一種晶片掃光工藝制造技術

本發明專利技術公開了一種晶片掃光工藝，包括以下步驟：（1）晶片吸附固定；（2）安裝毛刷；（3）拋灑拋光液；（4）拋光加工；（5）取下晶片；（6）清洗晶片。本發明專利技術可以一次性完成多片晶片的加工，加工效率高，流程簡單，并且有效減少上下料的時間，大大提高生產效率，保證生產的穩定，適合大批量晶片的拋光加工。

Wafer sweeping process

The invention discloses a wafer scan optical technology, which comprises the following steps: (1) wafer adsorption fixation; (2) install brush; (3) (4) by polishing; polishing; (5) remove the wafer (6) wafer cleaning. The invention can complete the processing of multi chip, high processing efficiency, simple process, and effectively reduce the unloading time, improve production efficiency, ensure the stability of production, suitable for bulk wafer polishing.

【技術實現步驟摘要】
一種晶片掃光工藝
本專利技術涉及晶片加工
，具體涉及一種晶片掃光工藝。
技術介紹
掃光工藝，主要是用于材料的鏡面拋光，它可以有效的完成材料表面的拋光流程。拋光是指利用機械、化學或電化學的作用，使工件表面粗糙度降低，以獲得光亮、平整表面的加工方法，是利用拋光工具和磨料顆粒或其他拋光介質對工件表面進行的修飾加工。拋光不能提高工件的尺寸精度或幾何形狀精度，而是以得到光滑表面或鏡面光澤為目的，有時也用以消除光澤（消光）。通常以拋光輪作為拋光工具，拋光輪一般用多層帆布、毛氈或皮革疊制而成，兩側用金屬圓板夾緊，其輪緣涂敷由微粉磨料和油脂等均勻混合而成的拋光劑。拋光時，高速旋轉的拋光輪（圓周速度在20米/秒以上）壓向工件，使磨料對工件表面產生滾壓和微量切削，從而獲得光亮的加工表面，表面粗糙度一般可達Ra0.63～0.01微米；當采用非油脂性的消光拋光劑時，可對光亮表面消光以改善外觀。公知拋光技術復雜，工藝流程繁瑣，輔材易造成污染，清潔難度大，效率低下，需要改善。
技術實現思路
本專利技術為了解決現有技術中的不足之處，提供一種晶片掃光工藝，可以有效的完成晶片表面的鏡面拋光，加工效率高。為解決上述技術問題，本專利技術采用如下技術方案：一種晶片掃光工藝，包括以下步驟：（1）晶片吸附固定：選取上表面涂覆有粘性層的安裝板，將安裝板加工成與真空吸附平臺的吸附面相配合的形狀，在粘性層上排布設置多個晶片安裝位，將多個待加工晶片分別放置在對應的晶片安裝位使其與粘性層粘接連接；之后將粘好待加工晶片的安裝板放置到真空吸附平臺的吸附面上，打開真空吸附平臺的真空發生器，使安裝板被吸附到真空吸附平臺上；（2）安裝毛刷：機臺的拋光輪選用毛刷，并將毛刷安裝在旋轉軸上；（3）拋灑拋光液：在機臺內拋灑拋光液，拋光液要灑在毛刷的刷毛上；（4）拋光加工：開啟旋轉軸和真空吸附平臺的旋轉模式，然后上升真空吸附平臺，直到真空吸附平臺上的待加工晶片接觸到毛刷，然后再上升若干高度，該高度為1～10mm，使待加工晶片與毛刷接觸產生壓力并旋轉摩擦進行拋光，拋光持續時間為100～200min；（5）取下晶片：關閉真空吸附平臺的真空發生器，將帶晶片的安裝板取下來，然后從粘性層上取下加工后的晶片；（6）清洗晶片；將取下的晶片放入晶片清洗結構中進行清洗。所述步驟（1）中安裝板與真空吸附平臺的吸附面相接觸的一側面為光滑平面。所述步驟（1）中安裝板與所述空吸附平臺的吸附面的尺寸及形狀相同。所述步驟（1）中待加工晶片與粘性層粘接連接后，用橡膠棒把待加工晶片和粘性層中間的空氣擠壓出去。所述步驟（2）中毛刷采用豬鬃毛材質。所述步驟（6）中晶片清洗結構包括清洗槽、曝氣發生裝置和氣體混合管路，曝氣發生裝置設置在所述清洗槽底部，曝氣發生裝置包括上部敞口的曝氣腔體，曝氣腔體的上部敞口處設置有與其密封固定連接的微孔板，微孔板與曝氣腔體圍合形成通氣腔，通氣腔內設置隔板將其分隔為多個相互獨立的子通氣腔，每個子通氣腔的底部均設有子通氣孔；氣體混合管路包括主進氣管以及兩個支進氣管，其中一個支進氣管外接壓縮空氣氣源，其中另外一個支進氣管外接氮氣氣源，主進氣管穿過所述清洗槽，且主進氣管的進氣端位于清洗槽外部；兩個支進氣管通過混合閥與主進氣管的進氣端連接，主進氣管的出氣端通過分支管路與每個子通氣腔底部的子通氣孔連接。