過壓保護電路制造技術

本實用新型專利技術公開了一種過壓保護電路。該電路包括電壓輸入端（VIN）和電壓輸出端（VOUT），在電壓輸入端（VIN）和電壓輸出端（VOUT）之間串接一第一電阻（R1），其特征在于，還包括與所述第一電阻（R1）并聯一調壓電路，所述調壓電路包括第一NPN雙極型三極管（N1）、第二NPN雙極型晶體管（N2）、第一PNP雙極型晶體管（P1）、第二PNP雙極型晶體管（P2）、第二電阻（R2）、第三電阻（R3）、第一雪崩二極管或第一齊納二極管（D1）、第二雪崩二極管或第二齊納二極管（D2）。本實用新型專利技術的有益效果是：電路結構簡單，所需器件和節點較少，減小成本和功耗，減少壞點風險。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及一種過壓保護電路。
技術介紹
便攜式電子產品所需要的電壓一般比較低，一般情況下為1.5V、2. 5V、3. 3V或5V電壓。在電路中，由于電路信號受到干擾、短路或供電電壓不穩定等因素，可能會造成電壓突然升高的情況，過高的電壓會影響電路的性能，還有燒壞電路的風險。過壓保護電路是解決過壓的問題的必要電路，現有技術的電路的結構比較復雜，所需器件和節點較多，器件多造成成本和功耗較高，節點較多造成壞點的風險大
技術實現思路
本技術的專利技術目的在于針對上述存在的問題，提供一種結構簡單、節點少的過壓保護電路。本技術采用的技術方案是這樣的一種過壓保護電路，包括電壓輸入端和電壓輸出端，在電壓輸入端和電壓輸出端之間串接一第一電阻，還包括與所述第一電阻并聯一調壓電路，所述調壓電路包括第一 NPN雙極型三極管、第二 NPN雙極型晶體管、第一 PNP雙極型晶體管、第二 PNP雙極型晶體管、第二電阻、第三電阻、第一雪崩二極管或第一齊納二極管、第二雪崩二極管或第二齊納二極管。所述第二電阻串接于第一 NPN雙極型晶體管的源極和基極之間；所述電壓輸入端連接至第一NPN雙極型晶體管的基極、第二PNP雙極型晶體管的集電極和第一雪崩二極管或第一齊納二極管的正極端；所述第一雪崩二極管或第一齊納二極管的負極端連接至第一 NPN雙極型晶體管的集電極和第二 PNP雙極型晶體管的基極；所述電壓輸出端連接至第一 NPN雙極型晶體管的源極和第一 PNP雙極型晶體管的源極；所述第三電阻串接與第二 NPN雙極型晶體管的基極和源極之間；第二雪崩二極管或第二齊納二極管的正極端連接至第一 PNP雙極型晶體管的集電極和第二 NPN雙極型晶體管的基極，負極端連接至第一 PNP雙極型晶體管的基極和第二 NPN雙極型晶體管的集電極；所述第二 NPN雙極型晶體管的源極和第二 PNP雙極型晶體管的源極均接地。綜上所述，由于采用了上述技術方案，本技術的有益效果是電路結構簡單，所需器件和節點較少，減小成本和功耗，以及減少壞點風險。附圖說明圖I是本技術過壓保護電路的電路原理圖。具體實施方式以下結合附圖，對本技術作詳細的說明。為了使本技術的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本技術進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本技術，并不用于限定本技術。如圖I所示，是本技術過壓保護電路的電路原理圖。本技術的一種過壓保護電路，包括電壓輸入端VIN和電壓輸出端V0UT，在電壓輸入端VIN和電壓輸出端VOUT之間串接一第一電阻R1，還包括與所述第一電阻Rl并聯一調壓電路，所述調壓電路包括第一 NPN雙極型三極管NI、第二 NPN雙極型晶體管N2、第一PNP雙極型晶體管P1、第二 PNP雙極型晶體管P2、第二電阻R2、第三電阻R3、第一雪崩二極管或第一齊納二極管D1、第二雪崩二極管或第二齊納 二極管D2。以下結合附圖I對本技術上述電子元器件間的連接關系做詳細的說明所述第二電阻R2串接于第一 NPN雙極型晶體管NI的源極和基極之間；所述電壓輸入端VIN連接至第一 NPN雙極型晶體管NI的基極、第二 PNP雙極型晶體管P2的集電極和第一雪崩二極管或第一齊納二極管Dl的正極端；所述第一雪崩二極管或第一齊納二極管Dl的負極端連接至第一 NPN雙極型晶體管NI的集電極和第二 PNP雙極型晶體管P2的基極；所述電壓輸出端VOUT連接至第一 NPN雙極型晶體管NI的源極和第一 PNP雙極型晶體管Pl的源極；所述第三電阻R3串接與第二 NPN雙極型晶體管N2的基極和源極之間；第二雪崩二極管或第二齊納二極管D2的正極端連接至第一 PNP雙極型晶體管Pl的集電極和第二 NPN雙極型晶體管N2的基極，負極端連接至第一 PNP雙極型晶體管Pl的基極和第二 NPN雙極型晶體管N2的集電極；所述第二 NPN雙極型晶體管N2的源極和第二 PNP雙極型晶體管P2的源極均接地。