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    具有熱解氮化硼保護層的加熱器制造技術

    技術編號:8582821 閱讀:285 留言:0更新日期:2013-04-15 06:18
    本實用新型專利技術公開了一種具有熱解氮化硼保護層的加熱器,所述加熱器本體的表面覆有熱解氮化硼保護層。所述加熱器本體呈迂回的折線形。所述熱解氮化硼保護層的厚度為0.01-3mm。所述熱解氮化硼保護層通過化學氣相沉積法覆于加熱器本體的表面。所述加熱器本體為石墨加熱器或陶瓷加熱器。本實用新型專利技術的具有熱解氮化硼保護層的加熱器有效控制物質揮發。(*該技術在2022年保護過期,可自由使用*)

    【技術實現步驟摘要】

    本技術涉及加熱器
    ,具體地說是一種具有熱解氮化硼保護層的加熱器
    技術介紹
    隨著科技的發展,對材料質量,特別是純度的要求也進一步提高。因此在一些對純凈度要求較高的高溫反應或處理過程中都是在一定的密閉空間內完成。但用于加熱的加熱器一般都在同一密閉空間內,所以就要求加熱器在加熱過程中不能有任何物質揮發出來,以免揮發出的物質混入反應物或被處理的物質中形成雜質,影響材料的純度及質量。為此,人們選用性質穩定的材料來制造加熱器,使其在高溫條件下也不易揮發。但現有的加熱器仍存在諸多問題。如制造成本高,或在高溫下難免有物質揮發出來從而產生壞的影響。有鑒于上述現有的加熱器存在的諸多問題,本技術的設計人依靠多年的工作經驗和豐富的專業知識積極加以研究和創新,最終研發出一種具有熱解氮化硼保護層的加熱器,有效控制物質揮發。
    技術實現思路
    為了解決現有技術中存在的上述問題,本技術提供了一種具有熱解氮化硼保護層的加熱器,有效控制物質揮發。為了解決上述技術問題,本技術采用了如下技術方案具有熱解氮化硼保護層的加熱器,包括加熱器本體,所述加熱器本體的表面覆有熱解氮化硼保護層。進一步,所述加熱器本體呈迂回的折線形。進一步,所述熱解氮化硼保護層的厚度為O. 01_3mm。進一步,所述熱解氮化硼保護層通過化學氣相沉積法覆于加熱器本體的表面。進一步,所述加熱器本體為石墨加熱器或陶瓷加熱器。與現有技術相比,本技術的有益效果在于本技術的具有熱解氮化硼保護層的加熱器在表面覆有熱解氮化硼保護層,由于熱解氮化硼的性質在高溫條件也極其穩定,所以在蒸發過程中不會揮發而影響蒸發所得材料的純度。另外,熱解氮化硼結構致密,有效地阻止了加熱器本體所含的物質的揮發,提高了高溫條件下高溫空間環境的純凈度,提高了高溫蒸發生成材料的純度。附圖說明圖1為本技術的具有熱解氮化硼保護層的加熱器的實施例的結構剖圖。具體實施方式以下結合附圖和具體實施例對本技術作進一步詳細描述,但不作為對本技術的限定。圖1為本技術的具有熱解氮化硼保護層的加熱器的實施例的結構剖圖。如圖1所示,具有熱解氮化硼保護層的加熱器,包括加熱器本體1,加熱器本體I的表面覆有熱解氮化硼保護層2。作為上述實施例的優選,熱解氮化硼保護層的厚度為O. 01_3mm。熱解氮化硼保護層的厚度越薄,成本就越低。厚度達到O. Olmm即可有效阻止加熱器本體中的物質揮發。熱解氮化硼保護層通過化學氣相沉積法覆于加熱器本體的表面。加熱器本體為石墨或陶瓷制成。由于石墨的性質比較穩定,耐高溫,所以在一定程度上也限制了加熱器本體中物質的揮發。陶瓷成本較低,加上熱解氮化硼保護層后具有良好的防揮發性,同時保證了低成本。加熱器本體呈迂回的折線形增加了加熱體的總體長度,能夠適應不同的加熱空間。化學氣相沉積(Chemical vapor deposition,簡稱CVD)是把含有構成薄膜元素的氣態反應劑或液態反應劑的蒸氣及反應所需其他氣體引入反應室,在襯底材料表面生成薄膜的過程。本技術利用化學氣相沉積法在加熱器表面覆上熱解氮化硼保護層,易于實施。熱解氮化硼具有熔點高、導熱、絕緣性能良好,抗彎強度高、抗熱沖擊性能好、耐化學腐蝕等特性,且熱解氮化硼結構致密,在高溫條件下性質穩定,是非常優異的加熱器的表面涂層材料。有效阻止加熱器物質揮發,提高了高溫條件下高溫空間環境的純凈度,提高了高溫蒸發生成材料的純度。以上實施例僅為本技術的示例性實施例,不用于限制本技術,本技術的保護范圍由權利要求書限定。本領域技術人員可以在本技術的實質和保護范圍內,對本技術做出各種修改或等同替換,這種修改或等同替換也應視為落在本技術的保護范圍內。本文檔來自技高網...

    【技術保護點】
    具有熱解氮化硼保護層的加熱器,包括加熱器本體,其特征在于,所述加熱器本體的表面覆有熱解氮化硼保護層。

    【技術特征摘要】
    1.具有熱解氮化硼保護層的加熱器,包括加熱器本體,其特征在于,所述加熱器本體的表面覆有熱解氮化硼保護層。2.根據權利要求1所述的具有熱解氮化硼保護層的加熱器,其特征在于,所述加熱器本體呈迂回的折線形。3.根據權...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:何軍舫王軍勇
    申請(專利權)人:北京博宇半導體工藝器皿技術有限公司
    類型:實用新型
    國別省市:

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