一種10KW高能束調頻調寬不對稱交變微弧氧化電源制造技術

一種10KW高能束調頻調寬不對稱交變微弧氧化電源，它涉及交變電源領域，89C51單片機脈沖控制系統與電源合成模塊連接，正半周電源與電源合成模塊連接，負半周電源與電源合成模塊連接，電源合成模塊分別與交流整形不對稱輸出模塊、直流脈沖輸出模塊連接，直流脈沖輸出模塊與顯示儀表連接，反饋及調整顯示模塊與89C51單片機脈沖控制系統連接。所述的正半周電源、負半周電源為不等幅電源，且正半周電源的電壓幅值是負半周電源的電壓幅值的三點五倍，且正半周電源、負半周電源的電壓供給均為恒壓。本實用新型專利技術設計新穎，一反工業用微弧氧化恒流電源的常態，它具有恒壓、調頻、調寬、交直流兩用等特點，實用范圍更廣泛。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

—種10KW高能束調頻調寬不對稱交變微弧氧化電源
本技術涉及一種微弧氧化電源，具體涉及一種IOKW高能束調頻調寬不對稱 交變微弧氧化電源。
技術介紹
恒流電源是一種電網電壓及其他影響量在一定范圍內改變時，能提供穩定輸出電 流的電源。目前市場上還沒有一種高能束、恒壓、調頻、調寬、交直流兩用不等幅微弧氧化電 源。
技術實現思路
本技術的目的是提供一種IOKW高能束調頻調寬不對稱交變微弧氧化電源， 它具有恒壓、調頻、調寬、交直流兩用等特點，實用范圍更廣泛。為了解決
技術介紹
所存在的問題，本技術是采用以下技術方案它包括 89C51單片機脈沖控制系統1、正半周電源2、負半周電源3、電源合成模塊4、交流整形不對 稱輸出模塊5、直流脈沖輸出模塊6、反饋及調整顯示模塊7、顯示儀表8，89C51單片機脈沖 控制系統I與電源合成模塊4連接，正半周電源2與電源合成模塊4連接，負半周電源3與 電源合成模塊4連接，電源合成模塊4分別與交流整形不對稱輸出模塊5、直流脈沖輸出模 塊6連接，直流脈沖輸出模塊6與顯示儀表8連接，反饋及調整顯示模塊7與89C51單片機 脈沖控制系統I連接。所述的正半周電源2、負半周電源3為不等幅電源，且正半周電源2的電壓幅值是 負半周電源的電壓幅值的三點五倍，且正半周電源2、負半周電源3的電壓供給均為恒壓。本技術反饋信號從輸出級取出并將信號輸入給89C51單片機控制系統，經A/ D轉換后變成數字信號，經89C51單片機控制系統處理后又經D/A轉換控制，調整不同的恒 壓值。調整范圍為0-700V均為穩定工作范圍；電源輸入經由EMI電磁濾波送達三相不可控 整流，加入EMI電磁濾波可防止外界對電源本身的干擾，也防止了電源本身對線路的饋送 干擾，本電路能做到40KW功率而電磁干擾達標；不可控整流輸出520V直流電壓經全橋逆變 后再經二次高頻濾波得到所需電壓，從輸出端取出反饋量輸入脈寬調控IC控制板完成各 項功能調控如恒壓、恒流控制，過流，短路，過熱保護等；本電源的脈沖形成及驅動由89C51 單片機及SG3525共同組成，89C51單片機系統完成時序控制，D/A，A/D轉換，采樣，輸出各種 控制保護指令，脈沖形成及圖騰輸出由SG3525完成；89C51單片機及SG3525系統輸出可控 脈寬調制信號，經過4路EXB841驅動器輸出瞬時峰值電流2A以上的驅動信號來確保IGBT 全橋逆變電路的充分導通與截止，EXB841是一款專用于IGBT驅動用的驅動模塊，它可以 驅動1200V-600A的IGBT，其輸出波形上下沿陡峭無明顯毛刺，由此進一步保證了 IGBT的 正常工作，本機的高能束由SG3525的獨特設計調寬來保證；由SG3525給出一電壓值，通過 電位器的調整把不同的電壓值加到SG3525的控制端(手動時)，在自動調整狀態由平臺的 上位機給出調整信號(4-20mA或0-4V)完成了定壓條件下的脈寬調整，本電路的脈寬可以從O. 3% 到85%連續調整；當開關頻率選定為20KHz時，在最小脈寬狀態，其階躍值可 以達到0—0. 075微秒內電壓幅值從O沖到750V，如果需要也可以躍升到30000V甚至更高 (如介質阻擋放電電源)。本技術設計新穎，一反工業用微弧氧化恒流電源的常態，，它具有恒壓、調頻、 調寬、交直流兩用等特點，實用范圍更廣泛，此款電源對于各大專院校化學工程研究實驗， 各科研院所實施研究，開發均有其實用價值。附圖說明圖1是本技術的結構框圖；圖2是正半周電源2的工作框圖；圖3是正半周電源2的電路原理圖；圖4是本技術脈沖形成及控制調整電路結構圖。