一種低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水及其制備方法技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)涉及殺菌消毒領(lǐng)域，特別涉及一種低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水及其制備方法。本發(fā)明專利技術(shù)的一種低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水的制備方法，包括以下步驟：（1）提供可以產(chǎn)生氫離子的A單元；（2）提供含有有效氯或者可以產(chǎn)生有效氯的B單元；（3）將所述A單元與所述B單元混合，得到酸性強(qiáng)氧化性溶液，所述酸性強(qiáng)氧化性溶液的pH值在2-7間，其氧化還原電位不低于700mV，其有效氯含量為3-3000mg/L，其氯離子含量不高于5500mg/L。與現(xiàn)有的通過(guò)酸性氧化電位水生成機(jī)生成的酸性氧化電位水相比，本發(fā)明專利技術(shù)的酸性氧化電位殺菌水可降低對(duì)金屬的腐蝕性，從而擴(kuò)大了應(yīng)用范圍。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術(shù)涉及殺菌消毒領(lǐng)域，特別涉及。
技術(shù)介紹
消毒領(lǐng)域中引入氧化還原電位的概念是源于日本20世紀(jì)80年代研制生產(chǎn)的酸性氧化電位水生成機(jī)及由生成機(jī)產(chǎn)生的酸性氧化電位水。酸性氧化電位水(簡(jiǎn)稱E0W)是指具有高氧化還原電位(ORP)、低pH值特性和低濃度有效氯(ACC)的水。 酸性氧化電位水殺菌的機(jī)理如下首先，由于自然界中大多數(shù)種類的微生物生活在pH 4-9的環(huán)境中，而酸性氧化電位水的pH值可影響微生物生物膜上的電荷以及養(yǎng)料的吸收、酶的活性，并改變環(huán)境中養(yǎng)料的可給性或有害物質(zhì)的毒性，從而達(dá)到殺滅微生物的目的。其次，由于氫離子、鉀離子、鈉離子等在微生物生物膜內(nèi)外的分布不同，使得膜內(nèi)、外電位達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡時(shí)有一定的電位差，一般約為-700 +900mV。需氧細(xì)菌的生物膜內(nèi)外的的電位差一般為+200 +800mV,而厭氧細(xì)菌的生物膜內(nèi)外的的電位差一般為-700 +200mV。酸性氧化電位水中的氧化、還原物質(zhì)和pH等因素，使其ORP高于IlOOmV,超出了微生物的生存范圍。具有高ORP (即0RP>1 IOOmV)的EOW接觸微生物后迅速奪取電子，干擾生物膜平衡，改變生物膜內(nèi)外電位差、膜內(nèi)外的滲透壓，導(dǎo)致生物膜通透性增強(qiáng)、細(xì)胞腫脹及細(xì)胞代謝酶的破壞，使胞內(nèi)物質(zhì)溢出、溶解，從而達(dá)到快速殺滅微生物的目的。最后，有效氯能使細(xì)胞的通透性發(fā)生改變，或使生物膜發(fā)生機(jī)械性破裂，促使細(xì)胞內(nèi)溶物向外滲出，致使細(xì)菌死亡。并且，次氯酸為中性小分子物質(zhì)，易侵入細(xì)胞內(nèi)與蛋白質(zhì)發(fā)生氧化作用或破壞其磷酸脫氫酶，使糖代謝失調(diào)致使細(xì)菌死亡，從而達(dá)到殺滅微生物的目的。EOW系統(tǒng)的殺菌能力是以ACC為主導(dǎo)，低pH值及高ORP為重要促進(jìn)的三者協(xié)同作用的結(jié)果。該系統(tǒng)協(xié)同效果遠(yuǎn)高于單一的ACC、低pH值及高ORP作用的簡(jiǎn)單加和，其ACC越高、PH值越低、ORP越高，系統(tǒng)綜合滅菌效果就越好。但是，現(xiàn)有的酸性氧化電位水生成機(jī)生成的酸性氧化電位水具有普遍的金屬腐蝕性。