本發明專利技術公開了一種防偽標的物及其制備方法、檢測方法,制備方法:根據預設的金屬納米混合物的組分種類與各組分含量,獲取對應含量的各組分,使之混合均勻形成均勻的金屬納米混合物;提供標的物,將均勻的金屬納米混合物植入標的物中,形成防偽標的物。本發明專利技術提供的防偽標的物及其制備方法、檢測方法,通過在防偽標的物植入預設好組分種類與各組分含量的金屬納米混合物,檢測標的物是否為防偽標的物時,采用X射線照射標的物,根據獲得的X射線熒光譜確定標的物中元素種類、各元素含量是否與植入的金屬納米混合物一致即可,本發明專利技術的防偽標的物他人無法復制,杜絕防偽標的物的假冒產品產生;防偽標的物可以應用陶瓷、玻璃、金屬等眾多技術領域。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及防偽
,尤其是涉及一種。
技術介紹
防偽技術是指為了達到防偽目的而采取的措施,它在一定范圍內能準確鑒別真偽,并不易被仿制和復制的技術。簡單的說就是防止仿造,仿冒的技術。防偽是對以欺騙為目的,且未經所有權人準許而進行仿制或復制的活動而采取的防止措施。防偽技術產品是以防偽為目的,而采用了防偽技術制成的,具有防偽功能的產品。防偽技術種類很多,主要有印刷防偽技術、金屬納米粉末防偽技術、物理防偽技術、數碼信息防偽技術、結構和包裝防偽技術、人體和生物特征防偽技術等。其中,所述金屬納米粉末防偽技術具有成本低,檢測非常方便。但現有技術中金屬納米粉末只能局限于印泥、墨汁、紙張
中。
技術實現思路
本專利技術的主要目的在于提供一種,杜絕防偽標的物的假冒產品產生,擴展金屬納米混合物應用的
本專利技術提出一種防偽標的物,由以下步驟制備而成步驟一、根據預設的金屬納米混合物的組分種類與各組分含量,獲取對應含量的各組分,并使之混合均勻形成均勻的金屬納米混合物;步驟二、提供標的物,將所述均勻的金屬納米混合物植入所述標的物中,形成防偽標的物。本專利技術另提出一種防偽標的物的制備方法,包括以下步驟步驟一、根據預設的金屬納米混合物的組分種類與各組分含量,獲取對應含量的各組分,并使之混合均勻形成均勻的金屬納米混合物;步驟二、將所述均勻的金屬納米混合物植入防偽標的物中。本專利技術另提出一種防偽標的物的防偽檢測方法,包括以下步驟步驟一、采用X射線照射被檢標的物,獲得X射線熒光譜;步驟二、根據X射線熒光譜的波長確定該X射線熒光譜對應的元素種類;步驟三、根據X射線熒光譜的強度確定該X射線熒光譜對應元素的含量;步驟四、判斷確定的元素種類和確定的元素含量,是否與防偽標的物植入的金屬納米混合物中組分種類以及各組分含量一致;若一致,則表示被檢標的物為防偽標的物;若不一致,則表示被檢標的物為非防偽標的物。優選地,所述X射線熒光譜包括一種波長的X射線熒光譜或多種波長的X射線熒光譜;每種波長的X射線熒光譜對應一種元素。本專利技術所提供的一種,其中通過在防偽標的物植入預設好組分種類與各組分含量的金屬納米混合物,檢測標的物是否為防偽標的物時,只需采用X射線照射標的物,根據獲得的X射線熒光譜確定標的物中所含元素種類以及各元素含量是否與植入的金屬納米混合物中的組分及各組分含量是否一致即可,本專利技術的這種防偽標的物他人無法復制,因此可杜絕防偽標的物的假冒產品產生;同時這種防偽標的物可應用于陶瓷、玻璃、金屬等眾多
附圖說明圖1是本專利技術的防偽標的物的制備方法實施例的流程圖;圖2是本專利技術的防偽標的物的檢測方法實施例的流程圖;圖3是X射線照射原子的原理示意圖;圖4是原子受X射線照射后原子核內電子躍遷的原理示意圖。本專利技術目的的實現、功能特點及優點將結合實施例,參照附圖做進一步說明。具體實施例方式應當理解,此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本專利技術,并不用于限定本專利技術。參見圖1,提出本專利技術的一種防偽標的物,該標的物的制備方法包括以下步驟步驟S101、根據預設的金屬納米混合物的組分種類與各組分含量,獲取對應含量的各組分,并使之混合均勻形成均勻的金屬納米混合物;步驟S102、提供標的物,將所述均勻的金屬納米混合物植入所述標的物中,形成防偽標的物。上述實施例中,對于不同的標的物植入的金屬納米混合物的所含組分種類以及各組分含量可以相同或不同。所述金屬納米混合物所含組分可以輕金屬、重金屬或稀有金屬。