WCDMA直放站模塊制造技術

本實用新型專利技術提供一種WCDMA直放站模塊，該WCDMA直放站模塊為一體化模塊，在同一個PCB集成了上行鏈路、下行鏈路以及控制部分，其中：所述上行鏈路包括順次連接的上行低噪聲放大模塊、上行選頻模塊、上行功率放大模塊；所述下行鏈路包括順次連接的下行低噪聲放大模塊、下行選頻模塊、下行末級放大模塊；所述控制部分包括控制電路、與控制電路連接的上行頻綜和下行頻綜，所述上行頻綜與所述上行鏈路連接，所述下行頻綜與所述下行鏈路連接。該WCDMA直放站模塊在同一PCB上集成了上行低噪模塊、下行低噪模塊、上行選頻模塊、下行選頻模塊以及上行功放模塊，結構緊湊，體積小，且下行輸出可根據實際需求外接功率放大模塊。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

WCDMA直放站模塊
本技術涉及通信領域，尤其涉及WCDMA直放站模塊。
技術介紹
在移動通信網絡中，無線直放站具有投資成本低和能夠迅速擴大覆蓋區域的特點，是無線網絡優化和覆蓋中不可或缺的一部分。參考圖1，傳統的直放站模塊集成了兩個介質雙工器、上下行射頻鏈路以及監控單元。其中，上行射頻鏈路依次包括上行低噪放部分(LNA)、上行選頻部分、上行功放部分(PA)，下行射頻鏈路依次包括下行低噪放部分(LNA)、下行選頻部分、下行功放部分(PA)。上下行射頻鏈路對稱設置，根據腔體內的工作部件分布將腔體分隔為上下獨立屏蔽腔，其直放站腔體一體成型。該傳統的直放站模塊整機體積大，成本高、通用性能不足，因此,亟需一種改進的方案。
技術實現思路
為克服上述缺陷，本技術提供一種改進的WCDMA直放站模塊，該WCDMA直放站模塊為一體化模塊，集成了上行鏈路、下行鏈路以及控制部分，其中所述上行鏈路包括順次連接的上行低噪聲放大模塊、上行選頻模塊、上行功率放大模塊；所述下行鏈路包括順次連接的下行低噪聲放大模塊、下行選頻模塊、下行末級放大模塊；所述控制部分包括控制電路、與控制電路連接的上行頻綜和下行頻綜，所述上行頻綜與所述上行鏈路連接，所述下行頻綜與所述下行鏈路連接。在本技術的一個優選方案中，所述上行鏈路、下行鏈路以及控制部分集成到同一塊電路板。在本技術的一個優選方案中，所述電路板為二層板，其中一層板為微波面板，另一層板為接地板。在本技術的一個優選方案中，所述控制部分還包括電源轉換模塊。在本技術的一個優選方案中，所述上行低噪聲放大模塊或下行低噪聲放大模塊包括順次連接的低噪聲小信號放大管、射頻聲表濾波器、數控衰減器、放大管、n形衰減器和隔離器。在本技術的一個優選方案中，所述上行選頻模塊或下行選頻模塊包括順次連接的混頻管、第一無源濾波器、中頻放大器、中頻聲表、功放管和第二無源濾波器。在本技術的一個優選方案中，所述上行功率放大模塊包括順次連接的混頻管、第一射頻濾波器、第一放大管、第二射頻濾波器、數控衰減器、第二放大管、功放管和隔離器。在本技術的一個優選方案中，所述下行末級放大模塊包括順次連接的混頻管、第一介質濾波器、放大管、第二介質濾波器、第三介質濾波器、隔離器。在本技術的一個優選方案中，所述上行頻綜或下行頻綜包括順次連接的頻率合成器、環路濾波器以及壓控振蕩器。在本技術的一個優選方案中，所述控制電路包括單片機；以及與單片機連接的存儲器、通信接口、檢波放大電路。本技術優選實施例提供的WCDMA直放站模塊在同一 PCB上集成了上行低噪模塊、下行低噪模塊、上行選頻模塊、下行選頻模塊以及上行功放模塊，結構緊湊，體積小，且下行輸出可根據實際需求外接功率放大模塊。附圖說明圖1為傳統的直放站模塊的示意框圖； 圖2為本技術提供的WCDMA直放站模塊的示意框圖；圖3為本技術提供的WCDMA直放站模塊的總體框圖；圖4為本技術提供的WCDMA直放站模塊的上行低噪聲放大模塊的示意圖；圖5為本技術提供的WCDMA直放站模塊的上行選頻模的示意圖；圖6為本技術提供的WCDMA直放站模塊的上行功率放大模塊的示意圖；圖7為本技術提供的WCDMA直放站模塊的下行低噪聲放大模塊的示意圖；圖8為本技術提供的WCDMA直放站模塊的下行末級放大模塊的示意圖；圖9為本技術提供的WCDMA直放站模塊的控制電路部分的示意圖；圖10為本技術提供的WCDMA直放站模塊的上下行頻綜的示意圖。具體實施方式本技術涉及無線通信的直放站，尤其是高性能的WCDMA直放站。參考圖2，本技術提供的直放站模塊為一體化模塊，整合了上下行小信號低噪聲放大模塊、上下行選頻模塊、上行功率放大模塊和下行末級放大模塊。其中，上行低噪聲放大模塊、上行選頻模塊、上行功率放大模塊順次連接，下行小信號低噪聲放大模塊、下行選頻模塊、下行末級放大模塊順次連接。上下行分別采用不同本振信號，通過靈活使用不同中頻聲表選擇需要的頻帶。參考圖3，本技術一實施例提供的直放站模塊包括上行低噪聲放大模塊1、上行選頻模塊2、上行功率放大模塊3、下行低噪聲放大模塊4、下行選頻模塊5、下行末級放大模塊6、控制電路部分(MCU) 7、上行本振源8、下行本振源9、電源及DC-DC轉換模塊10。下面將對各個功能模塊進行更具體的描述。參考圖4,在該上行低噪聲放大模塊中，低噪聲小信號放大管1. 01在5V/120mA/2. OGHz的工作條件下，其典型的性能指標如下噪聲系數0. 8dB,增益24. 5dB，25dB的Sll及39dBm的0IP3。低噪聲小信號放大管1. 02典型的性能指標如下增益18. 2dB, PldB為21 dBm, OIP 3為35dBm。射頻聲表濾波器1. 03濾除頻段以外的信號。數控衰減器1. 04能夠實現31dB的控制范圍，且在整個范圍內的控制精度小于1. 5dB。放大管1. 05典型的性能指標如下增益為20dB, 22dBm的PldB及36dBm的0IP3。TI形衰減器1.06能夠實現30dB的壓控衰減范圍，且獲得43dBm的IIP3。隔離器1. 07隔離混頻后的交調產物和本振泄露，用隔離器代替濾波目的是減小整個鏈路的帶內波動。參考圖5，在該上行選頻部分中，混頻管2. 01典型性能指標如下帶寬1.7-2. 2GHz，插損 8. 8dB, IP3 典型值為 35dBm, L-R 隔離度 30dB, L-1 隔離度為 22dB。LC 濾波器(無源濾波器)2. 02和2. 06濾出中頻以外的雜波信號。IF放大器2. 03典型的性能指標增益20dB，PldB為20. 8dBm以及0IP3為42. 8dBm。中頻聲表2. 04與本振芯片聯合使用，通過軟件設置PLL值與本振控制值，實現選帶功能。功放管2. 05典型的性能指標是在70MHz，增益 29dB, PldB 為 20. 8dBm 以及 0IP3 為 40dBm。參考圖6，在該上行功率放大模塊中，混頻管3. 01典型性能指標如下帶寬0. 7-2. 0GHz，插損9dB, IIP3典型值為17dBm, L-R隔離度24dB, L-1隔離度為17dB。射頻濾波器3. 02和3. 04濾出混頻后的本振泄露以及交調產物。放大管3. 03作為第七級放大。數控衰減器3. 05與數控衰減器1.04聯合使用，能夠實現31dB的數控衰減控制范圍，且在整個范圍內的控制精度小于1. 5dB。放大管3. 06作為功放的推動級，在1950MHz其增益為18. 7dB, PldB為20dBm以及0IP3為39dBm。功放管3. 07在2140MHz典型性能指標為增益23dB，PldB為28dBm以及0IP3為47dBm。隔離器3. 08隔離混頻后的交調產物和本振泄露。功率檢測3. 09為AD8314，實現功率檢測功能。ALC控制電路3. 10實現電路控制。該中實現方案結構簡單，成本低。參考圖7，該下行低噪聲放大模塊中，耦合器4. 04為一種檢波管，實現下行輸入功率檢測。放大管4. 07在2140MHz典型性能特征為增益13. 5dB, PldB為25dBm以及0IP3為42dBm。其他器件與上低噪 聲本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種WCDMA直放站模塊，其特征在于，所述直放站模塊為一體化模塊，集成了上行鏈路、下行鏈路以及控制部分，其中：所述上行鏈路包括順次連接的上行低噪聲放大模塊、上行選頻模塊、上行功率放大模塊；所述下行鏈路包括順次連接的下行低噪聲放大模塊、下行選頻模塊、下行末級放大模塊；所述控制部分包括控制電路、與控制電路連接的上行頻綜和下行頻綜，所述上行頻綜與所述上行鏈路連接，所述下行頻綜與所述下行鏈路連接。

