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    一種低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水及其制備方法技術

    技術編號:8408672 閱讀:160 留言:0更新日期:2013-03-13 23:50
    本發明專利技術涉及殺菌消毒領域,特別涉及一種低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水及其制備方法。本發明專利技術的低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水的制備方法,包括以下步驟:(1)提供可以產生氫離子的A單元;(2)提供含有有效氯或者可以產生有效氯的B單元;(3)將所述A單元與所述B單元混合,得到酸性強氧化性溶液,所述酸性強氧化性溶液的pH值在2-7間,其氧化還原電位不低于700mV,其有效氯含量為3-3000mg/L,其三價鐵離子含量不高于1500mg/L。與現有的酸性氧化電位水相比,本發明專利技術的酸性氧化電位殺菌水可降低對金屬的腐蝕性,從而擴大了應用范圍。

    【技術實現步驟摘要】

    本專利技術涉及殺菌消毒領域,特別涉及。
    技術介紹
    消毒領域中引入氧化還原電位的概念是源于日本20世紀80年代研制生產的酸性氧化電位水生成機及由生成機產生的酸性氧化電位水。酸性氧化電位水(簡稱E0W)是指具有高氧化還原電位(ORP)、低pH值特性和低濃度有效氯(ACC)的水。 酸性氧化電位水殺菌的機理如下首先,由于自然界中大多數種類的微生物生活在pH 4-9的環境中,而酸性氧化電位水的pH值可影響微生物生物膜上的電荷以及養料的吸收、酶的活性,并改變環境中養料的可給性或有害物質的毒性,從而達到殺滅微生物的目的。其次,由于氫離子、鉀離子、鈉離子等在微生物生物膜內外的分布不同,使得膜內、外電位達到動態平衡時有一定的電位差,一般約為-700 +900mV。需氧細菌的生物膜內外的的電位差一般為+200 +800mV,而厭氧細菌的生物膜內外的的電位差一般為-700 +200mV。酸性氧化電位水中的氧化、還原物質和pH等因素,使其ORP高于IlOOmV,超出了微生物的生存范圍。具有高ORP (即0RP>1 IOOmV)的EOW接觸微生物后迅速奪取電子,干擾生物膜平衡,改變生物膜內外電位差、膜內外的滲透壓,導致生物膜通透性增強、細胞腫脹及細胞代謝酶的破壞,使胞內物質溢出、溶解,從而達到快速殺滅微生物的目的。最后,有效氯能使細胞的通透性發生改變,或使生物膜發生機械性破裂,促使細胞內溶物向外滲出,致使細菌死亡。并且,次氯酸為中性小分子物質,易侵入細胞內與蛋白質發生氧化作用或破壞其磷酸脫氫酶,使糖代謝失調致使細菌死亡,從而達到殺滅微生物的目的。EOW系統的殺菌能力是以ACC為主導,低pH值及高ORP為重要促進的三者協同作用的結果。該系統協同效果遠高于單一的ACC、低pH值及高ORP作用的簡單加和,其ACC越高、PH值越低、ORP越高,系統綜合滅菌效果就越好。但是,現有的酸性氧化電位殺菌水具有普遍的金屬腐蝕性。
    技術實現思路
    本專利技術的第一目的在于提供一種低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水的制備方法,以解決現有技術中的酸性氧化電位殺菌水具有普遍的金屬腐蝕性的技術性問題。本專利技術的第二目的在于提供一種低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水,以解決現有技術中的酸性氧化電位殺菌水具有普遍的金屬腐蝕性的技術性問題。本專利技術目的通過以下技術方案實現一種低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水的制備方法,包括以下步驟(I)提供可以產生氫離子的A單元;(2)提供含有有效氯或者可以產生有效氯的B單元;(3)將所述A單元與所述B單元混合,得到酸性強氧化性溶液,所述酸性強氧化性溶液的PH值在2-7間,其氧化還原電位不低于700mV,其有效氯含量為3_3000mg/L,其三價鐵離子含量不高于1500mg/L。優選地,在步驟(I)中還包括對所述A單元進行預處理。優選地,在步驟(2)中還包括對所述B單元進行預處理。優選地,在步驟(3)中還包括對所述A單元與所述B單元混合后的混合液進行后處理。優選地,所述處理的方法可選自加入三價鐵離子失活劑、膜分離法、電化學法、層 析法、吸附法或離子交換法中的一種或者幾種,以去除部分三價鐵離子。優選地,所述A單元為酸性。優選地,所述B單元含有液氯、二氧化氯、次氯酸鹽、次氯酸鹽的復鹽、亞氯酸鹽或有效氯前體物質中的一種或幾種,所述有效氯前體物質是指與酸或者水反應可以生成有效氯的含氯物質。優選地,所述B單元為中性或者堿性。