具體實施方式參看圖1-圖4，本具體實施方式采用以下技術方案它包括89C51單片機脈沖控 制系統1、正半周電源2、負半周電源3、電源合成模塊4、交流整形不對稱輸出模塊5、直流 脈沖輸出模塊6、反饋及調整顯示模塊7、顯示儀表8，89C51單片機脈沖控制系統I與電源 合成模塊4連接，正半周電源2與電源合成模塊4連接，負半周電源3與電源合成模塊4連 接，電源合成模塊4分別與交流整形不對稱輸出模塊5、直流脈沖輸出模塊6連接，直流脈沖 輸出模塊6與顯示儀表8連接，反饋及調整顯示模塊7與89C51單片機脈沖控制系統I連 接。所述的正半周電源2、負半周電源3為不等幅電源，且正半周電源2的電壓幅值是 負半周電源的電壓幅值的三點五倍，且正半周電源2、負半周電源3的電壓供給均為恒壓。本具體實施方式反饋信號從輸出級取出并將信號輸入給89C51單片機控制系統， 經A/D轉換后變成數字信號，經89C51單片機控制系統處理后又經D/A轉換控制，調整不同 的恒壓值。調整范圍為0-700V均為穩定工作范圍；電源輸入經由EMI電磁濾波送達三相不 可控整流，加入EMI電磁濾波可防止外界對電源本身的干擾，也防止了電源本身對線路的 饋送干擾，本電路能做到40KW功率而電磁干擾達標；不可控整流輸出520V直流電壓經全 橋逆變后再經二次高頻濾波得到所需電壓，從輸出端取出反饋量輸入脈寬調控IC控制板 完成各項功能調控如恒壓、恒流控制，過流，短路，過熱保護等；本電源的脈沖形成及驅動由 89C51單片機及SG3525共同組成，89C51單片機系統完成時序控制，D/A，A/D轉換，采樣，輸 出各種控制保護指令，脈沖形成及圖騰輸出由SG3525完成；89C51單片機及SG3525系統輸 出可控脈寬調制信號，經過4路EXB841驅動器輸出瞬時峰值電流2A以上的驅動信號來確 保IGBT全橋逆變電路的充分導通與截止，EXB841是一款專用于IGBT驅動用的驅動模塊，它 可以驅動1200V-600A的IGBT，其輸出波形上下沿陡峭無明顯毛刺，由此進一步保證了 IGBT 的正常工作，本機的高能束由SG3525的獨特設計調寬來保證；由SG3525給出一電壓值，通 過電位器的調整把不同的電壓值加到SG3525的控制端(手動時)，在自動調整狀態由平臺 的上位機給出調整信號(4-20mA或0-4V)完成了定壓條件下的脈寬調整，本電路的脈寬可 以從O. 3% 到85%連續調整；當開關頻率選定為20KHz時，在最小脈寬狀態，其階躍值可以達到0—0. 075微秒內電壓幅值從O沖到750V，如果需要也可以躍升到30000V甚至更 高(如介質阻擋放電電源)。本具體實施方式設計新穎，一反工業用微弧氧化恒流電源的常態，，它具有恒壓、 調頻、調寬、交直流兩用等特點，實用范圍更廣泛，此款電源對于各大專院校化學工程研究 實驗，各科研院所實施研究，開發均有其實用價值。以上顯示和描述了本技術的基本原理和主要特征和本技術的優點。本行 業的技術人員應該了解，本技術不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述 的只是說明本技術的原理，在不脫離本技術精神和范圍的前提下，本技術還 會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本技術范圍內。本技術 要求保護范圍由所附的權利要求書及其等效物界定。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種10KW高能束調頻調寬不對稱交變微弧氧化電源，其特征在于它包括89C51單片機脈沖控制系統(1)、正半周電源(2)、負半周電源(3)、電源合成模塊(4)、交流整形不對稱輸出模塊(5)、直流脈沖輸出模塊(6)、反饋及調整顯示模塊(7)、顯示儀表(8)，89C51單片機脈沖控制系統(1)與電源合成模塊(4)連接，正半周電源(2)與電源合成模塊(4)連接，負半周電源(3)與電源合成模塊(4)連接，電源合成模塊(4)分別與交流整形不對稱輸出模塊(5)、直流脈沖輸出模塊(6)連接，直流脈沖輸出模塊(6)與顯示儀表(8)連接，反饋及調整顯示模塊(7)與89C51單片機脈沖控制系統(1)連接。

【技術特征摘要】
1.一種IOKW高能束調頻調寬不對稱交變微弧氧化電源，其特征在于它包括89C51單片機脈沖控制系統(I)、正半周電源(2)、負半周電源(3)、電源合成模塊(4)、交流整形不對稱輸出模塊(5)、直流脈沖輸出模塊(6)、反饋及調整顯示模塊(7)、顯示儀表(8)，89C51單片機脈沖控制系統(I)與電源合成模塊(4)連接，正半周電源(2)與電源合成模塊(4)連接，負半周電源(3)與電源合成模塊(4)連接，電源合成模塊(4)分...

【專利技術屬性】
技術研發人員：陳耀榮，
申請(專利權)人：天津榮鑫新材料科技有限公司，
類型：實用新型
國別省市：