【技術實現步驟摘要】
本專利技術屬于化學工程
,具體涉及一種。技術背景印制電路板(Printed Circuit Board,簡稱PCB)生產過程中需要進行鍍金,氰化物電鍍因其鍍件質量好、耐腐蝕性高、鍍液穩定,工作溫度范圍寬等優點,目前還未被無氰電鍍完全取代。氰化物電鍍廢液中氰基(CN-)排入環境會造成嚴重污染,而且廢液中通常會含有10-300mg/L金,直接排入環境會造成資源浪費。為了綜合利用含氰鍍金廢液資源,目前通用的富集、沉淀技術主要有Zn粉置換法(如非專利文獻《從電鍍廢液中回收金的研究》,中國物資再生,1997. 06. 8-9.)、活性碳吸附法和電解法(如專利文獻CN 101705507A)等。Zn粉置換法反應溫度高、處理工藝復雜,用于含氰鍍金廢液中的效果差、金沉淀率低,并且在沉淀過程中產生新的化學物質,增加廢水處理負擔。活性碳吸附法活性再生困難,廢液金吸附不完全。電解法廢液中的金通常只能降至Ij 5mg/L。
技術實現思路
本專利技術的目的在于提供一種將含氰鍍金廢液中的金完全沉淀的方法。能夠實現上述目的的本專利技術的方法是一種,其特征在于,包括如下步驟(I)破壞氰在容器中加入金離子含量為l_500mg/L的含氰鍍金廢液,用質量濃度為10%的 NaOH調節pH為12,加入NaClO調節氧化還原電位為350mv,反應30min,再加入質量濃度為 10%的H2SO4調節pH為7. 5,加入NaClO調節氧化還原電位為650mv,反應30min,使廢液中的氰濃度被破壞至小于lmg/L ;(2)沉淀金向氰被破壞后的含氰鍍金廢液中加入金沉淀劑,攪拌反應,過濾。上述步驟( ...
【技術保護點】
一種從含氰鍍金廢液中沉淀金的方法,其特征在于,包括如下步驟:(1)破壞氰在容器中加入金離子含量為1?500mg/L的含氰鍍金廢液,用質量濃度為10%的NaOH調節pH為12,加入NaClO調節氧化還原電位為350mv,反應30min,再加入質量濃度為10%的H2SO4調節pH為7.5,加入NaClO調節氧化還原電位為650mv,反應30min,使廢液中的氰濃度被破壞至小于1mg/L;(2)沉淀金向氰被破壞后的含氰鍍金廢液中加入金沉淀劑,攪拌反應,過濾。
【技術特征摘要】
1.一種從含氰鍍金廢液中沉淀金的方法,其特征在于,包括如下步驟 (1)破壞氰 在容器中加入金離子含量為l-500mg/L的含氰鍍金廢液,用質量濃度為10%的NaOH調節pH為12,加入NaClO調節氧化還原電位為350mv,反應30min,再加入質量濃度為10%的H2SO4調節pH為7. 5,加入NaClO調節氧化還原電位為650mv,反應30min,使廢液中的氰濃度被破壞至小于lmg/L ; (2)沉淀金 向氰被破壞后的含氰鍍金廢液中加入金沉淀劑,攪拌反應,過濾。2.根據權利要求I所述的方法,其特征在于,所述的金沉淀劑為二甲基二硫代氨基甲酸鈉或二乙基二硫代氨基甲酸鈉。3.根據權利要求I所述的方法,其特征在于,金沉淀劑的加入量為含氰鍍金廢液中金離...
【專利技術屬性】
技術研發人員:殷國元,高麒麟,李俊,馬振彥,官香元,劉晶,張秋玲,崔明玉,姚曉琳,劉佳麗,
申請(專利權)人:大連東泰產業廢棄物處理有限公司,
類型:發明
國別省市:
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