參見圖2,另提出本專利技術的一種防偽標的物的防偽檢測方法實施例,包括以下步驟步驟S201、采用能量足夠高的X射線照射被檢標的物,獲得X射線熒光譜;步驟S202、根據X射線熒光譜的波長確定該X射線熒光譜對應的元素種類;步驟S203、根據X射線熒光譜的強度確定該X射線熒光譜對應元素的含量;步驟S204、判斷確定的元素種類和確定的元素含量,是否與防偽標的物植入的金屬納米混合物中組分種類以及各組分含量一致;若一致,則表示被檢標的物為防偽標的物;若不一致,則表示被檢標的物為非防偽標的物。進一步地,上述防偽標的物的防偽檢測方法實施例中,所述X射線突光譜包括一種波長的X射線熒光譜或多種波長的X射線熒光譜;每種波長的X射線熒光譜對應一種元素。上述實施例中,對于不同的標的物植入的金屬納米混合物的所含組分種類以及各組分含量可以相同或不同。所述金屬納米混合物所含組分可以輕金屬、重金屬或稀有金屬。本專利技術的上述防偽標的物的防偽檢測方法實施例中,通過X射線熒光檢測標的物是否為防偽標的物的原理如下標的物中元素的原子受到高能X射線照射時,會發射出具有一定特征的X射線熒光譜,特征譜線的波長只與元素的原子序數(Z)有關;特征譜線的強度和元素含量的多少有關。因此根據X射線熒光譜對應的波長,可知標的物中包含什么元素,根據某一波長的X射線熒光譜強度,可知標的物中含該波長對應元素的含量。由于從標的物中發出的X射線熒光具有所含元素的固有波長,該固有波長可用以下公式表示X=2d sin θ--------(I)。因此上述防偽標的物的防偽檢測方法實施例中的步驟S202中,X射線熒光譜對應的波長通過以下公式(I)計算得到。其中,d為分光晶體的晶面間距已知,Θ為分光晶體對標的物發射出的X射線熒光的衍射角。所述Θ需要預先測量,然后根據公式(I)計算出X射線熒光的波長λ。由于X射線熒光譜中的X射線熒光波長與元素的關系如下(l/λ ) 1/2=K (Z-S)------(2); 其中,λ為X射線熒光波長,Z為元素的原子系數,K和S為常數;因此可以將式(I)計算出來的波長代入公式(2)中,計算出該波長對應的原子系數Ζ,從而確定該波長對應的元素種類。從上述式(2)可知當元素的原子系數增加,對應的X射線熒光波長變短。X射線熒光是電磁波譜中的某特定波長范圍內的電磁波,其特性通常用能量(單位千電子伏特,keV)和波長(單位nm)描述。X射線熒光是原子內產生變化所致的現象。參見圖3,一個穩定的原子結構由原子核及核外電子組成。其核外電子都以各自特有的能量在各自的固定軌道上運行,內層電子(如K層)在足夠能量的X射線照射下脫離原子的束縛,釋放出來,電子的逐放會導致該電子殼層出現相應當電子空位。這時處于高能量電子殼層的電子(如L層)會躍遷到該低能量電子殼層來填補相應當電子空位。由于不同電子殼層之間存在著能量差距,這些能量上的差以二次X射線熒光的形式釋放出來,不同的元素所釋放出來的二次X射線熒光具有特定的能量特性。入射的X射線熒光具有相對大的能量,可以轟擊出元素的原子內層中的電子。K層空缺時,電子由L層躍遷入K層,輻射出的特征X射線熒光稱為Ka線;從M層躍遷入K層,輻射出的特征X射線熒光稱為Ke線。參見圖4,同理L系X射線熒光也具有LaLe等特征X射線熒光,X射線熒光光譜法多采用K系L系熒光,其他線系較少采用。而根據量子理論,X射線熒光可以看成由一種量子或光子組成的粒子流,每個光具有的能量為E=h V =hC/ λ----------(3);式(3)中,E為X射線熒光光子的能量,單位為keV;h為普朗克常數;V為光波的頻率;C為光速。因此,只要測出X射線熒光的波長或者能量,就可以知道元素的種類。每個元素的特征X射線熒光的強度除與激發源的能量和強度有關外,還與本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種防偽標的物,其特征在于,由以下步驟制備而成:根據預設的金屬納米混合物的組分種類與各組分含量,獲取對應含量的各組分,并使之混合均勻形成均勻的金屬納米混合物;提供標的物,將所述均勻的金屬納米混合物植入所述標的物中,形成防偽標的物。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員:不公告發明人,
申請(專利權)人:深圳市樹德堂文化發展有限公司,
類型:發明
國別省市:
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