微波激發CVD鍍膜設備制造技術

本發明專利技術提供了一種微波激發CVD鍍膜設備，包括殼體及具有微波發射喇叭的微波發生器，該殼體具有密封的CVD腔體，CVD腔體內安裝有用于噴出工作氣體的噴氣裝置，待鍍膜材料位于噴氣裝置的噴嘴上方且其需鍍膜的一面與之相對；微波發生器的本體安裝于CVD腔體外，其微波發射喇叭設于CVD腔體內；CVD腔體內橫設有用于屏蔽微波的金屬網，該金屬網位于噴氣裝置與待鍍膜材料之間。噴氣裝置包括具有噴嘴的噴氣架以及引入工作氣體的輸氣管，噴氣架設有引入工作氣體的進氣口，輸氣管接駁于進氣口上。噴氣架開設有至少兩個進氣口，噴氣架內設有用于混合氣體的混氣腔。本發明專利技術鍍膜效率高、不易損壞待鍍膜材料，且所鍍出的膜厚均勻、鍍膜表面光滑。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術屬于化學氣相沉積(CVD)
，尤其涉及一種微波激發CVD鍍膜設備。
技術介紹
化學氣相沉積(英文:Chemical Vapor Deposition,簡稱CVD)是一種用來產生純度高、性能好的固態材料的化學技術。半導體產業使用此技術來成長薄膜。典型的CVD制程是將晶圓(基底)暴露在一種或多種不同的前驅物下，在基底表面發生化學反應或/及化學分解來產生欲沉積的薄膜。反應過程中通常也會伴隨地產生不同的副產品，但大多會隨著氣流被帶走，而不會留在反應腔中?；瘜W氣相沉積技術已在鍍膜領域廣泛運用，現有技術中，工作氣體的加熱方式一般都是使用紅外加熱氣體或加熱待鍍膜材料的方式促進氣體的化學反應，使用紅外加熱氣體的方式效率低，所鍍出來的膜厚也不均勻，鍍膜表面粗糙，而加熱待鍍膜材料的方式容易損壞材料。
技術實現思路
本專利技術的目的在于克服現有技術之缺陷，提供了一種加熱效率高、鍍膜效率高、容易控制加熱溫度、不易損壞待鍍膜材料、制造成本低廉的微波激發CVD鍍膜設備，該設備所鍍的膜厚均勻、鍍膜表面光滑。本專利技術是這樣實現的，一種微波激發CVD鍍膜設備，包括殼體，其特征在于:還包括具有微波發射喇叭的微波發生器，所述殼體具有密封的CVD腔體，所述CVD腔體內安裝有用于噴出工作氣體的噴氣裝置，待鍍膜材料位于所述噴氣裝置的噴嘴上方且其需鍍膜的一面與之相對；所述微波發生器的本體安裝于所述CVD腔體外，其微波發射喇叭設于所述CVD腔體內；所述CVD腔體內橫設有用于屏蔽微波的金屬網，該金屬網位于所述噴氣裝置與所述待鍍膜材料之間。進一步地，所述CVD腔體內安裝有用于驅動所述噴氣裝置沿所述待鍍膜材料表面平行移動的移動裝置。更進一步地，所述噴氣裝置包括具有所述噴嘴的噴氣架以及引入工作氣體的輸氣管，所述噴氣架設有引入工作氣體的進氣口，所述輸氣管接駁于所述進氣口上。具體地，所述噴氣架開設有至少兩個所述進氣口，所述輸氣管的數量與所述進氣口數量相等且一一對應接駁于所述進氣口上，所述噴氣架內設有用于混合氣體的混氣腔，所述進氣口及所述噴嘴皆分別貫通所述噴氣架外部與所述混氣腔。優選地，所述移動裝置包括具有螺紋的絲桿及驅動該絲桿轉動的第一電機，所述噴氣架開設有與所述絲桿的螺紋適配的螺孔，所述絲桿穿設于所述螺孔內。進一步地，所述殼體開設有供所述待鍍膜材料進入所述CVD腔體的進料口，所述殼體還開設有供所述待鍍膜材料離開所述CVD腔體的出料口，所述進料口與所述出料口相對設置且均安裝有密封裝置 。