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    IB/IIIA/VIA族薄膜太陽能吸收器的鍍覆化學物制造技術

    技術編號:8165233 閱讀:187 留言:0更新日期:2013-01-08 12:11
    本發明專利技術提供用于形成IBIIIAIVA族太陽能電池吸收器層的方法和前體結構。該方法包括通過如下方式在基底上形成IBIIIAVIA族化合物層:通過電沉積三個不同膜以在基底上形成前體層和隨后使所述前體層與硒反應從而在基底上形成IBIIIAVIA族化合物層。表述為前體層的三個膜在第一實施方案中包括包含銅、銦和鎵的第一合金膜、在第一合金膜上形成的包含銅和硒的第二合金膜;和在第二合金膜上形成的硒膜。

    【技術實現步驟摘要】
    【國外來華專利技術】

    【技術保護點】

    【技術特征摘要】
    【國外來華專利技術】...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:S·阿克蘇J·王M·皮納巴斯
    申請(專利權)人:索羅能源公司
    類型:
    國別省市:

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