本發明專利技術提出一種防輻射PU合成革生產工藝的方案，具體方法是：生產工藝(濕法——浸涂法)和干法PU復膜。濕法——浸涂法工藝方法：底布(無紡布或針織布)，經一道PU混合漿刮涂后，進入凝固槽浸漬，濕法成膜，再進入烘箱烘干。干法PU復膜干法加工工藝：將干法聚氨酯PU樹脂溶解，配制混合溶液后，再涂在有花紋的離型紙上，再經烘箱干燥冷卻后，將經濕法處理制成的半成品革表面涂覆一層粘接層混合液，最后將上述有漿料的離型紙復在上面，再經烘箱烘干，再將離型紙剝離成品，如有需要可進行下一步的后整理壓花、冷軋等工藝處理成品。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及到用于防輻射合成革領域，隨著原子能工業的不斷發展，大量的核輻射線對人體組織和器官會有侵害。所以迫切需要和到能抵抗放射性射線的材料，過去人們預防輻射常用的材料有鉛、鉛玻璃、鉛橡皮、水泥、砂石、等種類，這類材料使用不方便，所以用處不廣。
技術介紹
目前市面上有許多種合成革，其主要成份是聚氨樹脂。隨著社會的發展，生活水平的提高，PU合成革的使用也越來越普遍，PU合成革是在基布上用濕浸涂一層涂層，再經烘干加工而成。核輻射對人體的傷害是巨大的，在漿料中添加適量的防輻射材料成份制成的合成革，用該產品可制成許多種防輻射生活用品，用處相當普遍。
技術實現思路
本專利技術提供一種防輻射合成革生產工藝，用這種生產工藝制成的各種PU合成革衣物和用品，如防輻射服裝，防輻射雨衣，防輻射手套等，能有效抵擋核輻射對人們的侵害，本專利技術方案主要有1、主要原料和助劑1.1聚氨樹脂，針織布或針刺無紡布，厚度1. Omm,單位面積重量180 200g/m2，二甲基甲酰胺(DMF)，磺化琥珀酸二辛酯鈉鹽，PH值6. 5 7，陰離子型快速滲透劑，山梨醇單油酸酯(S280)，非離子型乳化劑，消泡劑CF，纖維素，平滑劑ACR等原料。2、生產工藝(濕法一浸涂法)2.1工藝配方(質量份)浸軋液聚氨酯樹脂320，(S280,10，PU)，快 Tl (色漿若干)，DMF1000，平滑劑 ACRl。涂層漿聚氨酯樹脂450，平滑劑ACRl，DMF350，纖維素50，(S280，7，5)，消泡劑CF0、4，快T3，(PU色漿若干)，三氧化二鐵粉。1. 2. 2工藝參數控制浸潰漿粘度400mpa. s左右，PU樹脂固體分為6% 9%。涂層漿粘度2500mpa. s左右，PU樹脂固體分為13% 17%。凝固液由DMF與水組成，DMF濃度為20%左右。凝固溫度22°C 25°C，凝固時間18min。1. 2. 3工藝方法底布(無紡布或針織布)，經一道混合漿刮涂后，進入凝固槽浸潰，濕法成膜，再進入烘箱烘干。1. 2. 4 干法 PU 復膜:1. 2. 4.1工藝配方(質量份)聚氨酯樹脂=100，DMF350 = 50，MEK = 50，快T2 (PU色漿若干)=10，表處劑，1. 2. 4. 2干法加工工藝將干法聚氨酯PU樹脂溶解，配制混合溶液后，再涂在有花紋的離型紙上，再經烘箱干燥冷卻后，將經濕法處理制成的半成品革表面涂覆一層粘接層混合液，最后將上述有漿料的離型紙復在上面，再經烘箱烘干，再將離型紙剝離成品，如有需要可進行下一步的后整理壓花、冷軋等工藝處理成品。附圖說明下面結合附圖和實施例對本專利技術作進一步說明。圖1是一種防輻射合成革生產工藝流程圖。具體實施例方式下面結合附圖和實施對本專利技術進一步說明，防輻射合成革生產工藝流程，所述的工藝流程包括第一階段半成品生產工藝流程。第二階段成品生產工藝流程。權利要求1.一種防輻射PU合成革生產工藝，其特征是原料主要由聚氨樹脂，針織布或針刺無紡布，厚度1. 