【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本技術(shù)涉及一種用于清洗光伏電池原料的超薄晶片清洗花籃。
技術(shù)介紹
現(xiàn)有的超薄晶片清洗花籃包括花籃支架，在花籃支架上沿縱向設(shè)有溝槽。清洗超薄晶片時(shí)，超薄晶片卡裝在溝槽內(nèi)，將超薄晶片清洗花籃浸入清洗液并上下移動(dòng)，在上下移動(dòng)超薄晶片清洗花籃時(shí)，清洗液始終浸沒(méi)超薄晶片。這種結(jié)構(gòu)的不足之處是1、由于超薄晶片的厚度存在ΙΟμπι 50μπι的誤差，造成超薄晶片厚度與溝槽寬度不匹配。如溝槽太寬，會(huì)使超薄晶片發(fā)生傾斜，超薄晶片在清洗過(guò)程中晃動(dòng)，出現(xiàn)滑移，從而導(dǎo)致超薄晶片從超薄晶片清洗花籃中脫離出來(lái)。如溝槽太窄，會(huì)在清洗過(guò)程中出溝槽現(xiàn)夾緊晶片的現(xiàn)象，受到外力作用時(shí)會(huì)導(dǎo)致晶片破損；且清洗完后用鑷子從超薄晶片清洗花籃中夾取晶片時(shí)，常常因晶片被夾緊而再次出現(xiàn)破損。因此，在超薄晶片清洗過(guò)程中，因溝槽寬度與超薄晶片厚度不匹配而導(dǎo)致超薄晶片報(bào)廢率高，從而導(dǎo)致生產(chǎn)成本增加。2、在清洗時(shí)經(jīng)常出現(xiàn)超薄晶片清洗花籃有閑置溝槽未放置超薄晶片的情況，而清洗液必須浸沒(méi)過(guò)晶片，由于超薄晶片需要直立放置，無(wú)論超薄晶片清洗花籃的內(nèi)放置多少超薄晶片，其所消耗的清洗液量相同，一旦超薄晶片清洗花籃有空余，會(huì)造成清洗液的浪費(fèi)。3、在進(jìn)行清洗時(shí)，超薄晶片清洗花籃需要上下運(yùn)動(dòng)，以使雜質(zhì)與清洗液的接觸更均勻并加快雜質(zhì)與清洗液的反應(yīng)速度，在此過(guò)程中，清洗液頂面需一直淹沒(méi)超薄晶片頂部，需要大量的清洗液，浪費(fèi)嚴(yán)重。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本技術(shù)要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種可降低超薄晶片報(bào)廢率、節(jié)約清洗液的超薄晶片清洗花籃。本技術(shù)是這樣實(shí)現(xiàn)的一種超薄晶片清洗花籃，其特殊之處是它包括底座，在底座邊緣均布有二 四個(gè)提桿，在提桿上由下至上安裝...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種超薄晶片清洗花籃，其特征是：它包括底座，在底座邊緣均布有二～四個(gè)提桿，在提桿上由下至上安裝有多個(gè)壓板及一個(gè)上蓋，所述壓板及上蓋上對(duì)應(yīng)提桿位置設(shè)有插孔，在底座上表面、壓板上下表面、上蓋下表面上分別均布有多個(gè)墊塊，在底座、壓板、上蓋上分別設(shè)有通孔，在底座上表面、壓板上表面設(shè)有邊沿，邊沿上設(shè)有缺口。
【技術(shù)特征摘要】
1.一種超薄晶片清洗花籃，其特征是它包括底座，在底座邊緣均布有二 四個(gè)提桿，在提桿上由下至上安裝有多個(gè)壓板及一個(gè)上蓋，所述壓板及上蓋上對(duì)應(yīng)提桿位置設(shè)有插孔，在底座上表面、壓板上下表面、上蓋下表面上分別均布有多個(gè)墊塊，在底座、壓板、上蓋上分別設(shè)有通孔，在底座上表面、壓板上表面設(shè)有邊沿，邊沿上設(shè)有缺口。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超薄晶片清洗花籃，其特征是所述底座下表面設(shè)有墊腳。3.根據(jù)權(quán)利要求1所...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：陸曉東，倫淑嫻，郭艷東，王巍，周濤，李媛，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：渤海大學(xué)，
類(lèi)型：實(shí)用新型
國(guó)別省市：
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