WCDMA直放站制造技術

本實用新型專利技術提供一種WCDMA直放站，該WCDMA直放站為一體化模塊，集成了上行鏈路、下行鏈路以及控制部分，其中：所述上行鏈路包括順次連接的第一介質雙工器、上行低噪聲放大模塊、上行選頻模塊、上行功率放大模塊和第二介質雙工器；所述下行鏈路包括順次連接的所述第二介質雙工器、下行低噪聲放大模塊、下行選頻模塊、下行功率放大模塊和所述第一介質雙工器；所述控制部分包括控制電路、與控制電路連接的頻綜，所述頻綜與所述上行鏈路、所述下行鏈路連接。該WCDMA直放站在同一PCB上集成了上下行低噪模塊、下下行低噪模塊、上下行選頻模塊、上下行功放模塊以及雙工器，結構緊湊，體積小。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

WCDMA直放站
本技術涉及通信領域，尤其涉及WCDMA直放站。
技術介紹
在移動通信網絡中，無線直放站具有投資成本低和能夠迅速擴大覆蓋區域的特點，是無線網絡優化和覆蓋中不可或缺的一部分。參考圖1，傳統的直放站集成了兩個介質雙工器、上下行射頻鏈路以及監控單元。其中，上行射頻鏈路依次包括上行低噪放部分(LNA)、上行選頻部分、上行功放部分(PA)，下行射頻鏈路依次包括下行低噪放部分(LNA)、下行選頻部分、下行功放部分(PA)。上下行射頻鏈路對稱設置，根據腔體內的工作部件分布將腔體分隔為上下獨立屏蔽腔，其直放站腔體一體成型。該傳統的直放站整機體積大，成本高、通用性能不足，因此，亟需一種改進的方案。
技術實現思路
為克服上述缺陷，本技術提供一種WCDMA直放站，所述直放站為一體化模塊，集成了上行鏈路、下行鏈路以及控制部分，其中所述上行鏈路包括順次連接的第一介質雙工器、上行低噪聲放大模塊、上行選頻模塊、上行功率放大模塊和第二介質雙工器；所述下行鏈路包括順次連接的所述第二介質雙工器、下行低噪聲放大模塊、下行選頻模塊、下行功率放大模塊和所述第一介質雙工器；所述控制部分包括控制電路、與控制電路連接的頻綜，所述頻綜與所述上行鏈路、所述 下行鏈路連接。在一個優選實施例中，所述上行鏈路、下行鏈路以及控制部分集成到同一塊電路板。在一個優選實施例中，所述電路板為二層板，其中一層板為微波面板，另一層板為接地板。在一個優選實施例中，所述控制部分還包括電源轉換模塊。在一個優選實施例中，所述上行低噪聲放大模塊或下行低噪聲放大模塊包括順次連接的低噪聲小信號放大管、射頻聲表濾波器、數控衰減器、Tl形衰減器和隔離器。在一個優選實施例中，所述上行選頻模塊或下行選頻模塊包括順次連接的混頻管、第一無源濾波器、放大器、中頻聲表、功放管和第二無源濾波器。在一個優選實施例中，所述上行功率放大模塊包括順次連接的混頻管、第一射頻濾波器、第一放大管、第二射頻濾波器、第二放大管、功放管和隔離器。在一個優選實施例中，所述上行功率放大模塊還具有檢波管作為功率檢測單元，所述檢波管連接到所述第二放大管的輸出端。在一個優選實施例中，所述頻綜包括順次連接的頻率合成器、環路濾波器以及壓控振蕩器。在一個優選實施例中，所述控制電路包括單片機；以及與單片機連接的存儲器、通信接口、檢波放大電路。本技術優選實施例提供的WCDMA直放站在同一 PCB上集成了上下行低噪模塊、下下行低噪模塊、上下行選頻模塊、上下行功放模塊以及雙工器，結構緊湊，體積小。附圖說明圖1為傳統的直放站的示意框圖；圖2為本技術提供的WCDMA直放站的示意框圖；圖3為本技術提供的WCDMA直放站的總體框圖；圖4為本技術提供的WCDMA直放站的上行低噪聲放大模塊的示意圖；圖5為本技術提供的WCDMA直放站的上行選頻模的示意圖；圖6為本技術提供的WCDMA直放站的上行功率放大模塊的示意圖；圖7為本技術提供的WCDMA直放站的下行低噪聲放大模塊的示意圖；功率圖8為本技術提供的WCDMA直放站的控制電路部分的示意圖；圖9為本技術提供的WCDMA直放站的上下行頻綜的不意圖。具體實施方式本技術涉及無線通信的直放站， 尤其是高性能的WCDMA直放站。參考圖2，本技術提供的直放站為一體化模塊，整合了上下行小信號低噪聲放大模塊、上下行選頻模塊、上下行功率放大模塊和介質雙工器。其中，上行低噪聲放大模塊、上行選頻模塊、上行功率放大模塊順次連接，下行小信號低噪聲放大模塊、下行選頻模塊、下行功率放大模塊順次連接。上下行分別采用相同的本振信號，通過定制不同中頻聲表選擇需要的頻帶。參考圖3，本技術一實施例提供的直放站包括上行低噪聲放大模塊1、上行選頻模塊2、上行功率放大模塊3、下行低噪聲放大模塊4、下行選頻模塊5、下行功率放大模塊6、上下行選頻控制電路部分(MCU) 7、本振源8、介質雙工器9、電源及DC-DC轉換模塊10。下面將對各個功能模塊進行更具體的描述。參考圖4,在該上行低噪聲放大模塊中，低噪聲小信號放大管1. 01在5V/120mA/2. OGHz的工作條件下，其典型的性能指標如下噪聲系數0. 8dB,增益24. 5dB，25dB的Sll及39dBm的0IP3。放大管1. 02、1. 06典型的性能指標如下增益為15dB, 18dBm的PldB及33dBm的0IP3，具有電流小性能穩定等特點。射頻聲表濾波器1. 03濾除頻段以外的信號，具有體積小，插損低，帶外抑制好等特點。數控衰減器1. 04滿足增益IdB步進，能夠實現31dB的控制范圍，且在整個范圍內的控制精度小于1. 5dB。Tl形衰減器1. 05可調增益范圍達30dB，從功放輸出端耦合出的信號經功率檢測控制加到該壓控衰減上，完成ALC控制。隔離器1. 07隔離混頻后的交調產物和本振泄露，用隔離器代替濾波目的是減小整個鏈路的帶內波動。參考圖5，在該上行選頻部分中，混頻管2. 01典型性能指標如下帶寬700MHz到1000MHz，插損8. 5dB, IP3典型值為35dBm, L-R隔離度25dB, L-1隔離度為35dB。LC濾波器(無源濾波器)2. 02和2. 06濾出中頻以外的雜波信號。放大器2. 03典型的性能指標增益20dB, PldB為20. 8dBm以及0IP3為42. 8dBm。中頻聲表2. 04與本振芯片聯合使用，通過軟件設置PLL值與本振控制值，實現選帶功能。功放管2. 05典型的性能指標是增益20dB, PldB 為 22dBm 以及 OIP3 為 36dBm。參考圖6，在該上行功率放大模塊中，混頻管3. 01典型性能指標如下帶寬0. 7-2. 0GHz，插損9dB，IIP3典型值為17dBm，L_R隔離度24dB，L_I隔離度為17dB。射頻濾波器3. 02和3. 04濾出混頻后的本振泄露以及交調產物。放大管3. 03,3. 05分別作為第七級放大、第八級放大。濾波器3. 05作為功放的推動級，在1950MHz，其增益為18. 7，PldB為20dBm以及0IP3為39dBm。功放管3. 06作為第九級放大，在2140MHz典型性能指標為增益23dB，PldB為28dBm以及0IP3為47dBm。隔離器3. 07隔離混頻后的交調產物和本振泄露。檢波管3. 08為實現功率檢測功能。控制電路3. 09實現ALC控制電路，從功放末級耦合輸出的信號經功率檢波器，實現正向功率檢測；然后反饋到低噪部分的壓控衰減器，完成模塊的ALC控制。其結構簡單，成本低。參考圖7，該下行低噪聲放大模塊中，耦合器4. 07為一種檢波管，實現下行輸入功率檢測。檢波管4. 09進行下行輸入功率檢測。其他器件與上低噪聲放大模塊關鍵器件選型相同或相似。基本上，下行選頻模塊除中頻聲表外，與上行選頻/選帶關鍵器件選型一致。下行功率放大模塊中除濾波器外，與上行功率放大關鍵器件選型一致。參考圖8，控制電路部分主要包括內置單片機、外置存儲器、單片機對模塊外部環境的通信接口以及3個檢波管，實現本振信道號控制及輸出功率檢測顯示鏈路運行狀態指示、ALC控制、溫度及頻率補償，3 IdB數控衰減。上行數控衰減和下行數控衰減可以調整模塊的本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種WCDMA直放站，其特征在于，所述直放站為一體化模塊，集成了上行鏈路、下行鏈路以及控制部分，其中：所述上行鏈路包括順次連接的第一介質雙工器、上行低噪聲放大模塊、上行選頻模塊、上行功率放大模塊和第二介質雙工器；所述下行鏈路包括順次連接的所述第二介質雙工器、下行低噪聲放大模塊、下行選頻模塊、下行功率放大模塊和所述第一介質雙工器；所述控制部分包括控制電路、與控制電路連接的頻綜，所述頻綜與所述上行鏈路、所述下行鏈路連接。