所述步驟（6）具體為，在清洗槽內加入清洗液體，清洗液體的高度要高過曝氣發生裝置，打開外接氮氣氣源和壓縮空氣氣源，使兩個支進氣管外接的壓縮空氣和氮氣通過混合閥混合后進入主進氣管，混合氣體通過分支管路導入到每個子通氣腔，并經子通氣腔對應的微孔板均勻排出產生氣泡，氣泡帶動清洗液體快速流動對加工后的晶片進行清洗。本專利技術的有益效果是：通過本專利技術的掃光工藝可以一次性完成多片晶片的加工，加工效率高，流程簡單，并且有效減少上下料的時間，大大提高生產效率，保證生產的穩定，適合大批量晶片的拋光加工。本專利技術的掃光工藝克服了現有晶片加工時易損傷晶片的缺陷，本專利技術在對多個晶片同時進行吸附并加工時，一旦其中一個晶片破裂，該晶片仍會粘結在粘性層上，繼續加工時裂開的晶片碎片不會對其余晶片產生危害，避免造成連帶損壞，從而減少了中途停機時間，保證加工效率及加工連續性。本專利技術采用的晶片清洗結構氣體可以均勻地從微孔板的微孔中排出，使清洗液體在溢流的同時，通過氣體的作用使清洗液快速流動，從而使晶片在溢流的過程中增加液體的流動速度和液體本身的一個沖洗力，可以更加快速地達到帶走晶片表面殘留的拋光液和晶體粉末，既提升了晶片表面的清洗效果，提升了清洗效率，也降低了加工成本。附圖說明圖1是本專利技術的結構示意圖；圖2是本專利技術中晶片吸附固定后的俯視圖；圖3是本專利技術中晶片清洗結構的示意圖；圖4是圖3中曝氣腔體部位的仰視圖。具體實施方式以下結合附圖對本專利技術的具體實施方式作詳細說明。如圖1至圖4所示，本專利技術的一種晶片掃光工藝，包括以下步驟：（1）晶片吸附固定：選取上表面涂覆有粘性層3的安裝板，將安裝板加工成與真空吸附平臺1的吸附面相配合的形狀，在粘性層3上排布設置多個晶片安裝位，將多個待加工晶片4分別放置在對應的晶片安裝位使其與粘性層3粘接連接；之后將粘好待加工晶片的安裝板2放置到真空吸附平臺1的吸附面上，打開真空吸附平臺1的真空發生器，使安裝板2被吸附在真空吸附平臺1的吸附面上；（2）安裝毛刷：機臺的拋光輪選用毛刷，并將毛刷5安裝在旋轉軸6上；（3）拋灑拋光液：在機臺內拋灑拋光液，拋光液要灑在毛刷5的刷毛上；（4）拋光加工：開啟旋轉軸6和真空吸附平臺1的旋轉模式，然后上升真空吸附平臺1，直到真空吸附平臺1上的待加工晶片4接觸到毛刷5，然后再上升若干高度，該高度為1～10mm，使待加工晶片4與毛刷5接觸產生壓力并旋轉摩擦進行拋光，拋光持續時間為100～200min；（5）取下晶片：關閉真空吸附平臺的真空發生器，將帶晶片的安裝板2取下來，然后從粘性層3上取下加工后的晶片；（6）清洗晶片；將取下的晶片放入晶片清洗結構中進行清洗。一個拋光流程結束。所述步驟（1）中安裝板2與真空吸附平臺1的吸附面相接觸的一側面為光滑平面。所述步驟（1）中安裝板2與所述空吸附平臺1的吸附面的尺寸及形狀相同。所述步驟（1）中待加工晶片4與粘性層3粘接連接后，用橡膠棒把待加工晶片4和粘性層3中間的空氣擠壓出去。所述步驟（2）中毛刷5采用豬鬃毛材質。所述步驟（6）中包括清洗槽1、曝氣發生裝置和氣體混合管路，曝氣發生裝置設置在所述清洗槽11底部，曝氣發生裝置包括上部敞口的曝氣腔體12，曝氣腔體12的上部敞口處設置有與其密封固定連接的微孔板13，微孔板13上的微孔呈陣列均布排設，且每個微孔的直徑均相等。微孔板13與曝氣腔體12圍合形成通氣腔，通氣腔內設置隔板14將其分隔為多個相互獨立并呈陣列均布排設的子通氣腔15，每個子通氣腔5的底部均設有子通氣孔51。氣體混合管路包括主進氣管16以及兩個支進氣管17，其中一個支進氣管外接壓縮空氣氣源，其中另外一個支進氣管外接氮氣氣源；主進氣管16穿過所述清洗槽11，且主進氣管16的進氣端位于清洗槽11外部；多個支進氣管17通過混合閥18與主進氣管16的進氣端連接，主進氣管16的出氣端通過分支管路19與每個子通氣腔15底部的子通氣孔51連接。主進氣管16上設本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種晶片掃光工藝，其特征在于：包括以下步驟：（1）晶片吸附固定：選取上表面涂覆有粘性層的安裝板，將安裝板加工成與真空吸附平臺的吸附面相配合的形狀，在粘性層上排布設置多個晶片安裝位，將多個待加工晶片分別放置在對應的晶片安裝位使其與粘性層粘接連接；之后將粘好待加工晶片的安裝板放置到真空吸附平臺的吸附面上，打開真空吸附平臺的真空發生器，使安裝板被吸附到真空吸附平臺上；（2）安裝毛刷：機臺的拋光輪選用毛刷，并將毛刷安裝在旋轉軸上；（3）拋灑拋光液：在機臺內拋灑拋光液，拋光液要灑在毛刷的刷毛上；（4）拋光加工：開啟旋轉軸和真空吸附平臺的旋轉模式，然后上升真空吸附平臺，直到真空吸附平臺上的待加工晶片接觸到毛刷，然后再上升若干高度，該高度為1～10mm，使待加工晶片與毛刷接觸產生壓力并旋轉摩擦進行拋光，拋光持續時間為100～200min；（5）取下晶片：關閉真空吸附平臺的真空發生器，將帶晶片的安裝板取下來，然后從粘性層上取下加工后的晶片；（6）清洗晶片；將取下的晶片放入晶片清洗結構中進行清洗。

