【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本技術(shù)涉及一種過壓保護(hù)電路。
技術(shù)介紹
便攜式電子產(chǎn)品所需要的電壓一般比較低，一般情況下為1.5V、2. 5V、3. 3V或5V電壓。在電路中，由于電路信號(hào)受到干擾、短路或供電電壓不穩(wěn)定等因素，可能會(huì)造成電壓突然升高的情況，過高的電壓會(huì)影響電路的性能，還有燒壞電路的風(fēng)險(xiǎn)。過壓保護(hù)電路是解決過壓的問題的必要電路，現(xiàn)有技術(shù)的電路的結(jié)構(gòu)比較復(fù)雜，所需器件和節(jié)點(diǎn)較多，器件多造成成本和功耗較高，節(jié)點(diǎn)較多造成壞點(diǎn)的風(fēng)險(xiǎn)大。·
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本技術(shù)的專利技術(shù)目的在于針對(duì)上述存在的問題，提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、節(jié)點(diǎn)少的過壓保護(hù)電路。本技術(shù)采用的技術(shù)方案是這樣的。一種過壓保護(hù)電路，包括電壓輸入端和電壓輸出端，在電壓輸入端和電壓輸出端之間串接一第一電阻，與所述第一電阻并聯(lián)一調(diào)壓電路，所述調(diào)壓電路包括第二電阻、第一雙極型晶體管、第二雙極型晶體管、雪崩二極管或齊納二極管和二極管；所述第二電阻串接于第一雙極型晶體管的源極和基極之間，所述電壓輸入端連接至第一雙極型晶體管的基極、第二雙極型晶體管的集電極和雪崩二極管或齊納二極管的正極端；所述電壓輸出端連接至第一雙極型晶體管的源極和二極管的正極端；所述第二雙極型晶體管的源極接地，基極連接至雪崩二極管或齊納二極管的負(fù)極端和第一雙極型晶體管的集電極；二極管的負(fù)極端接地。綜上所述，由于采用了上述技術(shù)方案，本技術(shù)的有益效果是電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，所需器件和節(jié)點(diǎn)較少，減小成本和功耗，以及減少壞點(diǎn)風(fēng)險(xiǎn)。附圖說明圖I是本技術(shù)過壓保護(hù)電路的電路原理圖。具體實(shí)施方式以下結(jié)合附圖，對(duì)本技術(shù)作詳細(xì)的說明。為了使本技術(shù)的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本技...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種過壓保護(hù)電路，包括電壓輸入端（VIN）和電壓輸出端（VOUT），在電壓輸入端（VIN）和電壓輸出端（VOUT）之間串接一第一電阻（R1），其特征在于，與所述第一電阻（R1）并聯(lián)一調(diào)壓電路，所述調(diào)壓電路包括第二電阻（R2）、第一雙極型晶體管（NPN）、第二雙極型晶體管（PNP）、雪崩二極管或齊納二極管（D1）和二極管（D2）；所述第二電阻（R2）串接于第一雙極型晶體管（NPN）的源極和基極之間，所述電壓輸入端（VIN）連接至第一雙極型晶體管（NPN）的基極、第二雙極型晶體管（PNP）的集電極和雪崩二極管或齊納二極管（D1）的正極端；所述電壓輸出端（VOUT）連接至第一雙極型晶體管（NPN）的源極和二極管（D2）的正極端；所述第二雙極型晶體管（PNP）的源極接地，基極連接至雪崩二極管或齊納二極管（D1）的負(fù)極端和第一雙極型晶體管（NPN）的集電極；二極管（D2）的負(fù)極端接地。
【技術(shù)特征摘要】
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：周曉東，桑園，余力，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：鄭州單點(diǎn)科技軟件有限公司，
類型：實(shí)用新型
國(guó)別省市：
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