【技術特征摘要】
1.一種WCDMA直放站，其特征在于，所述直放站為一體化模塊，集成了上行鏈路、下行鏈路以及控制部分，其中 所述上行鏈路包括順次連接的第一介質雙工器、上行低噪聲放大模塊、上行選頻模塊、上行功率放大模塊和第二介質雙工器； 所述下行鏈路包括順次連接的所述第二介質雙工器、下行低噪聲放大模塊、下行選頻模塊、下行功率放大模塊和所述第一介質雙工器； 所述控制部分包括控制電路、與控制電路連接的頻綜，所述頻綜與所述上行鏈路、所述下行鏈路連接。2.如權利要求1所述的WCDMA直放站，其特征在于，所述上行鏈路、下行鏈路以及控制部分集成到同一塊電路板。3.如權利要求2所述的WCDMA直放站，其特征在于，所述電路板為二層板，其中一層板為微波面板，另一層板為接地板。4.如權利要求1所述的WCDMA直放站，其特征在于，所述控制部分還包括電源轉換模塊。5.如權利要求1所述的WCDMA直放站，其特征在于，所述上行低噪聲放大模塊或下行低噪聲...

【專利技術屬性】
技術研發人員：曹麗萍，楊燕靈，李海霞，
申請(專利權)人：深圳國人通信有限公司，
類型：實用新型
國別省市：