【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本技術(shù)涉及一種帶上延套的多晶坩堝，屬于多晶硅生產(chǎn)制造設(shè)備
技術(shù)介紹
多晶硅是一種重要的電子、光學(xué)材料，在信息、通訊、航天、環(huán)境保護(hù)等廣闊的領(lǐng)域發(fā)揮著重要的作用，市場需求越來越大。近年來，由于鑄造多晶硅較直拉單晶硅具有低成本、低能耗等優(yōu)勢，逐漸成為主要的光伏材料，其市場份額也日益增大。傳統(tǒng)的多晶硅鑄錠爐中熱場的投爐量為520kg，其使用的是坩堝尺寸為880*880*420 (或480)，若想要將投爐量增加到600kg，則必須使用880*800*600規(guī)格的坩堝，然而這樣便提高了生產(chǎn)成本，降低了經(jīng)濟(jì)效益。
技術(shù)實現(xiàn)思路
·本技術(shù)的目的在于克服上述不足，提供一種增加了投爐量，并能減少生產(chǎn)成本，提高經(jīng)濟(jì)效益的帶上延套的多晶坩堝。本技術(shù)的目的是這樣實現(xiàn)的本技術(shù)帶上延套的多晶坩堝，包括坩堝本體，所述坩堝本體的側(cè)壁的頂部套有一圈上延套。所述上延套的高度為60mnTl20mm。本技術(shù)帶上延套的多晶坩堝具有以下優(yōu)點本技術(shù)帶上延套的多晶坩堝在坩堝的側(cè)壁的頂部增加了一圈上延套，可以增加坩堝的長度，從而使投爐量增加了 80kg，由520kg增加到600kg，隨后通過優(yōu)化工藝配方，調(diào)整長晶速度，在保證硅錠質(zhì)量的前提下有效縮短工藝周期，這樣減少生產(chǎn)成本，提高了經(jīng)濟(jì)效益。附圖說明圖I為本技術(shù)帶上延套的多晶坩堝的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本技術(shù)帶上延套的多晶坩堝的立體圖。圖中坩堝本體I、上延套2。具體實施方式參見圖I和圖2，本技術(shù)涉及一種帶上延套的多晶坩堝，包括坩堝本體1，所述坩堝本體I的側(cè)壁的頂部套有一圈上延套2，所述上延套2的高度為60mnTl20mm，以達(dá)到增加生產(chǎn)產(chǎn)能及降低生產(chǎn)成...
【技術(shù)保護(hù)點】
一種帶上延套的多晶坩堝，其特征在于：它包括坩堝本體（1），所述坩堝本體（1）的側(cè)壁的頂部套有一圈上延套（2）。
【技術(shù)特征摘要】
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：張立明，胡元慶，朱松濤，胡敏，
申請(專利權(quán))人：海潤光伏科技股份有限公司，
類型：實用新型
國別省市：
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