【技術特征摘要】
1.一種WCDMA直放站模塊,其特征在于，所述直放站模塊為一體化模塊，集成了上行鏈路、下行鏈路以及控制部分，其中 所述上行鏈路包括順次連接的上行低噪聲放大模塊、上行選頻模塊、上行功率放大模塊； 所述下行鏈路包括順次連接的下行低噪聲放大模塊、下行選頻模塊、下行末級放大模塊； 所述控制部分包括控制電路、與控制電路連接的上行頻綜和下行頻綜，所述上行頻綜與所述上行鏈路連接，所述下行頻綜與所述下行鏈路連接。2.如權利要求1所述的WCDMA直放站模塊，其特征在于，所述上行鏈路、下行鏈路以及控制部分集成到同一塊電路板。3.如權利要求2所述的WCDMA直放站模塊，其特征在于，所述電路板為二層板，其中一層板為微波面板，另一層板為接地板。4.如權利要求1所述的WCDMA直放站模塊，其特征在于，所述控制部分還包括電源轉換模塊。5.如權利要求1所述的WCDMA直放站模塊，其特征在于，所述上行低噪聲放大模塊或下行低噪聲放大模塊包括順次連接的低噪聲小信號放大管、...

【專利技術屬性】
技術研發人員：曹麗萍，楊燕靈，
申請(專利權)人：深圳國人通信有限公司，
類型：實用新型
國別省市：