【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種晶圓處理裝置,特別涉及一種自動式晶圓處理裝置。
技術介紹
晶圓生產過程中,需要進行潤濕、電鍍、蝕刻等工藝處理。晶圓表面會形成盲孔。晶圓表面的盲孔內易儲存氣體。如果將具有盲孔的晶圓直接放入電鍍液內,則盲孔內殘存的氣體會阻止電鍍液進入盲孔內。由于盲孔尺寸較小,而電鍍液表面張力大,也會導致電鍍液難以進入盲孔內。晶圓的盲孔內無法電鍍,則會嚴重影響晶圓電鍍質量。因此,為提高電鍍質量,需要將晶圓進行抽真空以去除盲孔內的氣體,并使潤濕液進入盲孔內。盲孔內的潤濕液有助于電鍍液材料進入盲孔內,提高晶圓電鍍質量。而現有技術中,晶圓處理裝置的一系列工序都需人工操作,一方面會降低生產效率,提高生產成本,另一方面也會因人工操作不當導致晶圓的損壞,降低生產合格率。同時, 由于人工操作導致晶圓處理裝置所需空間大,空間利用率低。人工操作的另一個弊端是勞動強度大,效率低,無法滿足大規模生產的需要。人工操作還會導致工人接觸電鍍液而危害工人身體健康。
技術實現思路
本專利技術的目的是為了克服現有技術中的不足,提供一種使用方便的晶圓處理裝置。為實現以上目的,本專利技術通過以下技術方案實現晶圓處理裝置,其特征在于,包括處理槽,所述處理槽設有可密封的容腔,所述容腔用于盛放處理液以對晶圓進行處理;抓取升降裝置,所述抓取升降裝置設置在所述處理槽一側,用于將晶圓運送至所述處理槽的容腔內。優選地是,所述晶圓處理裝置還包括用于存放晶圓的晶圓存放槽。優選地是,所述抓取升降裝置包括抓取裝置及升降裝置;所述抓取裝置與升降裝置連接,用于抓取所述晶圓存放槽;所述升降裝置可升降地設置,用于帶動所述抓取裝置 ...
【技術保護點】
晶圓處理裝置,其特征在于,包括:處理槽,所述處理槽設有可密封的容腔,所述容腔用于盛放處理液以對晶圓進行處理;抓取升降裝置,所述抓取升降裝置設置在所述處理槽一側,用于將晶圓運送至所述處理槽的容腔內。
【技術特征摘要】
1.晶圓處理裝置,其特征在于,包括處理槽,所述處理槽設有可密封的容腔,所述容腔用于盛放處理液以對晶圓進行處理;抓取升降裝置,所述抓取升降裝置設置在所述處理槽一側,用于將晶圓運送至所述處理槽的容腔內。2.根據權利要求1所述的晶圓處理裝置,其特征在于,所述晶圓處理裝置還包括用于存放晶圓的晶圓存放槽。3.根據權利要求2所述的晶圓處理裝置,其特征在于,所述抓取升降裝置包括抓取裝置及升降裝置;所述抓取裝置與升降裝置連接,用于抓取所述晶圓存放槽;所述升降裝置可升降地設置,用于帶動所述抓取裝置進行升降運動。4.根據權利要求3所述的晶圓處理裝置,其特征在于,所述升降裝置包括固定基板;升降驅動裝置,所述升降驅動機設置在固定基板上,用于提供升降驅動力;傳動裝置,所述傳動裝置用于傳遞升降驅動力;所述升降驅動裝置與所述抓取裝置通過傳動裝置傳動連接,升降驅動裝置通過傳動裝置驅動抓取裝置升降。5.根據權利要求4所述的晶圓處理裝置,其特征在于,所述升降裝置還包括用于在抓取裝置升降時導向的導向裝置;所述導向裝置與固定基板和抓取裝置連接。6.根據權利要求5所述的晶圓處理裝置,其特征在于,所述導向裝置包括導軌和滑塊, 所述滑塊設置于導軌上且可沿導軌升降;所述導軌安裝于固定基板上,所述滑塊與抓取裝置連接和傳動裝置連接。7.根據權利要求5所述的晶圓處理裝置,其特征在于,所述導軌數目為兩根,滑塊為兩個;每個導軌上設置一個滑塊,兩個滑塊均與升降基座連接;升降基座與傳動裝置連接。8.根據權利要求4所述的晶圓處理裝置,其特征在于,所述升降裝置還包括感應限位裝置,所述感應限位裝置設置在所述固定基板上,用于感應所述抓取裝置是否到達指定位置,并在所述抓取裝置到達指定位置后發出電信號。9.根據權利要求4所述的晶圓處理裝置,其特征在于,所述升降驅動裝置為電機。10.根據權利要求4所述的晶圓處理裝置,其特征在于,所述傳動裝置為傳動帶、傳動鏈、傳動齒輪、絲桿螺母中任意一種。11.根據權利要求3所述的晶圓處理裝置,其特征在于,所述抓取裝置包括兩個抓手, 所述兩個抓手可相向移動或相背移動地設置;所述兩個抓手相向移動時夾持所述晶圓存放槽。12.根據權利要求11所述的晶圓處理裝置,其特征在于,所述抓取裝置還包括抓取驅動裝置,所述抓取驅動裝置與至少一個所述抓手連接,驅動至少一個往復運動。13.根據權利要求12所述的晶圓處理裝置,其特征在于,所述抓取驅動裝置為第一氣缸;所述第一氣缸設置有第一活塞桿;至少一個所述抓手與所述第一氣缸的活塞桿連接。14.根據權利要求11所述的晶圓處理裝置,其特征在于,所述至少一個抓手設置有夾持槽,所述夾持槽朝向另一個抓手。15.根據權利要求14所述的晶圓處理裝置...
【專利技術屬性】
技術研發人員:王振榮,劉紅兵,陳概禮,
申請(專利權)人:上海新陽半導體材料股份有限公司,
類型:發明
國別省市:
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