以上所述僅為本技術的較佳實施例而已，并不用以限制本技術，凡在本技術的精神和原則之內所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本技術的保護范圍之內。權利要求1.一種過壓保護電路，包括電壓輸入端(VIN)和電壓輸出端(VOUT)，在電壓輸入端(VIN)和電壓輸出端(VOUT)之間串接一第一電阻(Rl )，其特征在于，還包括與所述第一電阻(Rl)并聯一調壓電路，所述調壓電路包括第一 NPN雙極型三極管(NI )、第二 NPN雙極型晶體管(Ν2)、第一 PNP雙極型晶體管(Ρ1)、第二 PNP雙極型晶體管(Ρ2)、第二電阻(R2)、第三電阻(R3)、第一雪崩二極管或第一齊納二極管(D1)、第二雪崩二極管或第二齊納二極管(D2)； 所述第二電阻(R2)串接于第一 NPN雙極型晶體管(NI)的源極和基極之間；所述電壓輸入端(VIN)連接至第一 NPN雙極型晶體管(NI)的基極、第二 PNP雙極型晶體管(Ρ2)的集電極和第一雪崩二極管或第一齊納二極管(Dl)的正極端；所述第一雪崩二極管或第一齊納二極管(Dl)的負極端連接至第一 NPN雙極型晶體管(NI)的集電極和第二 PNP雙極型晶體管(Ρ2)的基極；所述電壓輸出端(VOUT)連接至第一 NPN雙極型晶體管(NI)的源極和第一 PNP雙極型晶體管(PI)的源極；所述第三電阻(R3 )串接與第二 NPN雙極型晶體管(Ν2 )的基極和源極之間；第二雪崩二極管或第二齊納二極管(D2)的正極端連接至第一 PNP雙極·型晶體管(Pl)的集電極和第二 NPN雙極型晶體管(Ν2)的基極，負極端連接至第一 PNP雙極型晶體管(Pl)的基極和第二 NPN雙極型晶體管(Ν2)的集電極；所述第二 NPN雙極型晶體管(Ν2)的源極和第二 PNP雙極型晶體管(Ρ2)的源極均接地。專利摘要本技術公開了一種過壓保護電路。該電路包括電壓輸入端(VIN)和電壓輸出端(VOUT)，在電壓輸入端(VIN)和電壓輸出端(VOUT)之間串接一第一電阻(R1)，其特征在于，還包括與所述第一電阻(R1)并聯一調壓電路，所述調壓電路包括第一NPN雙極型三極管(N1)、第二NPN雙極型晶體管(N2)、第一PNP雙極型晶體管(P1)、第二PNP雙極型晶體管(P2)、第二電阻(R2)、第三電阻(R3)、第一雪崩二極管或第一齊納二極管(D1)、第二雪崩二極管或第二齊納二極管(D2)。本技術的有益效果是電路結構簡單，所需器件和節點較少，減小成本和功耗，減少壞點風險。文檔編號H02H3/20GK202797879SQ20122047373公開日2013年3月13日 申請日期2012年9月18日 優先權日2012年9月18日專利技術者周曉東, 桑園, 余力 申請人:鄭州單點科技軟件有限公司本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種過壓保護電路，包括電壓輸入端（VIN）和電壓輸出端（VOUT），在電壓輸入端（VIN）和電壓輸出端（VOUT）之間串接一第一電阻（R1），其特征在于，還包括與所述第一電阻（R1）并聯一調壓電路，所述調壓電路包括第一NPN雙極型三極管（N1）、第二NPN雙極型晶體管（N2）、第一PNP雙極型晶體管（P1）、第二PNP雙極型晶體管（P2）、第二電阻（R2）、第三電阻（R3）、第一雪崩二極管或第一齊納二極管（D1）、第二雪崩二極管或第二齊納二極管（D2）；所述第二電阻（R2）串接于第一NPN雙極型晶體管（N1）的源極和基極之間；所述電壓輸入端（VIN）連接至第一NPN雙極型晶體管（N1）的基極、第二PNP雙極型晶體管（P2）的集電極和第一雪崩二極管或第一齊納二極管（D1）的正極端；所述第一雪崩二極管或第一齊納二極管（D1）的負極端連接至第一NPN雙極型晶體管（N1）的集電極和第二PNP雙極型晶體管（P2）的基極；所述電壓輸出端（VOUT）連接至第一NPN雙極型晶體管（N1）的源極和第一PNP雙極型晶體管（P1）的源極；所述第三電阻（R3）串接與第二NPN雙極型晶體管（N2）的基極和源極之間；第二雪崩二極管或第二齊納二極管（D2）的正極端連接至第一PNP雙極型晶體管（P1）的集電極和第二NPN雙極型晶體管（N2）的基極，負極端連接至第一PNP雙極型晶體管（P1）的基極和第二NPN雙極型晶體管（N2）的集電極；所述第二NPN雙極型晶體管（N2）的源極和第二PNP雙極型晶體管（P2）的源極均接地。...

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：周曉東，桑園，余力，
申請(專利權)人：鄭州單點科技軟件有限公司，
類型：實用新型
國別省市：