更進一步地，所述密封裝置包括彈性按壓于所述待鍍膜材料一面的第一滾筒及彈性按壓于所述待鍍膜材料另一面的第二滾筒。具體地，所述密封裝置還包括驅動所述第一滾筒或所述第二滾筒轉動的第二電機。進一步地，所述CVD腔體內安裝有水冷散熱裝置、用于檢測待鍍膜材料上鍍膜厚度的膜厚監控裝置、用于監控所述CVD腔體內部環境的視頻監控裝置以及測溫裝置。具體地，所述殼體設有向所述水冷散熱裝置注入冷卻液的入水口以及排出冷卻液的出水口。本專利技術鍍膜時通過微波對CVD腔體及噴氣裝置進行加熱，噴氣裝置被加熱后，其熱量傳遞給即將由噴嘴噴出的工作氣體，工作氣體被加熱激發分解，由于噴出的氣體具有慣性，繼而被分解的工作氣體撞擊粘附于待鍍膜材料表面上凝結形成鍍膜。本專利技術采用微波對CVD腔體·及工作氣體進行加熱，其加熱效率高，鍍膜效率也隨之提高。微波發生器容易調節微波加熱功率，可靈活地調節加熱速度和溫度，保證鍍膜厚度的準確性，所鍍的膜厚均勻、鍍膜表面光滑。再者，由于微波發生器的成本低，因此，本專利技術的制造成本也隨之降低。CVD腔體內橫設位于噴氣裝置與待鍍膜材料之間的金屬網可屏蔽微波，微波被金屬網屏蔽后無法到達待鍍膜材料上，可防止待鍍膜材料被微波加熱而燒壞。附圖說明圖1為本專利技術實施例中微波激發CVD鍍膜設備的立體示意圖；圖2為本專利技術實施例中微波激發CVD鍍膜設備的內部示意圖；圖3為圖1中A-A的剖視圖，即本專利技術實施例中微波激發CVD鍍膜設備的后視剖視圖；圖4為本專利技術實施例中噴氣架的結構示意圖；圖5為圖4中B-B的剖視圖，即本專利技術實施例中噴氣架的后視剖視圖；圖6為本專利技術實施例中金屬網的結構示意圖；圖7為本專利技術實施例中密封裝置的結構示意圖。具體實施例方式為了使本專利技術的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本專利技術進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本專利技術，并不用于限定本專利技術。參見圖1與圖2，本專利技術實施例提供了一種微波激發CVD鍍膜設備，包括殼體1，還包括具有微波發射喇叭42的微波發生器4，所述殼體I具有密封的CVD腔體11，所述CVD腔體11內安裝有用于噴出工作氣體的噴氣裝置2，待鍍膜材料3位于所述噴氣裝置2的噴嘴211 (參見圖4或圖5)上方且其需鍍膜的一面與之相對；所述微波發生器的本體41安裝于所述CVD腔體11外，其微波發射喇叭42設于所述CVD腔體11內；所述CVD腔體11內橫設有用于屏蔽微波的金屬網5，該金屬網5位于所述噴氣裝置2與所述待鍍膜材料3之間。進行鍍膜前需要先排出CVD腔體11內的多余氣體(參見圖1，殼體I上設有用于排出多余氣體的抽氣口 14)，再通入保護氣體。然后開啟微波發生器4對CVD腔體11和噴氣裝置2進行加熱，需要說明的是，CVD腔體11內壁采用導電材料制作，以屏蔽微波，防止微波外泄。噴氣裝置2被加熱后，其熱量將會傳遞給即將由噴嘴211噴出的工作氣體，工作氣體被加熱激發分解，由于噴出的氣體具有慣性，繼而被分解的工作氣體撞擊粘附于待鍍膜材料表面上凝結形成鍍膜。由于本專利技術通過微波進行加熱，其加熱效率高，鍍膜效率也隨之提高；又由于微波發生器容易調節微波加熱功率，因此可靈活地調節加熱速度和溫度，保證鍍膜厚度的準確，所鍍的膜厚均勻、鍍膜表面光滑。