光致抗蝕劑的除去方法技術

本發明專利技術涉及即便使用通常的清洗裝置也能夠達到充分的除去速度的光致抗蝕劑除去方法。使用臭氧的過飽和水溶液除去形成在基體表面的光致抗蝕劑。進一步優選在抑制過飽和水溶液的臭氧濃度降低的狀態下進行除去操作。

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及在半導體裝置、液晶顯示器等的制造工序中使用的。
技術介紹
在半導體裝置、液晶顯示器等的制造工序中，例如使用光刻法、蝕刻法作為加工微細電路圖案的方法。在光刻法、蝕刻法中，均用抗蝕劑膜在被處理物的表面形成掩模，形成電路圖案。由于需要對抗蝕劑膜的掩模自身進行微細加工，所以對抗蝕劑膜使用紫外線固化樹脂等光致抗蝕劑。由于光致抗蝕劑掩模在電路圖案形成后變得不需要，所以有必要將其除去。光致抗蝕劑的除去可使用硫酸與過氧化氫水的混合物等酸性液體、氫氧化鈉等堿性液體、或者單乙醇胺等有機溶劑(以下，簡稱為化學藥品)等。但是，近年來出于對地球環境的保護，提出了控制這些化學藥品的使用而使用環境負荷更小的臭氧水的清洗方法。由于臭氧水用于清洗處理后，溶于水中的臭氧分子迅速分解成氧分子，所以環境負荷變小。然而，如果使用以往一直使用的一般的清洗機來進行臭氧水清洗，則光致抗蝕劑的除去速度低，難以實用。除去速度低的原因主要是在從臭氧水制造裝置向清洗槽供給臭氧水時臭氧水的壓力降低至大氣壓附近所致的在臭氧水中臭氧濃度的降低。因此，為了應用臭氧水清洗，需要采取了防止臭氧濃度降低的對策的專用清洗機和臭氧水制造裝置這兩者。因此，就從使用以往的化學藥品清洗方法向臭氧水清洗的切換而言，經濟負擔大，成為臭氧水清洗未普及的原因。臭氧水制造裝置和專用清洗機的組合的典型例記載在專利文獻I中。在專利文獻 I記載的光致抗蝕劑膜除去方法中，將采用了用于在硅片表面提高臭氧水流速的結構的臭氧水專用清洗槽和臭氧水制造裝置進行組合，確保了實用化所必需的抗蝕劑除去速度。 專利文獻專利文獻1:日本特開2002-33300號公報
技術實現思路
如上所述，為了在要用臭氧水除去光致抗蝕劑時確保充分的除去速度，有必要使用具有特定結構的清洗裝置，無法使用通常的清洗裝置而得到充分的除去速度。本專利技術的目的在于提供即便使用通常的清洗裝置也能夠達到充分的除去速度的。本專利技術是一種，其特征在于，進行使用臭氧的過飽和水溶液除去在基體表面形成的光致抗蝕劑的除去操作。另外，在本專利技術中，優選在抑制上述過飽和水溶液的臭氧濃度降低的狀態下，進行上述除去操作。另外，在本專利技術中，優選上述除去操作是在蓄留上述過飽和水溶液的浸潰槽中，浸潰形成有光致抗蝕劑的基體的操作，上述浸潰槽由密閉容器構成，在上述密閉容器內的壓力比大氣壓高的狀態下浸潰上述基體。另外，在本專利技術中，其特征在于，上述除去操作是從噴嘴噴出上述過飽和水溶液并將上述過飽和水溶液噴灑到在上述基體的表面形成的光致抗蝕劑的操作，使上述噴嘴與光致抗蝕劑的距離接近，在對上述過飽和水溶液施加的壓力比大氣壓高的狀態下向光致抗蝕劑噴灑。根據本專利技術，進行使用臭氧的過飽和水溶液除去在基體表面形成的光致抗蝕劑的除去操作。由此，即便使用通常的清洗裝置，也能夠達到充分的除去速度。而且，與從使用以往的化學藥品的清洗方法向臭氧水清洗的切換相伴的經濟負擔變小，能夠容易實現環境負荷小的臭氧水清洗。根據本專利技術，通過在抑制上述過飽和水溶液的臭氧濃度降低的狀態下進行上述除去操作，從而能夠進一步提高除去速度。根據本專利技術，上述除去操作是在蓄留上述過飽和水溶液的浸潰槽中，浸潰形成有光致抗蝕劑的基體的操作，上述浸潰槽由密閉容器構成，在上述密閉容器內的壓力比大氣壓高的狀態下浸潰上述基體。由此，能夠改進通常的批量處理方式的裝置而抑制臭氧濃度的降低。根據本專利技術，上述除去操作是從噴嘴噴出上述過飽和水溶液，將上述過飽和水溶液噴灑到在上述基體的表面形成的光致抗蝕劑的操作，使上述噴嘴與光致抗蝕劑的距離接近，在對上述過飽和水溶液施加的壓力比大氣壓高的狀態下向光致抗蝕劑噴灑。由此，能夠改進通常的葉片處理方式的裝置而抑制臭氧濃度的降低。本專利技術的目的、特色以及優點通過下述詳細說明和附圖而變得明確。 