【技術特征摘要】
1.一種晶片掃光工藝，其特征在于：包括以下步驟：（1）晶片吸附固定：選取上表面涂覆有粘性層的安裝板，將安裝板加工成與真空吸附平臺的吸附面相配合的形狀，在粘性層上排布設置多個晶片安裝位，將多個待加工晶片分別放置在對應的晶片安裝位使其與粘性層粘接連接；之后將粘好待加工晶片的安裝板放置到真空吸附平臺的吸附面上，打開真空吸附平臺的真空發生器，使安裝板被吸附到真空吸附平臺上；（2）安裝毛刷：機臺的拋光輪選用毛刷，并將毛刷安裝在旋轉軸上；（3）拋灑拋光液：在機臺內拋灑拋光液，拋光液要灑在毛刷的刷毛上；（4）拋光加工：開啟旋轉軸和真空吸附平臺的旋轉模式，然后上升真空吸附平臺，直到真空吸附平臺上的待加工晶片接觸到毛刷，然后再上升若干高度，該高度為1～10mm，使待加工晶片與毛刷接觸產生壓力并旋轉摩擦進行拋光，拋光持續時間為100～200min；（5）取下晶片：關閉真空吸附平臺的真空發生器，將帶晶片的安裝板取下來，然后從粘性層上取下加工后的晶片；（6）清洗晶片；將取下的晶片放入晶片清洗結構中進行清洗。2.根據權利要求1所述的晶片掃光工藝，其特征在于：所述步驟（1）中安裝板與真空吸附平臺的吸附面相接觸的一側面為光滑平面。3.根據權利要求1所述的晶片掃光工藝，其特征在于：所述步驟（1）中安裝板與所述空吸附平臺的吸附面的尺寸及形狀相同。4.根據權利要求1所述的晶片掃光工藝，其特征...

【專利技術屬性】
技術研發人員：賴勝雄，
申請(專利權)人：鄭州晶潤光電技術有限公司，
類型：發明
國別省市：河南,41