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)的第一目的在于提供一種低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水的制備方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中的酸性氧化電位水生成機(jī)生成的酸性氧化電位水具有普遍的金屬腐蝕性的技術(shù)性問(wèn)題。本專利技術(shù)的第二目的在于提供一種低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水，以解決現(xiàn)有技術(shù)中的酸性氧化電位水生成機(jī)生成的酸性氧化電位水具有普遍的金屬腐蝕性的技術(shù)性問(wèn)題。本專利技術(shù)目的通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)一種低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水的制備方法，包括以下步驟(I)提供可以產(chǎn)生氫離子的A單元；(2)提供含有有效氯或者可以產(chǎn)生有效氯的B單元；(3)將所述A單元與所述B單元混合，得到酸性強(qiáng)氧化性溶液，所述酸性強(qiáng)氧化性溶液的PH值在2-7間，其氧化還原電位不低于700mV，其有效氯含量為3_3000mg/L，其氯離子含量不高于5500mg/L。優(yōu)選地，在步驟(I)中還包括對(duì)所述A單元進(jìn)行預(yù)處理。優(yōu)選地，在步驟(2)中還包括對(duì)所述B單元進(jìn)行預(yù)處理。 優(yōu)選地，在步驟(3)中還包括對(duì)所述A單元與所述B單元混合后的混合液進(jìn)行后處理。優(yōu)選地，所述處理的方法可選自加入氯離子失活劑、膜分離法、電化學(xué)法、層析法、吸附法或離子交換法中的一種或者幾種，以去除部分氯離子。優(yōu)選地，所述A單元為酸性。優(yōu)選地，所述B單元含有液氯、二氧化氯、次氯酸鹽、次氯酸鹽的復(fù)鹽、亞氯酸鹽或有效氯前體物質(zhì)中的一種或幾種，所述有效氯前體物質(zhì)是指與酸或者水反應(yīng)可以生成有效氯的含氯物質(zhì)。優(yōu)選地,所述B單元為中性或者堿性。一種低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水，包括使用前獨(dú)立分裝的A單元和B單元，所述A單元為可以產(chǎn)生氫離子的制劑；所述B單元為含有有效氯或者可以產(chǎn)生有效氯的制劑，所述A單元與所述B單元混合后得到酸性強(qiáng)氧化性溶液，所述酸性強(qiáng)氧化性溶液的pH值在2-7間，其氧化還原電位不低于700mV，其有效氯含量為3_3000mg/L，其氯離子含量不高于5500mg/L。優(yōu)選地，所述B單元含有液氯、二氧化氯、次氯酸鹽、次氯酸鹽的復(fù)鹽、亞氯酸鹽或有效氯前體物質(zhì)中的一種或幾種，所述有效氯前體物質(zhì)是指與酸或者水反應(yīng)可以生成有效氯的含氯物質(zhì)。優(yōu)選地,所述B單元為中性或者堿性。一種低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水，所述殺菌水的pH值在2-7間，其氧化還原電位不低于700mV，其有效氯含量為3-3000mg/L，其氯離子含量不高于5500mg/L。優(yōu)選地，所述殺菌水中含有無(wú)機(jī)酸、有機(jī)酸、強(qiáng)酸弱堿鹽、強(qiáng)堿弱酸鹽、弱酸弱堿鹽或者強(qiáng)酸強(qiáng)堿鹽的一種或者幾種。優(yōu)選地，所述殺菌水中的有效氯由液氯、二氧化氯、次氯酸鹽、次氯酸鹽的復(fù)鹽、亞氯酸鹽或有效氯前體物質(zhì)的一種或幾種生成，所述有效氯前體物質(zhì)是指與酸或者水反應(yīng)可以生成有效氯的含氯物質(zhì)。