本發明專利技術公開一種電容式觸摸屏的加工方法，所述電容式觸摸屏從上往下依次設置有第一玻璃基板、上電極層、下電極層和第二玻璃基板；所述第一、第二玻璃基板經過以下步驟處理：步驟一、將所述玻璃基板放置于酸性溶液中進行預處理，預處理時間為1～10min；步驟二、將經步驟一的所述玻璃基板浸入390～420℃離子溶液中，并在390～420℃的條件下保持4～6小時后自然降溫；所述離子溶液由去離子水與硝酸鉀、碳酸鉀和硼酸鉀組成的混合物組成；步驟三、將經步驟二的所述玻璃基板浸泡于50～60℃的去離子水中，此去離子水中通有空氣。本發明專利技術加工方法有效提高了電容觸摸屏抗折強度、表面硬度；提高了離子活性的同時，又有利于離子的交換，降低了生產周期。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種，屬于觸摸屏領域。
技術介紹
現有技術中，電容式觸摸屏是在玻璃表面貼上一層透明的特殊金屬導電物質。當手指觸摸在金屬層上時，由于人體電場，用戶和觸摸屏表面形成以一個耦合電容，對于高頻電流來說，電容是直接導體，于是手指從接觸點吸走一個很小的電流。這個電流分從觸摸屏的四角上的電極中流出，并且流經這四個電極的電流與手指到四角的距離成正比，控制器通過對這四個電流比例的精確計算，得出觸摸點的位置。從電容式觸摸屏結構組成來看，其玻璃基板占有很大比重；隨著技術的更新，電容式觸摸屏中玻璃基板趨于超薄化，但是由于超薄化帶來的弊端也顯而易見，力學強度的降低，在降低重量、減小體積的同時，雜質、缺陷以及任何降低玻璃強度的負面因素都會被放大。比如一個小小的裂紋或缺陷對于普通厚 度的玻璃來說只是表面上一個微不足道的瑕疵，但相對于超薄玻璃來說，同樣大小的裂紋卻可能已經深人玻璃內部，對其強度造成無法忽視的破壞。這直接造成了超薄玻璃在抗折強度、表面硬度等力學性能指標上明顯落后于普通的平板玻璃，這給電容式觸摸屏發展帶來了阻礙。因此，如何加工一種電容式觸摸屏，能提高了電容觸摸屏抗折強度、表面硬度成為技術人員努力的方向。
技術實現思路
本專利技術目的是提供一種，該加工方法有效提高了電容觸摸屏抗折強度、表面硬度；提高了離子活性的同時，又有利于離子的交換，縮短了生產周期。為達到上述目的，本專利技術采用的技術方案是一種，所述電容式觸摸屏從上往下依次設置有第一玻璃基板、上電極層、下電極層和第二玻璃基板；所述第一、第二玻璃基板經過以下步驟處理步驟一、將所述玻璃基板放置于酸性溶液中進行預處理，預處理時間為I IOmin ；所述玻璃基板原料配方主要由下列質量百分含量的組分組成二氧化硅(SiO2)71. 21% ；氧化鉀(K2O)1. 22% ；氧化納(Na2O)12. 77% ；氧化鈣(CaO)6. 48% ；步驟二、將經步驟一的所述玻璃基板浸入離子溶液中，此離子溶液以每分鐘3 150C /min升溫速率從室溫升至390 420°C，并在390 420°C的條件下保持4 6小時后自然降溫；所述離子溶液通有氣體從而在此離子溶液中形成氣泡，所述離子溶液由去離子水與硝酸鉀、碳酸鉀和硼酸鉀組成的混合物組成，此混合物各組分的質量百分含量為硝酸鉀(SiO2)85 % 95%;碳酸鉀(B2O3)4% 14% ;硼酸鉀(K2B4O7)O. 5% 1. 5% ;步驟三、將經步驟二的所述玻璃基板浸泡于50 60°C的去離子水中，此去離子水中通有空氣。作為優選，所述玻璃基板原料配方還包括以下組分三氧化二鐵(Fe2O3)O. 05% ；氧化鎂(MgO)O. 5% ； 二氧化鋁(Al2O3)3.2%。作為優選，所述酸性溶液為氫氟酸或者硫酸，其質量濃度為3 5%。作為優選，所述酸性溶液為氫氟酸與硫酸的混合液，混合比例為1: 3 4。本專利技術的技術方案與現有技術相比具有以下優點和效果本專利技術，經測試有效提高了電容觸摸屏抗折強度、表面硬度；其次，本專利技術加工方法采用特定比例的硝酸鉀與碳酸鉀混合，既保證了離子溶液中鉀離子活性未降低，又進一步提高了電容觸摸屏的玻璃基板應力；再次，本專利技術加工方法在離子溶液中摻有少量的硼酸鉀，能在玻璃基板表面形成玻璃相，從而有效地克服了硝酸鉀在玻璃基板表面的流失的缺陷，有利于離子交換以提高電容觸摸屏抗折強度、表面硬度；再次，本專利技術加工方法采用酸預得到的新鮮表面，通過腐蝕除掉含有裂紋或其他缺陷的表面層，消除造成降低強度的因素，恢復或提高玻璃的強度，從而有利于后續加工工藝；再次，本專利技術加工方法在溶液中均通有氣體，有利于離子濃度的分布均勻，在清洗步驟中通氣體有利于去除殘留的離子。具體實施例方式下面結合實施例對本專利技術作進一步描述實施例1-3 :—種，所述電容式觸摸屏從上往下依次設置有第一玻璃基板、上電極層、下電極層和第二玻璃基板；所述玻璃基板經過以下步驟處理步驟一、將所述玻璃基板放置于酸性溶液中進行預處理，預處理時間為I IOmin ；所述玻璃基板原料配方主要由下列質量百分含量的組分組成二氧化硅(SiO2)71. 