一種適用于通過(guò)鑄錠方法生產(chǎn)單晶硅錠的鑄錠爐技術(shù)

本實(shí)用新型專利技術(shù)公開(kāi)了一種適用于通過(guò)鑄錠方法生產(chǎn)單晶硅錠的鑄錠爐，包括爐體、所述爐體內(nèi)的硅熔融鍋，所述爐體上方設(shè)置旋轉(zhuǎn)絲桿伸入所述硅熔融鍋內(nèi)，所述旋轉(zhuǎn)絲桿底部安裝仔晶，所述旋轉(zhuǎn)絲桿上設(shè)置距離傳感裝置，傳感所述旋轉(zhuǎn)絲桿底部到所述硅熔融鍋內(nèi)熔融硅液面的距離。本實(shí)用新型專利技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)是在鑄錠爐內(nèi)生產(chǎn)出單晶硅錠和類單晶硅錠，僅需要一塊仔晶，無(wú)需在鑄錠爐底部鋪設(shè)仔晶，制得的產(chǎn)品主要為單晶硅錠，只有邊緣為類單晶硅錠，制作成電池片的轉(zhuǎn)換效率較高，綜合成本低于通過(guò)直拉法制作的單晶硅錠和通過(guò)鑄錠的方式生產(chǎn)的多晶硅錠。（*該技術(shù)在2022年保護(hù)過(guò)期，可自由使用*）

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本技術(shù)涉及一種鑄錠爐，特別是一種適用于通過(guò)鑄錠方法生產(chǎn)單晶硅錠的鑄錠爐。
技術(shù)介紹
在光伏行業(yè)，太陽(yáng)能電池片使用的硅材料有三種單晶硅片、多晶硅片、類單晶硅片。單晶硅片制成的電池片轉(zhuǎn)換效率最高，但是由于單晶硅片是由單晶硅錠通過(guò)切割后的產(chǎn)品，而單晶硅錠的制作需要通過(guò)直拉法，通過(guò)旋轉(zhuǎn)的仔晶，慢慢提升，從單晶爐中生長(zhǎng)出棒狀的單晶硅，成本較高。多晶硅片制成的電池片轉(zhuǎn)換效率最低，但是由于多晶硅是通過(guò)鑄錠爐中生產(chǎn)的，生產(chǎn)成本遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于單晶娃。類單晶硅片制作的電池片轉(zhuǎn)換效率與成本在以上二者之間，生產(chǎn)的方式是通過(guò)在鑄錠爐的底部鋪設(shè)一層單晶，即仔晶，通過(guò)熱場(chǎng)的控制，按照鑄錠的方式生產(chǎn)出類單晶硅片，需要消耗大量的仔晶。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
技術(shù)目的針對(duì)上述問(wèn)題，本技術(shù)的目的是提供一種適用于通過(guò)鑄錠方法生產(chǎn)單晶硅錠的鑄錠爐，在鑄錠爐中生產(chǎn)出單晶硅錠和類單晶硅錠，降低生產(chǎn)成本。技術(shù)方案一種適用于通過(guò)鑄錠方法生產(chǎn)單晶硅錠的鑄錠爐，包括爐體、所述爐體內(nèi)的硅熔融鍋，所述爐體上方設(shè)置旋轉(zhuǎn)絲桿伸入所述硅熔融鍋內(nèi)，所述旋轉(zhuǎn)絲桿底部安裝仔晶，所述旋轉(zhuǎn)絲桿上設(shè)置距離傳感裝置，傳感所述旋轉(zhuǎn)絲桿底部到所述硅熔融鍋內(nèi)熔融硅液面的距離。所述旋轉(zhuǎn)絲桿底端為伸縮結(jié)構(gòu)，當(dāng)硅熔融鍋內(nèi)熔融硅液面較淺時(shí)，打開(kāi)伸縮結(jié)構(gòu)以滿足旋轉(zhuǎn)絲桿底部與熔融硅接觸，繼續(xù)進(jìn)行單晶硅錠的生產(chǎn)。所述旋轉(zhuǎn)絲桿上端安裝氬氣引流罩與所述爐體相連。所述爐體內(nèi)在所述硅熔融鍋上方設(shè)置有可調(diào)溫加熱器。