0mm，單位面積重量180 200g/m2，二甲基甲酰胺(DMF)，磺化琥珀酸二辛酯鈉鹽，PH值6. 5 7，陰離子型快速滲透劑，山梨醇單油酸酯(S280)，非離子型乳化劑，消泡劑 CF，纖維素，平滑劑ACR。2.根據權利要求1所述的一種防輻射PU合成革生產工藝，其特征是它的浸軋液工藝配方(質量份)由聚氨酯樹脂320，(S280,10, PU)，快Tl (色漿若干)，DMF1000，平滑劑 ACRl。3.根據權利要求1所述的一種防輻射PU合成革生產工藝，其特征是它的涂層漿工藝配方(質量份)由聚氨酯樹脂450，平滑劑ACR1，DMF350，纖維素50，(S280，7，5)，消泡劑 CF0、4，快T3，(PU色漿若干)，三氧化二鐵粉。4.根據權利要求1所述的一種防輻射PU合成革生產工藝，其特征是它的工藝參數控制(I)浸潰漿粘度400mpa. s左右，PU樹脂固體分為(2)涂層漿粘度2500mpa. s左右，PU樹脂固體分為13% 17%，(3)凝固液由DMF與水組成，DMF濃度為20%左右，(4)凝固溫度22。。 25°C，凝固時間18min。5.根據權利要求1所述的一種防輻射PU合成革生產工藝，其特征是它的工藝方法是底布(無紡布或針織布)，經一道PU混合漿刮涂后，進入凝固槽浸潰，濕法成膜，再進入烘箱烘干。6.根據權利要求1所述的一種防輻射PU合成革生產工藝，其特征是它的干法PU復膜工藝配方(質量份)由聚氨酯樹脂=100，DMF350 = 50，MEK = 50，快T2 (PU色漿若干) =10，表處劑。7.根據權利要求1所述的一種防輻射PU合成革生產工藝，其特征是它的干法加工工藝是將干法聚氨酯PU樹脂溶解，配制混合溶液后，再涂在有花紋的離型紙上，再經烘箱干燥冷卻后，將經濕法處理制成的半成品革表面涂覆一層粘接層混合液，最后將上述有漿料的離型紙復在上面，再經烘箱烘干，再將離型紙剝離成品，如有需要可進行下一步的后整理壓花、冷軋等工藝處理成品。全文摘要本專利技術提出一種防輻射PU合成革生產工藝的方案，具體方法是生產工藝(濕法——浸涂法)和干法PU復膜。濕法——浸涂法工藝方法底布(無紡布或針織布)，經一道PU混合漿刮涂后，進入凝固槽浸漬，濕法成膜，再進入烘箱烘干。干法PU復膜干法加工工藝將干法聚氨酯PU樹脂溶解，配制混合溶液后，再涂在有花紋的離型紙上，再經烘箱干燥冷卻后，將經濕法處理制成的半成品革表面涂覆一層粘接層混合液，最后將上述有漿料的離型紙復在上面，再經烘箱烘干，再將離型紙剝離成品，如有需要可進行下一步的后整理壓花、冷軋等工藝處理成品。文檔編號D06N3/14GK102995455SQ201110291019公開日2013年3月27日 申請日期2011年9月14日 優先權日2011年9月14日專利技術者吳舒克 申請人:吳舒克本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種防輻射PU合成革生產工藝，其特征是：原料主要由聚氨樹脂，針織布或針刺無紡布，厚度1.0mm，單位面積重量180～200g/m2，二甲基甲酰胺(DMF)，磺化琥珀酸二辛酯鈉鹽，PH值6.5～7，陰離子型快速滲透劑，山梨醇單油酸酯(S280)，非離子型乳化劑，消泡劑CF，纖維素，平滑劑ACR。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：吳舒克，
申請(專利權)人：吳舒克，
類型：發明
國別省市：
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