21% ；氧化鉀(K2O)1. 22% ；氧化納(Na2O)12. 77% ；氧化鈣(CaO)6.48%。步驟二、將經步驟一的所述玻璃基板浸入離子溶液中，將此離子溶液以每分鐘3 15°C /min升溫速率從室溫升至390 420°C，并在390 420°C的條件下保持4 6小時后自然降溫；所述離子溶液通有氣體從而在此離子溶液中形成氣泡，所述離子溶液由去離子水與硝酸鉀、碳酸鉀和硼酸鉀組成的混合物組成，此混合物各組分的質量百分含量如表I所示表一權利要求1.一種，所述電容式觸摸屏從上往下依次設置有第一玻璃基板、上電極層、下電極層和第二玻璃基板；其特征在于所述第一、第二玻璃基板經過以下步驟處理 步驟一、將所述玻璃基板放置于酸性溶液中進行預處理，預處理時間為I IOmin ； 所述玻璃基板原料配方主要由下列質量百分含量的組分組成 二氧化硅(SiO2) 71. 21% ； 氧化鉀(K2O)1. 22% ； 氧化納(Na2O)12. 77% ； 氧化鈣(CaO)6. 48% ； 步驟二、將經步驟一的所述玻璃基板浸入離子溶液中，此離子溶液以每分鐘3 15°C /min升溫速率從室溫升至390 420°C，并在390 420°C的條件下保持4 6小時后自然降溫；所述離子溶液通有氣體從而在此離子溶液中形成氣泡，所述離子溶液由去離子水與硝酸鉀、碳酸鉀和硼酸鉀組成的混合物組成，此混合物各組分的質量百分含量為 硝酸鉀(SiO2) 85% 95%; 碳酸鉀(B2O3) 4% 14% ; 硼酸鉀(K2B4O7) O. 5% 1. 5% ; 步驟三、將經步驟二的所述玻璃基板浸泡于50 60°C的去離子水中，此去離子水中通有空氣。2.根據權利要求1所述的加工方法，其特征在于所述玻璃基板原料配方還包括以下組分 三氧化二鐵(Fe2O3) O. 05% ； 氧化鎂(MgO)O. 5% ； 二氧化鋁(Al2O3) 3.2%。3.根據權利要求1所述的加工方法，其特征在于所述酸性溶液為氫氟酸或者硫酸，其質量濃度為3 5%。4.根據權利要求1所述的加工方法，其特征在于所述酸性溶液為氫氟酸與硫酸的混合液，混合比例為1: 3 4。全文摘要本專利技術公開一種，所述電容式觸摸屏從上往下依次設置有第一玻璃基板、上電極層、下電極層和第二玻璃基板；所述第一、第二玻璃基板經過以下步驟處理步驟一、將所述玻璃基板放置于酸性溶液中進行預處理，預處理時間為1～10min；步驟二、將經步驟一的所述玻璃基板浸入390～420℃離子溶液中，并在390～420℃的條件下保持4～6小時后自然降溫；所述離子溶液由去離子水與硝酸鉀、碳酸鉀和硼酸鉀組成的混合物組成；步驟三、將經步驟二的所述玻璃基板浸泡于50～60℃的去離子水中，此去離子水中通有空氣。本專利技術加工方法有效提高了電容觸摸屏抗折強度、表面硬度；提高了離子活性的同時，又有利于離子的交換，降低了生產周期。文檔編號C03C3/078GK102992616SQ20111027632公開日2013年3月27日 申請日期2011年9月19日 優先權日2本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種電容式觸摸屏的加工方法，所述電容式觸摸屏從上往下依次設置有第一玻璃基板、上電極層、下電極層和第二玻璃基板；其特征在于：所述第一、第二玻璃基板經過以下步驟處理：步驟一、將所述玻璃基板放置于酸性溶液中進行預處理，預處理時間為1～10min；所述玻璃基板原料配方主要由下列質量百分含量的組分組成：二氧化硅(SiO2)????71.21％；氧化鉀(K2O)???????1.22％；氧化納(Na2O)??????12.77％；氧化鈣(CaO)???????6.48％；步驟二、將經步驟一的所述玻璃基板浸入離子溶液中，此離子溶液以每分鐘3～15℃/min升溫速率從室溫升至390～420℃，并在390～420℃的條件下保持4～6小時后自然降溫；所述離子溶液通有氣體從而在此離子溶液中形成氣泡，所述離子溶液由去離子水與硝酸鉀、碳酸鉀和硼酸鉀組成的混合物組成，此混合物各組分的質量百分含量為：硝酸鉀(SiO2)??????85％～95％；碳酸鉀(B2O3)??????4％～14％；硼酸鉀(K2B4O7)????0.5％～1.5％；步驟三、將經步驟二的所述玻璃基板浸泡于50～60℃的去離子水中，此去離子水中通有空氣。...
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：劉建國，劉生明，
申請(專利權)人：昆山海天光電科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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