【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)屬于電子陶瓷材料及器件領(lǐng)域，特別涉及。
技術(shù)介紹
隨著通訊技術(shù)的發(fā)展，低壓壓敏元件的需求日益增加，為解決低壓/高α值的壓敏元件，人們從材料配方和元件結(jié)構(gòu)方面做了大量工作。多層結(jié)構(gòu)的ZnO壓敏電阻0805的梯度電壓為 5. 5V，α =15 20，0402 的梯度電壓為 50V，α =18 20，(SIDV，Data Book 2004EPC0S);電壓更低，α更高的小型壓敏元件SrTiO3和TiO2基的壓敏元件正在研制中。ZnO壓敏電阻，制造工藝簡單，成本低，如將ZnO壓敏元件的梯度電壓降低，α值提高，體積縮小，具有潛在應(yīng)用前景。然而，由于ZnO壓敏元件的梯度電壓與α值是相互依賴的，即耐壓越高，α值越大，反之亦然。因為預(yù)擊穿區(qū)中流過元件的電阻的電流為熱離子發(fā)射電流I=Ioe_ WiEim At，式中，Φβ為晶界勢壘高度，E為熱電子發(fā)射能量，B為發(fā)射系數(shù)玻爾滋蔓常數(shù)；勢壘越低，電阻越低，漏電流越大。根據(jù)ZnO壓敏電阻的特性
【技術(shù)保護點】
一種低壓/高非線性系數(shù)ZnO壓敏元件，包括導電膜片和壓敏膜片，其特征在于：兩導電膜片中間夾設(shè)一壓敏膜片疊合成復合膜片，經(jīng)壓制減薄后，在950~1100℃下保溫2.5~3小時燒成具有低壓/高α值的復合膜片，在復合膜片兩面焙銀并切成元件要求的尺寸，附上引線并通過包封料包封成壓敏元件，壓敏元件性能為V1mA/mm=0.8~3.0V，α=40~60，Ir=0.5~1.0μA；其中，導電膜片由ZnO中摻入Bi、Ti、Mn、Co、Ni、Zr、W、Al的氧化物中的至少3種氧化物制成，壓敏膜片為在ZnO?Bi2O3—Sb2O3?系或ZnO?Bi2O3?SnO2系氧化物中摻入?Co、Mn、Ni、W、Si、Zr、Al的氧化物至少4種制成的高α值的非線性指數(shù)壓敏膜片。
【技術(shù)特征摘要】
1.一種低壓/高非線性系數(shù)ZnO壓敏元件，包括導電膜片和壓敏膜片，其特征在于兩導電膜片中間夾設(shè)一壓敏膜片疊合成復合膜片，經(jīng)壓制減薄后，在95(T110(TC下保溫2.5 3小時燒成具有低壓/高α值的復合膜片，在復合膜片兩面焙銀并切成元件要求的尺寸，附上引線并通過包封料包封成壓敏元件，壓敏元件性能為VlmA/mm=0. 8^3. 0V,α=40 60，Ir=O. 5 L O μ A ;其中，導電膜片由 ZnO 中摻入 B1、T1、Mn、Co、N1、Zr、W、Al 的氧化物中的至少3種氧化物制成，壓敏膜片為在ZnO-Bi2O3 — Sb2O3系或ZnO-Bi2O3-SnO2系氧化物中摻入Co、Mn、N1、W、S1、Zr、Al的氧化物至少4種制成的高α值的非線性指數(shù)壓敏膜片。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低壓/高非線性系數(shù)ZnO壓敏元件的制備方法，其特征為，包括如下步驟 (1)低阻導電膜片以ZnO為基加入b1、T1、Mn、CO、N1、Zr、W、Al的氧化物中選出的至少3種氧化物，混合研磨制成O. 5^1. O μ A的粉料，并在粉料加入占其重量份數(shù)40%的濃度為10%的聚乙烯溶液，配成漿料，軋膜成所要求的厚度的導電膜片； (2)在ZnO-Bi2O3-Sb2O3 或 ZnO-Bi2O3-SnO2 系氧化物中加入 Co、Mn、N1、S1、W、Zr、Al 的氧化物中選出的至少4種氧化物，研磨混合，制成粒度為O. 5 1. 0μ A的粉料；在粉料中加入占其重量份數(shù)40%的濃度為10%的聚乙烯溶液制成漿料，軋膜成所需要的壓敏膜片； (3)將兩層導電膜片中間夾一層壓敏膜片疊成復合膜片，然后用油壓方法將其減薄； (4)復合膜片的燒結(jié)曲線為室溫 500°C，升溫速率為O.50C /min，500°C 燒結(jié)溫度95(Tll00°C的升溫速率為O. 20C /min，燒結(jié)溫度恒溫時間2. 5^3. O小時，采用隨爐降溫冷卻，隨爐降溫至200°C以下，取出；燒成的復合膜片兩面焙銀，最后切成元件要求的尺寸，并按常規(guī)的方法做成帶引線的小型壓敏元件或表面安裝型壓敏元件。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的低壓/高非線性系數(shù)ZnO壓敏元件的...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：劉倩，朱金鴻，李本文，
申請(專利權(quán))人：山東中廈電子科技有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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