再者，由于微波發生器的成本低，因此，本專利技術的制造成本也隨之降低。CVD腔體11內橫設位于噴氣裝置2與待鍍膜材料3之間的金屬網5可屏蔽微波，微波被金屬網5屏蔽后無法到達待鍍膜材料3上，可防止待鍍膜材料被微波加熱而燒壞。其中，圖6所示的金屬網5的結構為本專利技術的一種優選結構，該金屬網5的網格交錯設置，可進一步保證鍍膜更均勻。參見圖2，所述CVD腔體11內安裝有用于驅動所述噴氣裝置2沿所述待鍍膜材料3表面平行移動的移動裝置6。對于寬度較大的待鍍膜材料，安裝于移動裝置6上的噴氣裝置2可將工作氣體噴于待鍍膜材料表面的不同位置。參見圖2、圖4與圖5，所述噴氣裝置2包括具有所述噴嘴211的噴氣架21以及引入工作氣體的輸氣管22，所述噴氣架21設有引入工作氣體的進氣口 212，所述輸氣管22接駁于所述進氣口 212上。 參見圖5，具體地，所述噴氣架21開設有至少兩個所述進氣口 212，所述輸氣管22的數量與所述進氣口 212數量相等且一一對應接駁于所述進氣口 212上，所述噴氣架21內設有用于混合氣體的混氣腔213，所述進氣口 212及所述噴嘴211皆分別貫通所述噴氣架21外部與所述混氣腔213。由進氣口 212進入混氣腔213的氣體在混氣腔213內混合，由于噴氣架21被微波加熱，其混氣腔213內的溫度也隨之被加熱到所需的溫度，氣體在混氣腔213內高溫加熱激發，再由噴嘴211噴出；又由于CVD腔體11也被微波加熱，因此噴出后的工本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種微波激發CVD鍍膜設備，包括殼體，其特征在于：還包括具有微波發射喇叭的微波發生器，所述殼體具有密封的CVD腔體，所述CVD腔體內安裝有用于噴出工作氣體的噴氣裝置，待鍍膜材料位于所述噴氣裝置的噴嘴上方且其需鍍膜的一面與之相對；所述微波發生器的本體安裝于所述CVD腔體外，其微波發射喇叭設于所述CVD腔體內；所述CVD腔體內橫設有用于屏蔽微波的金屬網，該金屬網位于所述噴氣裝置與所述待鍍膜材料之間。

【技術特征摘要】
1.一種微波激發CVD鍍膜設備,包括殼體,其特征在于:還包括具有微波發射喇ΠΛ的微波發生器，所述殼體具有密封的CVD腔體，所述CVD腔體內安裝有用于噴出工作氣體的噴氣裝置，待鍍膜材料位于所述噴氣裝置的噴嘴上方且其需鍍膜的一面與之相對；所述微波發生器的本體安裝于所述CVD腔體外，其微波發射喇叭設于所述CVD腔體內；所述CVD腔體內橫設有用于屏蔽微波的金屬網，該金屬網位于所述噴氣裝置與所述待鍍膜材料之間。2.如權利要求1所述的微波激發CVD鍍膜設備，其特征在于:所述CVD腔體內安裝有用于驅動所述噴氣裝置沿所述待鍍膜材料表面平行移動的移動裝置。3.如權利要求2所述的微波激發CVD鍍膜設備，其特征在于:所述噴氣裝置包括具有所述噴嘴的噴氣架以及引入工作氣體的輸氣管，所述噴氣架設有引入工作氣體的進氣口，所述輸氣管接駁于所述進氣口上。4.如權利要求3所述的微波激發CVD鍍膜設備，其特征在于:所述噴氣架開設有至少兩個所述進氣口，所述輸氣管的數量與所述進氣口數量相等且一一對應接駁于所述進氣口上，所述噴氣架內設有用于混合氣體的混氣腔，所述進氣口及所述噴嘴皆分別貫通所述噴氣架外部與所述混氣腔。5.如權利要求3所述...

【專利技術屬性】
技術研發人員：王奉瑾，
申請(專利權)人：王奉瑾，
類型：發明
國別省市：