一種低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水,包括使用前獨立分裝的A單元和B單元,所述A單元為可以產生氫離子的制劑;所述B單元為含有有效氯或者可以產生有效氯的制劑,所述A單元與所述B單元混合后得到酸性強氧化性溶液,所述酸性強氧化性溶液的pH值在2-7間,其氧化還原電位不低于700mV,其有效氯含量為3_3000mg/L,其三價鐵離子含量不高于 1500mg/L。優選地,所述B單元含有液氯、二氧化氯、次氯酸鹽、次氯酸鹽的復鹽、亞氯酸鹽或有效氯前體物質中的一種或幾種,所述有效氯前體物質是指與酸或者水反應可以生成有效氯的含氯物質。優選地,所述B單元為中性或者堿性。一種低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水,所述殺菌水的pH值在2-7間,其氧化還原電位不低于700mV,其有效氯含量為3-3000mg/L,其三價鐵離子含量不高于1500mg/L。優選地,所述殺菌水中含有無機酸、有機酸、強酸弱堿鹽、強堿弱酸鹽、弱酸弱堿鹽或者強酸強堿鹽的一種或者幾種。優選地,所述殺菌水中的有效氯由液氯、二氧化氯、次氯酸鹽、次氯酸鹽的復鹽、亞氯酸鹽或有效氯前體物質的一種或幾種生成,所述有效氯前體物質是指與酸或者水反應可以生成有效氯的含氯物質。與現有的酸性氧化電位殺菌水相比,本專利技術有以下優點I、本專利技術的酸性氧化電位殺菌水可降低對金屬的腐蝕性,從而擴大了應用范圍;2、在使用前,本專利技術的酸性氧化電位殺菌水的A單元和B單元單獨存放,當要使用時,再將A單元和B單元混合,解決了酸性氧化電位殺菌水的儲藏問題,使用非常方便;3、在制備本專利技術的酸性氧化電位殺菌水的過程中,增強了人為可調節性,可根據實際需求調節殺菌水的PH值、有效氯含量及氧化還原電位。附圖說明圖I為酸性環境中,三價鐵離子含量對碳鋼的腐蝕效果的示意圖;圖2為酸性氧化性環境,有效氯與三價鐵離子協同作用對碳鋼的腐蝕效果的示意圖;圖3為酸性氧化性環境,pH與三價鐵離子協同作用對碳鋼的腐蝕效果的示意圖;圖4為酸性氧化電位水中不同的A、B單元的混合方式對碳鋼的腐蝕效果的示意圖。具體實施例方式以下對本專利技術進行詳細描述。目前,酸性氧化電位殺菌水對金屬的腐蝕性已經展開了初步研究,已公布的結果 顯示酸性氧化電位水具有普遍的金屬腐蝕性。但是對其腐蝕性的機理的研究并沒有進行,其腐蝕性通常被認為是過酸酸性(PH2-3)引起的,甚至認為近中性氧化電位水可以避免金屬腐蝕性。已公布的結果顯示酸性氧化電位水,對不銹鋼基本無腐蝕或者輕度腐蝕,對碳鋼、銅、鋁中度至嚴重腐蝕,其結論差異性很大。酸性氧化電位水對金屬的腐蝕主要是三方面因素造成,一是體系的酸性,氫離子與活潑金屬(鐵、鎂、鋅等)的置換氫氣反應;二是體系的氧化性(有效氯);三是體系中其它離子的影響。但是酸性與氧化性是酸性氧化電位水的理化特質,也是殺菌性能的決定因素,因此,在一定意義上,殺菌性能與金屬的腐蝕性是共存的矛盾體。 與電解法相比,化學法制備酸性氧化電位溶液,通過計算即可控制溶液中的組分含量,其A、B單元的物質來源范圍更廣泛。但是也造成了溶液中引入的雜質的來源更為復雜。在本專利技術中重點討論三價鐵離子(Fe3+)在酸性氧化性環境中對鐵、銅及鋁的腐蝕性。化學法制備酸性氧化電位溶液,體系中Fe3+的引入主要有三種途徑,其一,酸堿調節劑中本身含有或者產生三價鐵離子,如氯化鐵或者硫酸鐵或者氫氧化鐵等;其二,所使用原料中夾帶含鐵雜質;其三,含有三價鐵離子的其他作用的組份,如增稠劑、穩定劑、強化劑坐寸o含鐵材質的設備與容器(如玻璃鋼、碳鋼及不銹鋼材質)在現實中的廣泛應用,使酸、堿、有效氯等原料在生產、運輸、儲存過程中不可避免的污染一定的三價鐵離子。如,工業上用氯氣在氫氣中燃燒生成氯化氫,所使用的鋼質燃燒管與高溫氯氣反應,生成三價鐵離子。如,工業生產高含量酸時,濃酸與含鐵設備的接觸。生產原料中夾帶的或者本身就是含鐵的原料,更是增本文檔來自技高網
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    【技術保護點】
    一種低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:(1)提供可以產生氫離子的A單元;(2)提供含有有效氯或者可以產生有效氯的B單元;(3)將所述A單元與所述B單元混合,得到酸性強氧化性溶液,所述酸性強氧化性溶液的pH值在2?7間,其氧化還原電位不低于700mV,其有效氯含量為3?3000mg/L,其三價鐵離子含量不高于1500mg/L。

    【技術特征摘要】
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    【專利技術屬性】
    技術研發人員:邵鵬飛
    申請(專利權)人:邵鵬飛
    類型:發明
    國別省市:

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