本發(fā)明專利技術(shù)涉及電子照相感光體及其制造方法、圖像形成設(shè)備和處理盒。本發(fā)明專利技術(shù)的電子照相感光體包括導(dǎo)電性基體和在所述導(dǎo)電性基體上的感光層，其中具有所述感光體的最外表面的層含有通過使具有芳香族基團和-CH2OH基團的交聯(lián)性電荷輸送材料聚合而形成的聚合物，并且所述具有最外表面的層滿足下式(1)：(峰2)/(峰1)≤0.05(1)，其中峰1表示在測定所述具有最外表面的層的紅外吸收光譜時獲得的芳香族基團的伸縮振動的吸收峰(約1550cm-1～約1650cm-1)的峰面積，峰2表示在測定所述具有最外表面的層的紅外吸收光譜時獲得的芳香醛的吸收峰(約1670cm-1～約1710cm-1)的峰面積。
【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及電子照相感光體、制造電子照相感光體的方法、圖像形成設(shè)備和處理盒。
技術(shù)介紹
在電子照相圖像形成設(shè)備中，通過充電裝置將電子照相感光體的表面充上預(yù)定的極性和電勢，通過用圖像曝光選擇性地除去經(jīng)充電電子照相感光體的表面的電荷而形成靜電潛像，然后通過用顯影單元使色調(diào)劑附著至所述靜電潛像而使所述潛像顯影為色調(diào)劑圖像，并且通過轉(zhuǎn)印單元將所述色調(diào)劑圖像轉(zhuǎn)印至轉(zhuǎn)印介質(zhì)從而將其作為形成的圖像排出。 為了保護電子照相感光體的表面，已經(jīng)提出了設(shè)置最外表面層。作為保護層形成用材料，例如已經(jīng)提出了通過將導(dǎo)電性粉末分散于酚樹脂(phenol resin)中而獲得的材料(例如參見日本專利第3287678號(專利文獻I))。另外，還提出了有機-無機雜化材料(例如參見日本特開平12-019749號公報(專利文獻2))。此外，已經(jīng)提出了鏈聚合性材料(例如參見日本特開2005-234546號公報(專利文獻3))和丙烯酸樹脂類材料(例如參見日本特開2000-66424號公報(專利文獻4))。此外，已經(jīng)提出了由醇溶性電荷輸送材料和酚樹脂形成的材料(例如參見日本特開2002-82469號公報(專利文獻5))。此外，已經(jīng)提出了由烷基醚化的苯代三聚氰胺甲醛樹脂與受電子的羧酸或受電子的聚羧酸酐形成的固化膜(例如參見日本特開昭62-251757號公報(專利文獻6))。此外，已經(jīng)提出了通過用碘和有機磺酸化合物或氯化鐵摻雜苯代三聚氰胺而獲得的固化膜(例如參見日本特開平7-146564號公報(專利文獻7))，以及由特定添加劑、酚樹脂、三聚氰胺樹脂、苯代三聚氰胺樹脂、硅氧烷樹脂或氨基甲酸酯樹脂形成的固化膜(例如參見日本特開平2006-84711號公報(專利文獻8))。此外，已經(jīng)提出了由三聚氰胺樹脂和特定的電荷輸送材料形成的固化膜(例如參見日本專利第4319553號(專利文獻9))。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本專利技術(shù)的目的在于提供一種表面電荷保持性優(yōu)良的電子照相感光體。以上目的通過以下方面實現(xiàn)。根據(jù)本專利技術(shù)的第一方面，本專利技術(shù)提供了一種電子照相感光體，所述電子照相感光體包括導(dǎo)電性基體和在所述導(dǎo)電性基體上的感光層，其中具有所述感光體的最外表面的層含有通過使具有芳香族基團和-CH2OH基團的交聯(lián)性電荷輸送材料聚合而形成的聚合物，并且所述具有最外表面的層滿足下式(I)(峰2) / (峰 I)彡 O. 05 (I)其中峰I表示在測定所述具有最外表面的層的紅外吸收光譜時獲得的芳香族基團的伸縮振動的吸收峰(約ΙδδΟαιΓ1 約165001^1)的峰面積,峰2表示在測定所述具有最外表面的層的紅外吸收光譜時獲得的芳香醛的吸收峰(約1670CHT1 約HlOcnT1)的峰面積。根據(jù)本專利技術(shù)的第二方面，在根據(jù)第一方面的電子照相感光體中，所述具有芳香族基團和-CH2OH基團的交聯(lián)性電荷輸送材料可以是由下式(1-1)表示的化合物F1-(L1-OH)n(1-1)其中F1表示源自具有空穴輸送性和芳香族基團的化合物的有機基團，L1表示具有I 5個碳原子的直鏈或支鏈亞烷基，并且η表示I 4的整數(shù)。根據(jù)本專利技術(shù)的第三方面，在根據(jù)第一方面的 電子照相感光體中，所述聚合物可以是通過使具有芳香族基團和-CH2OH基團的交聯(lián)性電荷輸送材料與具有反應(yīng)性烷氧基的交聯(lián)性電荷輸送材料聚合而獲得的共聚物。根據(jù)本專利技術(shù)的第四方面，在根據(jù)第三方面的電子照相感光體中，所述具有反應(yīng)性烷氧基的交聯(lián)性電荷輸送材料可以是由下式(1-2)表示的化合物F2- (L2-OR)m (1-2)其中F2表示源自具有空穴輸送性的化合物的有機基團，L2表示具有I 5個碳原子的直鏈或支鏈亞烷基，R表示烷基，并且m表示I 4的整數(shù)。根據(jù)本專利技術(shù)的第五方面，在根據(jù)第一方面的電子照相感光體中，所述具有最外表面層的層可以滿足下式⑵(峰2) / (峰 I) ( O. 03(2)根據(jù)本專利技術(shù)的第六方面，在根據(jù)第二方面的電子照相感光體中，所述由式(1-1)表示的化合物可以是具有由下式(II)-1表示的結(jié)構(gòu)的化合物權(quán)利要求1.