本發明專利技術涉及顯示技術領域，特別是涉及一種顯示裝置、陣列基板及其制作方法。該陣列基板包括基板、位于基板上的柵電極、柵極絕緣層、有源層、刻蝕阻擋層、源漏電極層、鈍化層和像素電極層；所述有源層為氧化物半導體，所述柵極絕緣層和有源層之間具有金屬氧化物絕緣層，所述柵極絕緣層貼近所述柵極，所述金屬氧化物絕緣層貼近有源層。本發明專利技術公開的陣列基板采用柵極絕緣層結合金屬氧化物絕緣層可以有效地阻止Cu離子的擴散和H離子的擴散對氧化物半導體的影響，最大程度地提高整個TFT器件的穩定性，提高最終產品的良率；同時采用五次光刻工藝，與現有技術相比減少一次光刻工藝，簡化工藝，可以提升生產效率，節省加工成本。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及顯示
，特別是涉及一種。
技術介紹
隨著科學技術的發展，平板顯示器已取代笨重的CRT顯示器日益深入人們的日常生活中。目前，常用的平板顯示器包括LCD (LiquidCrystal Display,液晶顯示器)和OLED(Organic Light-Emitting Diode,有機發光二極管)顯示器。尤其是LCD平板顯示器，由于其具有體積小、重量輕、厚度薄、功耗低、無輻射等特點，近年來得到了迅速地發展，在當前的平板顯示器市場中占據了主導地位，在各種大中小尺寸的產品上得到了廣泛的應用，幾乎涵蓋了當今信息社會的主要電子產品，如液晶電視、電腦、手機、車載顯示、投影顯示、攝像機、數碼相機、電子手表、計算器、電子儀器、儀表、公共顯示和虛幻顯示等多個領域。 在成像過程中，IXD顯示器中每一液晶像素點都由集成在TFT陣列基板中的薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)來驅動，再配合外圍驅動電路，實現圖像顯示；有源矩陣驅動式 OLED (Active MatrixOrganic Light Emission Display, AM0LED)顯不器中由TFT基板中的TFT驅動OLED面板中對應的OLED像素，再配合外圍驅動電路，實現圖像顯示。在上述顯示器中，TFT是控制發光的開關，是實現液晶顯示器和OLED顯示器大尺寸的關鍵，直接關系到高性能平板顯示器的發展方向。在現有平板顯示器生產技術中，已實現產業化的TFT主要有非晶硅TFT、多晶硅TFT、單晶硅TFT等，用于制備平板顯示器中陣列基板使用最多的是非晶硅TFT。目前，隨著技術的發展，出現了金屬氧化物TFT，金屬氧化物TFT具有載流子遷移率高的優點，使得TFT可以做的很小，而使平板顯示器的分辨率越高，顯示效果越好；同時用金屬氧化物TFT還具有特性不均現象少、材料和工藝成本降低、工藝溫度低、可利用涂布工藝、透明率高、帶隙大等優點，備受:業界關注。但現有的金屬氧化物TFT中，使用低電阻Cu配線處于高溫時，Cu離子會穿越柵極絕緣層，擴散到半導體層中，使得薄膜晶體管性能惡化；另外，當采用氮化物作為柵極絕緣層時，氮化物中的部分H離子會擴散到半導體層中，使得氧化物半導體層的性能急劇惡化，嚴重影響到TFT產品性能。另外，目前制作金屬氧化物TFT —般采用六次光刻工藝，主要是因為在刻蝕源漏金屬電極時會腐蝕掉金屬氧化物半導體層，因此，一般在金屬氧化物半導體層上面增加一次刻蝕阻擋層，以便保護金屬氧化物半導體層在刻蝕源漏金屬電極的過程中不被源漏金屬的刻蝕液腐蝕。一般來說，在制作金屬氧化物TFT過程中所用掩模板的數量越少，生產效率越高，成本就越低。
技術實現思路
(一)要解決的技術問題本專利技術要解決的技術問題是提供一種，以克服現有的陣列基板制作工藝復雜，且柵極絕緣層摻雜的氫基團以及低電阻Cu容易破壞器件的穩定性，導致影響產品良率的缺陷。(二)技術方案為了解決上述技術問題，本專利技術一方面提供一種陣列基板，包括基板、位于基板上的柵電極、柵極絕緣層、有源層、刻蝕阻擋層、源漏電極層、鈍化層和像素電極層；所述有源層為氧化物半導體，所述柵極絕緣層和有源層之間具有金屬氧化物絕緣層，所述柵極絕緣層貼近所述柵極，所述金屬氧化物絕緣層貼近有源層。進一步地，所述金屬氧化物絕緣層的面積大于等于有源層的面積。進一步地，所述柵極為銅或銅合金。進一步地，所述柵極絕緣層為氧化硅薄膜、氮化硅薄膜和氮氧化硅薄膜的其中一種，或是上述至少兩種薄膜的復合結構。進一步地，所述金屬氧化物絕緣層為三氧化二鋁薄膜、五氧化二鉭薄膜或三氧化二釔薄膜。