所述爐體壁面上設(shè)置有觀察窗。有益效果與現(xiàn)有技術(shù)相比，本技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)是在鑄錠爐內(nèi)生產(chǎn)出單晶硅錠和類單晶硅錠，僅需要一塊仔晶，無(wú)需在鑄錠爐底部鋪設(shè)仔晶，制得的產(chǎn)品主要為單晶硅錠，只有邊緣為類單晶硅錠，制作成電池片的轉(zhuǎn)換效率較高，綜合成本低于通過(guò)直拉法制作的單晶硅錠和通過(guò)鑄錠的方式生產(chǎn)的多晶硅錠。附圖說(shuō)明圖I為本技術(shù)結(jié)構(gòu)示意圖。具體實(shí)施方式以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例，進(jìn)一步闡明本技術(shù)，應(yīng)理解這些實(shí)施例僅用于說(shuō)明本技術(shù)而不用于限制本技術(shù)的范圍，在閱讀了本技術(shù)之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員對(duì)本技術(shù)的各種等價(jià)形式的修改均落于本申請(qǐng)所附權(quán)利要求所限定的范圍。如圖I所示，一種適用于通過(guò)鑄錠方法生產(chǎn)單晶硅錠的鑄錠爐，包括爐體I、硅熔融鍋2，硅熔融鍋2置于爐體I內(nèi)；還包括旋轉(zhuǎn)絲桿3、距離傳感裝置4、氬氣引流罩6、可調(diào)溫加熱器7，可調(diào)溫加熱器7設(shè)置于爐體I內(nèi)硅熔融鍋2上方，旋轉(zhuǎn)絲桿3設(shè)置于爐體I上方并伸入硅熔融鍋2內(nèi)，旋轉(zhuǎn)絲桿3底端為伸縮結(jié)構(gòu)5，伸縮結(jié)構(gòu)5為伸縮套筒，伸縮套筒打開(kāi)時(shí)可使旋轉(zhuǎn)絲桿3的長(zhǎng)度變長(zhǎng)，旋轉(zhuǎn)絲桿3底部安裝仔晶9，旋轉(zhuǎn)絲桿3上設(shè)置距離傳感裝置4，傳感旋轉(zhuǎn)絲桿3底部到硅熔融鍋2內(nèi)熔融硅10液面的距離，氬氣引流罩6安裝在旋 轉(zhuǎn)絲桿3上端并與爐體I相連，氬氣通過(guò)氬氣引流罩6進(jìn)入爐體I內(nèi)。爐體I壁面上設(shè)置有觀察窗8。使用本技術(shù)鑄錠爐生產(chǎn)時(shí)，通過(guò)距離傳感裝置4控制旋轉(zhuǎn)絲桿3伸入到硅熔融鍋2內(nèi)的位置，使旋轉(zhuǎn)絲桿3底部的仔晶9達(dá)到硅熔融鍋2內(nèi)熔融硅10液面上方；在生產(chǎn)過(guò)程的前期與中期，旋轉(zhuǎn)絲桿3保持旋轉(zhuǎn)，且旋轉(zhuǎn)絲桿3底部的仔晶9伸入到熔融硅10內(nèi)部，在生產(chǎn)的后期，旋轉(zhuǎn)絲桿3提升，旋轉(zhuǎn)絲桿3底部離開(kāi)熔融硅10液面，自然生成單晶硅錠。在生產(chǎn)過(guò)程中，通過(guò)距離傳感裝置計(jì)算熔融硅液面的高度，確保旋轉(zhuǎn)絲桿底部的仔晶保持設(shè)定位置，可調(diào)溫加熱器根據(jù)實(shí)際情況調(diào)節(jié)爐內(nèi)溫度。權(quán)利要求1.一種適用于通過(guò)鑄錠方法生產(chǎn)單晶硅錠的鑄錠爐，包括爐體(I)、所述爐體(I)內(nèi)的硅熔融鍋(2 )，其特征在于所述爐體(I)上方設(shè)置旋轉(zhuǎn)絲桿(3 )伸入所述硅熔融鍋(2 )內(nèi)，所述旋轉(zhuǎn)絲桿(3)底部安裝仔晶，所述旋轉(zhuǎn)絲桿(3)上設(shè)置距離傳感裝置(4)，傳感所述旋轉(zhuǎn)絲桿(3)底部到所述硅熔融鍋(2)內(nèi)熔融硅液面的距離。