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    一種芯片負性阻抗的檢測電路和方法技術

    技術編號:8531392 閱讀:282 留言:0更新日期:2013-04-04 13:28
    本發明專利技術涉及電子設備技術領域,尤其涉及一種晶振負阻抗的檢測電路和方法,通過在設置好頻偏的待檢測芯片的輸入端和輸出端之間串聯可變的電阻及內阻小于該待檢測芯片負性阻抗絕對值的檢測晶振,給待檢測芯片上電后,經過從小至大改變可變電阻阻值,當檢測到待檢測芯片從正常工作到不能正常工作時,記錄下此時可變電阻的阻值,并利用檢測晶振的內阻,得出該待檢測芯片此時的負性阻抗,即精準的檢測出該待檢測芯片的驅動能力,進而選擇最優的晶振,以提高系統后續運行的穩定性。

    【技術實現步驟摘要】

    本專利技術涉及電子設備
    ,尤其涉及。
    技術介紹
    目前,隨著現代電子設備制造工藝和技術水平的不斷提高,IC芯片集成度也越來越高,相應的功耗也越來越低,進而使得芯片的驅動能力也逐步減弱;而在設置有晶振(XTAL)的電路中,電路板組件(Printed Circuit Board Assembly,簡稱PCBA)的負性阻抗值是一個重要的參數,能夠決定PCBA能否穩定的工作。負性阻抗(-R)是指PCBA驅動XTAL的能力,如設定XTAL的內阻為Rx,PCBA的負性阻抗為-R;只有當|-R| > Rx時,XTAL才工作,即PCBA才能正常 工作,而由于實際使用過程中SMT (Surface Mount Technology)、PCB氧化、環境溫度、濕度等因素都會對PCBA的負性阻抗產生一定的影響,所以在設計時要求1-Rl >5Rd (Rd為晶振最大的諧振阻抗),這樣才能保證PCBA穩定的工作。現有技術中,在進行電路設計時通常不會考慮有關負性阻抗的因素,當進行電路調試時,由于還沒有檢測負性阻抗的方法,工程師只能根據經驗通過多次嘗試更換不同型號的XTAL以找尋到與PCBA電路特性“相適應”的XTAL ;由于是根據經驗進行測試,只要能啟動XTAL即能確認|-R| > Rx即可,但無法進一步確認能否滿足|-R| > 5Rd的條件,這樣就使得在實際的使用過程中,會造成系統后續運行的穩定性大大降低,進而造成產品良率的下降。
    技術實現思路
    針對現有的晶振電路設計中存在的上述問題,現提供,以精準的檢測出芯片的驅動能力,進而選擇較優的外接晶振,以提高系統后續運行的穩定性。本專利技術的目的是通過下述技術方案實現的本專利技術公開了一種芯片負性阻抗的檢測電路,其中,包括待檢測芯片、可變電阻、檢測晶振、第一電容和第二電容;所述待檢測芯片的輸出端通過所述第一電容接地,所述待檢測芯片的輸入端通過所述第二電容接地;所述待檢測芯片的輸出端依次通過所述可變電阻和所述檢測晶振與所述待檢測芯片的輸入端連接。上述的芯片負性阻抗的檢測電路,其中,還包括一示波器,所述示波器與所述待檢測芯片的輸入端或輸出端連接。上述的芯片負性阻抗的檢測電路,其中,所述可變電阻的最大阻值設為Rmax,Rmax G (O, I ] k Ω。上述的芯片負性阻抗的檢測電路,其中,所述待檢測芯片為已調整好頻偏的電路板組件。本專利技術還公開了一種芯片負性阻抗的檢測方法,其中,應用于如上述的芯片負性阻抗的檢測電路,包括以下步驟于一設置好頻偏的待檢測芯片的輸出端依次串聯可變電阻和檢測晶振至所述待檢測芯片的輸出端;設置可變電阻于最小端后,給所述待檢測芯片上電;若所述待檢測芯片不能正常工作,則更換另一個內阻較小的檢測晶振,直至所述待檢測芯片能正常工作;若所述待檢測芯片正常工作,則通過調節可變電阻阻值逐步增大,直至所述待檢測芯片不能工作時為止,并記下此時所述可變電阻阻值Rv,進而得到此時所述待檢測芯片的負性阻抗滿足條件1-RI =RV+Rr ;其中,Rv為可變電阻阻值,Rr為所述待檢測芯片正常工作時連接的檢測晶振的實際內阻,-R為所述待檢測芯片時的負性阻抗。上述的芯片負性阻抗的檢測方法,其中,還包括根據待檢測芯片穩定運行的公式①1-RI > 5Rd和公式②1-RI =RV+Rr可知若本文檔來自技高網...

    【技術保護點】
    一種芯片負性阻抗的檢測電路,其特征在于,包括待檢測芯片、可變電阻、檢測晶振、第一電容和第二電容;所述待檢測芯片的輸出端通過所述第一電容接地,所述待檢測芯片的輸入端通過所述第二電容接地;所述待檢測芯片的輸出端依次通過所述可變電阻和所述檢測晶振與所述待檢測芯片的輸入端連接。

    【技術特征摘要】
    1.一種芯片負性阻抗的檢測電路,其特征在于,包括待檢測芯片、可變電阻、檢測晶振、第一電容和第二電容; 所述待檢測芯片的輸出端通過所述第一電容接地,所述待檢測芯片的輸入端通過所述第二電容接地; 所述待檢測芯片的輸出端依次通過所述可變電阻和所述檢測晶振與所述待檢測芯片的輸入端連接。2.根據權利要求1所述的芯片負性阻抗的檢測電路,其特征在于,還包括一示波器,所述示波器與所述待檢測芯片的輸入端或輸出端連接。3.根據權利要求1所述的芯片負性阻抗的檢測電路,其特征在于,所述可變電阻的最大阻值設為 Rmax, Rmax e (O, I] kΩ。4.根據權利要求1所述的芯片負性阻抗的檢測電路,其特征在于,所述待檢測芯片為已調整好頻偏的電路板組件。5.一種芯片負性阻抗的檢測方法,其特征在于,應用于如權利要求1-4中所述的芯片負性阻抗的檢測電路,包括以下步驟 于一設置好頻偏的待檢測芯片的輸出端依次串聯可變電阻和檢測晶振至所述待檢測芯片的輸出端; 設置可變電阻于最小端后,給所述待檢測芯片上電; 若所述待檢測芯片不能正常工作,則更換另一個內阻較小的檢測晶振,直至所述待檢測芯片能正常工作; 若所述待檢測芯片...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:魯燦王玉娟謝車
    申請(專利權)人:上海斐訊數據通信技術有限公司
    類型:發明
    國別省市:

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