附圖說明圖1是表示制造過飽和臭氧水的臭氧水制造裝置I的構成的概略圖。圖2A是表示通常的清洗裝置的例子的圖。圖2B是表示通常的清洗裝置的例子的圖。圖3A是表示具備抑制臭氧濃度降低的功能的清洗裝置的例子的圖。圖3B是表示具備抑制臭氧濃度降低的功能的清洗裝置的例子的圖。具體實施方式參考以下附圖，詳細說明本專利技術優選的實施方式。本專利技術是一種，其特征在于，進行使用臭氧的過飽和水溶液除去在基體表面形成的光致抗蝕劑的除去操作。 形成有光致抗蝕劑的基體沒有特別限定，是硅片、玻璃基板等用光刻法、蝕刻法等形成利用光致抗蝕劑的掩模的部件。作為可用作光致抗蝕劑的材質，主要使用線型酚醛清漆樹脂，除此以外，也可使用 (甲基)丙烯酸酯、降冰片烯衍生物以及由它們衍生的聚合物等。所謂臭氧的過飽和水溶液是指臭氧的溶存狀態成為過飽和狀態的水溶液，是超過飽和溶解量地溶解了高濃度的臭氧的水溶液。應予說明，以下，將為飽和溶解量以下的臭氧濃度的水溶液稱為通常臭氧水，將超過飽和溶解而呈過飽和狀態的水溶液稱為過飽和臭氧水。在溶液原理方面，過飽和臭氧水應該與通常臭氧水完全區分開。例如，如果從在專利文獻I中記載的制造條件判斷，則專利文獻I記載的專利技術中使用的臭氧水為通常臭氧水。如果概述專利文獻I所示的臭氧水的制造方法和制造條件，則如下所述。作為溶質的臭氧氣體，是在臭氧氣體產生器生成濃度為230g/Nm3左右的臭氧氣體后用濃縮器將生成的臭氧氣體濃縮至800g/Nm3左右的濃度而成的。另一方面，作為溶劑的水是使用在溫度 45 50°C、壓力O.1 O. 2MPa下對超純水進行加熱而成的水。通過混合該濃縮臭氧氣體和加熱純水，從而制造濃度為50mg/L (= ppm)左右的加熱臭氧水。如果由這些條件驗算專利文獻I所示的加熱臭氧水的飽和溶解濃度，則在50°C下的飽和溶解濃度為296mg/L，專利文獻I所示的濃度為50mg/L左右，由此判斷加熱臭氧水為與飽和溶解濃度相比充分低的通常臭氧水。在此，飽和溶解濃度由Henry法則求出。Henry法則是在含有揮發性溶質的稀溶液與氣相處于平衡時，氣相內的溶質的分壓(P)與溶液中的濃度(摩爾分數，X)成比例。因此，下述式(I)成立。P = Hx …(I)在此，H為亨利常數。將該式變形，求出X，在此基礎上，將X值變換成mg/L單位， 算出飽和溶解濃度。·H的值使用由下述式(2)所示的Roth & Sullivan式求出的近似值。H= 3. 842XlO7 [OH—] ci ci35expG2428A.. (2)在此為氫氧根離子的濃度，T為液溫。利用臭氧水除去光致抗蝕劑的方法未普及是因為需要使用具有特定結構的清洗裝置，無法使用通常的清洗裝置而得到充分的除去速度。在此，實用的除去速度是指在利用浸潰等的批量處理方式中為O. 2μπι/π η以上， 在利用噴嘴噴灑等的葉片處理方式中為l.Oym/min以上。本專利技術通過使用過飽和臭氧水除去光致抗蝕劑，從而使用通常的清洗裝置來實現充分的除去速度。在利用臭氧水的光致抗蝕劑除去中，除去速度與臭氧水的溶存臭氧濃度成比例。 另外，除了臭氧濃度之外，臭氧水的水溫也對除去速度造成影響，水溫越高，則除去速度越提高。例如，如果利用光致抗蝕劑分解反應的除去按照Arrhenies法則，則如下述式(3)所示，光致抗蝕劑的分解反應的速度常數(k)是因溫度上升而導致以指數函數的方式變大的。k = A exp (-E/RT)…(3本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】2010.11.30 JP 2010-2678591.一種光致抗蝕劑的除去方法，其特征在于，進行使用臭氧的過飽和水溶液除去形成在基體表面的光致抗蝕劑的除去操作。2.根據權利要求1所述的光致抗蝕劑的除去方法，其特征在于，在抑制所述過飽和水溶液的臭氧濃度降低的狀態下進行所述除去操作。3.根據權利要求2所述的光致抗蝕劑的除去方法，其特征在于，所述除去操作是在蓄留所...

【專利技術屬性】
技術研發人員：南樸木孝至，方志教和，
申請(專利權)人：夏普株式會社，
類型：
國別省市：