍍膜。此后，通過對基底電極層和第一 Cu鍍膜進行加熱，從而使得能擴散進Cu中的金屬擴散進第一 Cu鍍膜的至少基底電極層側的表層中，由此形成外部電極。根據本專利技術的陶瓷電子部件的制造方法的某一特定方面，通過對基底電極層和第一 Cu鍍膜進行加熱，使得能擴散進Cu中的金屬擴散進第一 Cu鍍膜的至少基底電極層側的表層中，之后，通過在第一 Cu鍍膜之上進一步形成第二 Cu鍍膜，來形成外部電極。此情況下，由于設置有能擴散進Cu中的金屬未進行擴散的第二 Cu鍍膜，所以能夠制造可進一步提高射入外部電極中的激光在外部電極中的反射率并可作為嵌入型陶瓷電子部件優選使用的陶瓷電子部件。根據本專利技術的陶瓷電子部件的制造方法的另一特定的方面，通過將基底電極層和第一 Cu鍍膜加熱到350°C 800°C，使得能擴散進Cu中的金屬擴散進第一 Cu鍍膜的至少基底電極層側的表層中，由此來形成外部電極。此情況下，更適合能擴散進Cu中的金屬進行擴散。專利技術效果根據本專利技術，在第一 Cu鍍膜的至少基底電極層側的表層中擴散有能擴散進包含在基底電極層中的Cu中的金屬。為此，可提高基底電極層和第一 Cu鍍膜之間的密合性。因此，可提高陶瓷電子部件的可靠性。附圖說明圖1是第一實施方式的陶瓷電子部件的概括斜視圖。圖2是第一實施方式的陶瓷電子部件的概括側面圖。圖3是圖1的線II1-1II的概括剖面圖。圖4是放大由圖3的線IV所包圍的部分的概括剖面圖。圖5是放大第一外部電極的一部分的示意剖面圖。圖6是圖3的線V1-VI的概括剖面圖。圖7是形成了導電圖形的陶瓷生片的概括平面圖。圖8是母疊層體的概括平面圖。圖9是放大第二實施方式的陶瓷電子部件的一部分的概括剖面圖。圖10是第三實施方式的陶瓷電子部件的概括剖面圖。圖11是第四實施方式的陶瓷電子部件的概括剖面圖。圖12是第五實施方式的陶瓷電子部件的概括側面圖。圖13是第六實施方式的陶瓷電子部件的概括剖面圖。圖14是沿第七實施方式的陶瓷電子部件的高度方向H及長度方向L的概括剖面圖。圖15是沿第七實施方式的陶瓷電子部件的高度方向H及長度方向L的概括剖面圖。圖16是放大變化例中的第一外部電極的一部分的示意剖面圖。符號說明1-陶瓷電子部件，10-陶瓷基體，IOa-陶瓷基體的第一主面，IOb-陶瓷基體的第二主面，IOc-陶瓷基體的第一側面，IOd-陶瓷基體的第二側面，IOe-陶瓷基體的第一端面，IOf-陶瓷基體的第二端面，IOg-陶瓷層，11-第一內部電極，12-第二內部電極，13-第一外部電極，13a-第一外部電極的第一部分，13b-第一外部電極的第二部分，13c-第一外部電極的第三部分，14-第二外部電極，14a-第二外部電極的第一部分，14b-第二外部電極的第二部分，14c-第二外部電極的第三部分，15-基底電極層，15a-晶界，16-第一 Cu鍍膜，17-第二 Cu鍍膜，20-陶瓷生片，21-導電圖形，22母疊層體，23-導電圖形，31、32_通孔電極。具體實施例方式第一實施方式下面，例舉圖1所示的陶瓷電子部件I說明本專利技術的優選實施方式。但是，陶瓷電子部件I只不過是本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種陶瓷電子部件，包括：陶瓷基體、和在上述陶瓷基體之上形成的外部電極，該陶瓷電子部件的特征在于，上述外部電極具有：在上述陶瓷基體之上形成的基底電極層、和在上述基底電極層之上形成的第一Cu鍍膜，上述基底電極層包含：能擴散進Cu中的金屬、和陶瓷結合材料，在上述第一Cu鍍膜的至少上述基底電極層側的表層中擴散有上述能擴散進Cu中的金屬，在上述第一Cu鍍膜的表面上并未形成氧化膜。

【技術特征摘要】
2010.05.27 JP 2010-121867;2011.02.23 JP 2011-03681.一種陶瓷電子部件，包括:陶瓷基體、和在上述陶瓷基體之上形成的外部電極，該陶瓷電子部件的特征在于， 上述外部電極具有:在上述陶瓷基體之上形成的基底電極層、和在上述基底電極層之上形成的第一 Cu鍍膜， 上述基底電極層包含:能擴散進Cu中的金屬、和陶瓷結合材料， 在上述第一 Cu鍍膜的至少上述基底電極層側的表層中擴散有上述能擴散進Cu中的金屬， 在上述第一 Cu鍍膜的表面上并未形成氧化膜。2.根據權利要求1所述的陶瓷電子部件，其特征在于， 在上述第一 Cu鍍...

【專利技術屬性】
技術研發人員：西坂康弘，真田幸雄，佐藤浩司，松本誠一，
申請(專利權)人：株式會社村田制作所，
類型：發明
國別省市：