一種電子照相感光體，所述電子照相感光體包括導(dǎo)電性基體；和在所述導(dǎo)電性基體上的感光層，其中，所述感光體的具有最外表面的層含有通過使具有芳香族基團和-CH2OH基團的交聯(lián)性電荷輸送材料聚合而形成的聚合物，并且所述具有最外表面的層滿足下式(I)(峰 2)/(峰 I)彡 O. 05 (I)其中，峰I表示在測定所述具有最外表面的層的紅外吸收光譜時獲得的芳香族基團在約ΙδδΟαιΓ1 約165001^1處的伸縮振動的吸收峰的峰面積,峰2表示在測定所述具有最外表面的層的紅外吸收光譜時獲得的芳香醛在約1670CHT1 約HlOcnT1處的吸收峰的峰面積。2.如權(quán)利要求1所述的電子照相感光體，其中，所述具有芳香族基團和-CH2OH基團的交聯(lián)性電荷輸送材料是由下式(1-1)表示的化合物F1-(L1-OH)n(1-1)其中，F(xiàn)1表示源自具有空穴輸送性和芳香族基團的化合物的有機基團，L1表示具有I 5個碳原子的直鏈或支鏈亞烷基，并且η表示I 4的整數(shù)。3.如權(quán)利要求1所述的電子照相感光體，其中，所述聚合物是通過使所述具有芳香族基團和-CH2OH基團的交聯(lián)性電荷輸送材料與具有反應(yīng)性烷氧基的交聯(lián)性電荷輸送材料聚合而獲得的共聚物。4.如權(quán)利要求3所述的電子照相感光體，其中，所述具有反應(yīng)性烷氧基的交聯(lián)性電荷輸送材料是由下式(1-2)表示的化合物 F2-(L2-OR)m (1-2)其中，F(xiàn)2表示源自具有空穴輸送性的化合物的有機基團，L2表示具有I 5個碳原子的直鏈或支鏈亞烷基，R表示烷基，并且m表示I 4的整數(shù)。5.如權(quán)利要求1所述的電子照相感光體，其中，所述具有最外表面層的層滿足下式(2):(峰 2)/(峰 I)彡 O. 03(2)。6.如權(quán)利要求2所述的電子照相感光體，其中所述由式(1-1)表示的化合物是具有由下式(II)-1表示的結(jié)構(gòu)的化合物其中，Ar1 Ar4彼此相同或不同，并且各自獨立地表示經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芳基；Ar5 表示經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芳基或者經(jīng)取代或未經(jīng)取代的亞芳基；D表示-(L1-OH) ；cl c5 各自獨立地表示O或I ;k表示O或I ;D的總數(shù)為I 4 ;并且L1表示具有I 5個碳原子的直鏈或支鏈亞烷基。7.如權(quán)利要求4所述的電子照相感光體，其中所述由式(1-2)表示的化合物是具有由下式(ID-2表示的結(jié)構(gòu)的化合物其中，Ar6 Ar9彼此相同或不同，并且各自獨立地表示經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芳基；Ar1Q 表示經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芳基或者經(jīng)取代或未經(jīng)取代的亞芳基；D’表示-(L2-OR) ;c6 clO各自獨立地表示O或I ;k’表示O或I ;D’的總數(shù)為I 4 ;L2獨立地表示具有I 5個碳原子的直鏈或支鏈亞烷基；并且R表示烷基。8.如權(quán)利要求2所述的電子照相感光體，其中，在式(1-1)中，由F1表示的源自具有空穴輸送性的化合物的有機基團是具有選自以下骨架的骨架的有機基團三苯胺骨架、N, N, N’，N’ -四苯基聯(lián)苯胺骨架、芪骨架或腙骨架。9.如權(quán)利要求4所述的電子照相感光體，其中，在式(1-2)中，由F2表示的源自具有空穴輸送性的化合物的有機基團是具有選自以下骨架的骨架的有機基團三苯胺骨架、N, N, N’，N’ -四苯基聯(lián)苯胺骨架、芪骨架或腙骨本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護點】
一種電子照相感光體，所述電子照相感光體包括：導(dǎo)電性基體；和在所述導(dǎo)電性基體上的感光層，其中，所述感光體的具有最外表面的層含有通過使具有芳香族基團和?CH2OH基團的交聯(lián)性電荷輸送材料聚合而形成的聚合物，并且所述具有最外表面的層滿足下式(1)：(峰2)/(峰1)≤0.05????(1)其中，峰1表示在測定所述具有最外表面的層的紅外吸收光譜時獲得的芳香族基團在約1550cm?1～約1650cm?1處的伸縮振動的吸收峰的峰面積，峰2表示在測定所述具有最外表面的層的紅外吸收光譜時獲得的芳香醛在約1670cm?1～約1710cm?1處的吸收峰的峰面積。
【技術(shù)特征摘要】
...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：巖崎真宏，
申請(專利權(quán))人：富士施樂株式會社，
類型：發(fā)明
國別省市：
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