與現(xiàn)有的通過(guò)酸性氧化電位水生成機(jī)生成的酸性氧化電位水相比，本專利技術(shù)有以下優(yōu)點(diǎn)I、本專利技術(shù)的酸性氧化電位殺菌水可降低對(duì)金屬的腐蝕性，從而擴(kuò)大了應(yīng)用范圍；2、在使用前，本專利技術(shù)的酸性氧化電位殺菌水的A單元和B單元單獨(dú)存放，當(dāng)要使用時(shí)，再將A單元和B單元混合，解決了酸性氧化電位殺菌水的儲(chǔ)藏問(wèn)題，使用非常方便；3、在制備本專利技術(shù)的酸性氧化電位殺菌水的過(guò)程中，增強(qiáng)了人為可調(diào)節(jié)性，可根據(jù)實(shí)際需求調(diào)節(jié)殺菌水的PH值、有效氯含量及氧化還原電位。附圖說(shuō)明圖I為酸性氧化電位水的pH值與對(duì)銅的腐蝕性的關(guān)系示意圖；圖2為酸性氧化電位水中有效氯含量與對(duì)銅的腐蝕性的關(guān)系示意圖；圖3為酸性氧化電位水中氯離子含量與對(duì)銅的腐蝕性的關(guān)系示意圖；圖4為酸性氧化電位水中不同含量的有效氯與氯離子對(duì)銅的腐蝕性的關(guān)系示意圖；圖5為酸性氧化電位水中不同pH與氯離子對(duì)銅的腐蝕性的關(guān)系示意圖； 圖6為酸性氧化電位水中不同的A、B單元的混合方式對(duì)銅的腐蝕性的關(guān)系示意圖。具體實(shí)施例方式以下對(duì)本專利技術(shù)進(jìn)行詳細(xì)描述。目前，電解法制備的酸性氧化電位水對(duì)金屬的腐蝕性已經(jīng)展開(kāi)了初步研究，已公布的結(jié)果顯示酸性氧化電位水具有普遍的金屬腐蝕性。但是對(duì)其腐蝕性的機(jī)理研究并沒(méi)有進(jìn)行，其腐蝕性通常被認(rèn)為是過(guò)酸酸性(PH2-3)引起的，甚至認(rèn)為近中性氧化電位水可以避免金屬腐蝕性。已公布的結(jié)果顯示酸性氧化電位水，對(duì)不銹鋼基本無(wú)腐蝕或者輕度腐蝕，對(duì)碳鋼、銅、鋁中度至嚴(yán)重腐蝕，其結(jié)論差異性很大。氫離子與活潑金屬(鐵、鎂、鋅等)的置換氫氣反應(yīng)是眾所周知的，但是值得注意的是銅與氫離子是不發(fā)生反應(yīng)的，而研究顯示酸性氧化電位水對(duì)銅的腐蝕性卻很?chē)?yán)重。其中，顯而易見(jiàn)的是氫離子會(huì)與銅中的某些活潑的金屬雜質(zhì)反應(yīng)，如鋅、錫等。但是因?yàn)檫@些雜質(zhì)是微量的，同時(shí)也是含量明確的，所以這些反應(yīng)理應(yīng)是有限的，并在一定時(shí)間后停止，也就是腐蝕停止，而事實(shí)證明腐蝕反應(yīng)是始終持續(xù)的，而且長(zhǎng)期接觸會(huì)呈加速過(guò)程腐蝕。由此可知，氫離子不是造成金屬腐蝕的唯一的原因，甚至也不是主要的原因。電解法制備的酸性氧化電位水中含有氫離子、氯離子、有效氯等化學(xué)粒子，因此當(dāng)氫離子不能產(chǎn)生上述效果的時(shí)候，那么氯離子與有效氯對(duì)上述銅的腐蝕的影響就至關(guān)重要。請(qǐng)參閱圖1，圖中顯示氫離子濃度的下降，使體系的腐蝕性有所下降。體系中單純的氫離子濃度變化不能對(duì)銅造成腐蝕，但是酸性的降低，會(huì)引起氧化還原電位的下降。因此，氯離子濃度相同時(shí)，體系酸性的降低，使體系的ORP降低，氧化性的變化造成了對(duì)銅腐蝕性的差異。請(qǐng)參閱圖2，圖中顯示有效氯含量的增加，增強(qiáng)了體系的腐蝕性。氯離子濃本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：（1）提供可以產(chǎn)生氫離子的A單元；（2）提供含有有效氯或者可以產(chǎn)生有效氯的B單元；（3）將所述A單元與所述B單元混合，得到酸性強(qiáng)氧化性溶液，所述酸性強(qiáng)氧化性溶液的pH值在2？7間，其氧化還原電位不低于700mV，其有效氯含量為3？3000mg/L，其氯離子含量不高于5500mg/L。

【技術(shù)特征摘要】
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【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：邵鵬飛，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：邵鵬飛，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：