進一步地，所述有源層為IGZO、HIZO、IZO、a-1nZnO、a-1nZnO、ZnO:F、In203:Sn、In203:Mo、Cd2Sn04、Zn0:Al、Ti02:Nb 或 Cd-Sn-O0進一步地，所述刻蝕阻擋層為氧化硅薄膜、氮化硅薄膜和氮氧化硅薄膜的其中一種，或是上述至少兩種薄膜的復合結構。進一步地，所述金屬氧化物絕緣層的厚度為50-2000 A0另一方面，本專利技術還提供一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。再一方面，本專利技術還提供一種制作陣列基板的工藝方法，包括步驟1、在基板上沉積柵金屬膜，通過一次構圖工藝形成包括柵電極的圖案；步驟2、在完成步驟I的基板上連續形成包括柵極絕緣層、金屬氧化物絕緣層和金屬氧化物半導體層的薄膜，通過構圖工藝形成包括金屬氧化物絕緣層的圖案和金屬氧化物半導體層的圖案。進一步地，所述步驟2具體為在完成步驟I的基板上連續形成包括柵極絕緣層、金屬氧化物絕緣層、金屬氧化物半導體層、刻蝕阻擋層的薄膜，通過一次半色調或者灰色調掩膜版，采用多次刻蝕工藝形成包括部分金屬氧化物絕緣層的圖案、金屬氧化物半導體層圖案、刻蝕阻擋層圖案、源漏電極與金屬氧化物半導體層圖案的接觸區域圖案。進一步地,所述方法還包括步驟3、在完成步驟2的基板上形成源漏金屬膜，通過一次構圖工藝形成包括源電極、漏電極及數據線的圖案；步驟4、在完成步驟3的基板上形成鈍化層，通過一次構圖工藝形成源電極接觸過孔；步驟5、在完成步驟4的基板上沉積透明導電層，通過一次構圖工藝形成透明導電像素電極。進一步地,所述步驟2具體包括步驟211 :通過PECVD方法連續沉積柵極絕緣層；步驟212 :在柵極絕緣層上通過濺射或熱蒸發的方法連續依次沉積金屬氧化物絕緣層和金屬氧化物半導體層； 步驟213 :通過PECVD方法沉積刻蝕阻擋層；步驟214 :通過一次半色調或者灰色調掩膜板曝光顯影后，形成不透光區域，完成透光區域和部分透光區域；所述不透光區域對應于半導體保護部分，部分透光區域對應于源漏電極與半導體層接觸部分；通過刻蝕工藝去除掉完全曝光區域的刻蝕阻擋層和半導體層；步驟215 :進行光刻膠的灰化工藝，去除部分透光區域的光刻膠；步驟216 :進行刻蝕工藝，去除掉部分曝光區域的刻蝕阻擋層，形成源漏電極與半導體層的接觸部分。進一步地，所述金屬氧化物絕緣層的面積大于等于金屬氧化物半導體層的面積。 進一步地，所述金屬氧化物絕緣層為三氧化二鋁薄膜、五氧化二鉭薄膜或三氧化二釔薄膜。進一步地，其特征在于，包括所述金屬氧化物絕緣層的厚度為50 ~ 2000 A。(三)有益效果本專利技術技術方案具有如下優點該陣列基板采用柵極絕緣層結合金屬氧化物絕緣層可以有效地阻止Cu離子的擴散和H離子的擴散對氧化物半導體的影響，最大程度地提高整個TFT器件的穩定性，提高最終產品的良率；同時采用五次光刻工藝，與現有技術相比減少一次光刻工藝，簡化工藝，可以提升生產效率，節省加工成本。附圖說明圖1為本專利技術實施例陣列基板的第一示意圖2為本專利技術實施例陣列基板的第二示意圖3為本專利技術實施例陣列基板的第三示意圖4為本專利技術實施例陣列基板的第四示意圖5為本專利技術實施例陣列基板的第五示意圖6為本專利技術實施例陣列基板的第六示意圖7為本專利技術實施例陣列基板的第七示意圖8為本專利技術實施例陣列基板的第八示意圖9為本專利技術實施例陣列基板結構示意圖10為本專利技術實施例陣列基板制作方法流程圖。圖中1:基板；2 :柵電極；3 :柵極絕緣層；4 :金屬氧化物絕緣層；5:有源層；6 :刻蝕阻擋層'7 漏電極；8 :源電極；9 :鈍化層；10 :像素電機層；11 :過孔；12:光刻膠；13:柵線;本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種陣列基板，其特征在于，包括：基板、位于基板上的柵電極、柵極絕緣層、有源層、刻蝕阻擋層、源漏電極層、鈍化層和像素電極層；所述有源層為金屬氧化物半導體，所述柵極絕緣層和有源層之間具有金屬氧化物絕緣層，所述柵極絕緣層貼近所述柵極，所述金屬氧化物絕緣層貼近有源層。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：劉翔，王剛，薛建設，
申請(專利權)人：京東方科技集團股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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