2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種適用于通過(guò)鑄錠方法生產(chǎn)單晶硅錠的鑄錠爐，其特征在于所述旋轉(zhuǎn)絲桿(3)底端為伸縮結(jié)構(gòu)(5)。3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種適用于通過(guò)鑄錠方法生產(chǎn)單晶硅錠的鑄錠爐，其特征在于所述旋轉(zhuǎn)絲桿(3)上端安裝氬氣引流罩(6)與所述爐體(I)相連。4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種適用于通過(guò)鑄錠方法生產(chǎn)單晶硅錠的鑄錠爐，其特征在于所述爐體(I)內(nèi)在所述硅熔融鍋(2)上方設(shè)置有可調(diào)溫加熱器(7)。5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種適用于通過(guò)鑄錠方法生產(chǎn)單晶硅錠的鑄錠爐，其特征在于所述爐體(I)壁面上設(shè)置有觀察窗(8)。專利摘要本技術(shù)公開(kāi)了一種適用于通過(guò)鑄錠方法生產(chǎn)單晶硅錠的鑄錠爐，包括爐體、所述爐體內(nèi)的硅熔融鍋，所述爐體上方設(shè)置旋轉(zhuǎn)絲桿伸入所述硅熔融鍋內(nèi)，所述旋轉(zhuǎn)絲桿底部安裝仔晶，所述旋轉(zhuǎn)絲桿上設(shè)置距離傳感裝置，傳感所述旋轉(zhuǎn)絲桿底部到所述硅熔融鍋內(nèi)熔融硅液面的距離。本技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)是在鑄錠爐內(nèi)生產(chǎn)出單晶硅錠和類單晶硅錠，僅需要一塊仔晶，無(wú)需在鑄錠爐底部鋪設(shè)仔晶，制得的產(chǎn)品主要為單晶硅錠，只有邊緣為類單晶硅錠，制作成電池片的轉(zhuǎn)換效率較高，綜合成本低于通過(guò)直拉法制作的單晶硅錠和通過(guò)鑄錠的方式生產(chǎn)的多晶硅錠。文檔編號(hào)C30B11/00GK202766652SQ20122028293公開(kāi)日2013年3月6日 申請(qǐng)日期2012年6月15日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月15日專利技術(shù)者甘大源, 陳文杰, 劉坤 申請(qǐng)人:甘大源本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種適用于通過(guò)鑄錠方法生產(chǎn)單晶硅錠的鑄錠爐，包括爐體（1）、所述爐體（1）內(nèi)的硅熔融鍋（2），其特征在于：所述爐體（1）上方設(shè)置旋轉(zhuǎn)絲桿（3）伸入所述硅熔融鍋（2）內(nèi)，所述旋轉(zhuǎn)絲桿（3）底部安裝仔晶，所述旋轉(zhuǎn)絲桿（3）上設(shè)置距離傳感裝置（4），傳感所述旋轉(zhuǎn)絲桿（3）底部到所述硅熔融鍋（2）內(nèi)熔融硅液面的距離。

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：甘大源，陳文杰，劉坤，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：甘大源，
類型：實(shí)用新型
國(guó)別省市：