粘接片制造技術(shù)

半導(dǎo)體裝置制造用粘接片1，具備：基材薄膜10、配置于基材薄膜10上的粘接層20、配置于粘接層20上并且具有露出粘接層20的開(kāi)口30a的粘接層30和配置于粘接層20中從開(kāi)口30a露出的部分25上的芯片接合薄膜40，芯片接合薄膜40的外周的至少一部分與粘接層30相接。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【國(guó)外來(lái)華專利技術(shù)】
本專利技術(shù)關(guān)于粘接片。
技術(shù)介紹
半導(dǎo)體裝置的制造工序中，有一道是將經(jīng)過(guò)所需前處理而形成回路的半導(dǎo)體晶圓切割分離為多個(gè)芯片的切割(dicing)工序。該工序中，在被稱為環(huán)形框架的圓環(huán)狀或矩形環(huán)狀的框架上粘貼固定晶圓用的切割片，在該切割片上粘貼半導(dǎo)體晶圓后，將半導(dǎo)體晶圓以回路為單位進(jìn)行切割，得到半導(dǎo)體芯片。接著，通過(guò)焊接機(jī)進(jìn)行擴(kuò)片工序、芯片安裝工序，再進(jìn)行焊線工序、壓模工序，制造出半導(dǎo)體裝置。近年來(lái)，有人提出，在半導(dǎo)體裝置制造時(shí)，使用切割片以及芯片粘接薄膜(DieAttachFilm) 一體化的芯片粘接薄膜一體型片的方法。芯片粘接薄膜一體型片是兼具 切割片功能和將芯片固定在引線框架或配線基板等的粘接劑功能的多層切割片，較之于以往的方法，具有可縮短加工工序等優(yōu)點(diǎn)。但是，隨著近年來(lái)半導(dǎo)體元件的高集成化·大芯片化、薄型化，切割后的芯片的拾取作業(yè)變得困難的情況增加。用于這些用途的切割片，要求對(duì)于切割后的半導(dǎo)體芯片(例如Si芯片)-芯片接合薄膜(Die bonding Film)層積品為微粘接。但是,令切割片微粘接化的話，對(duì)于環(huán)形框架的粘結(jié)性也較弱，有時(shí)會(huì)出現(xiàn)切割工序中切割片與環(huán)形框架剝離的情況。因此，必須要有具有更高切割性能的膠帶，開(kāi)發(fā)出了在切割工序中能夠以高粘附力保持晶圓(芯片)、在拾取工序中可通過(guò)紫外線照射等降低粘附力、方便地拾取芯片的切割片(例如，參照下述專利文獻(xiàn)1、2)。專利文獻(xiàn)I日本專利特開(kāi)昭60-196956號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2日本專利特開(kāi)昭61-28572號(hào)公報(bào)
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
但是，專利文獻(xiàn)I的紫外線固化型切割片中，通過(guò)僅對(duì)期望部分照射紫外線而降低該部分的粘附力，但有時(shí)難以僅對(duì)期望部分高精度地照射紫外線。因此，有時(shí)難以得到在切割工序中有效保持晶圓和環(huán)形框架的保持力與切割后方便地剝離芯片的易易剝離性兩者平衡兼?zhèn)涞恼辰訉印４送?，專利文獻(xiàn)2中，由于芯片接合薄膜僅層積在粘結(jié)性低的粘接層上，因此存在切割工序中芯片接合薄膜的外周部分從粘接層剝離、粘貼在芯片接合薄膜上的芯片飛散的問(wèn)題。本專利技術(shù)鑒于上述問(wèn)題，目的是提供可在維持拾取工序中的芯片接合薄膜以及切割片間的易剝離性的同時(shí)，可抑制切割工序中的環(huán)形框架剝離以及芯片飛散的粘接片。即，本專利技術(shù)提供一種粘接片，具備基材、配置于基材上的第I粘接層、配置于第I粘接層上并且具有露出第I粘接層的開(kāi)口的第2粘接層、配置于第I粘接層中從上述開(kāi)口露出部分的芯片接合薄膜，芯片接合薄膜的外周的至少一部分與第2粘接層相接。本專利技術(shù)的粘接片中，該片除了第I粘接層還具備第2粘接層，因而可以個(gè)別調(diào)整第I粘接層的粘附力與第2粘接層的粘附力。因此，可以為了方便拾取工序中芯片接合薄膜以及切割片間的剝離而調(diào)整第I粘接層的粘附力的同時(shí)，為了切割工序中不令環(huán)形框架與第2粘接層剝離而調(diào)整第2粘接層的粘附力。另外，本專利技術(shù)的粘接片中，通過(guò)芯片接合薄膜的外周的至少一部分與第2粘接層相接，可以令粘附力經(jīng)過(guò)調(diào)整的第2粘接層與芯片接合薄膜的外周粘接。因此，可以抑制切割工序中芯片接合薄膜的外周部分成為剝離起點(diǎn)、芯片接合薄膜剝離，因此可以抑制芯片飛散。優(yōu)選芯片接合薄膜的外周的至少一部分與第2粘接層重疊。此時(shí)，可以進(jìn)一步抑 制切割工序中芯片接合薄膜的外周部分成為剝離起點(diǎn)、芯片接合薄膜剝離，因此可以進(jìn)一步抑制芯片飛散。此外，根據(jù)此種結(jié)構(gòu)，將粘接片卷成卷狀時(shí)，通過(guò)芯片接合薄膜與第2粘接層的重疊部分可以保護(hù)芯片接合薄膜的中央部分，可以抑制卷痕轉(zhuǎn)印至芯片接合薄膜。此外，也優(yōu)選第2粘接層的內(nèi)周的至少一部分與芯片接合薄膜重疊。此種結(jié)構(gòu)中，將粘接片卷成卷狀時(shí)，也可通過(guò)芯片接合薄膜與第2粘接層的重疊部分保護(hù)芯片接合薄膜的中央部分，可以抑制卷痕轉(zhuǎn)印至芯片接合薄膜。芯片接合薄膜與第2粘接層的重疊部分的寬度優(yōu)選為O. f 25mm。本專利技術(shù)的粘接片用于切割加工以及芯片接合加工。根據(jù)本專利技術(shù)，可提供在拾取工序中維持芯片接合薄膜及切割片間的易剝離性的同時(shí)，可抑制切割工序中的環(huán)形框架剝離以及芯片飛散的粘接片。本專利技術(shù)中，由于可以方便地拾取單片化的帶芯片接合薄膜的半導(dǎo)體芯片，可以提高半導(dǎo)體裝置的成品率。附圖說(shuō)明圖I顯示粘接片的一種實(shí)施方式的平面圖。圖2沿圖I的II-II線的截面示意圖。圖3顯示粘接片上粘貼了半導(dǎo)體晶圓以及環(huán)形框架的層積物的截面示意圖。圖4顯不用切割刀具切割半導(dǎo)體晶圓的工序的截面不意圖。圖5顯示拾取單片化的帶芯片接合薄膜的半導(dǎo)體芯片的工序的截面示意圖。圖6顯示使用了拾取的帶芯片接合薄膜的半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體裝置的截面示意圖。圖7(a)為顯示以往的粘接片的一例的平面圖，(b)為(a)的X-X線截面圖。圖8顯示圖7所示的粘接片的卷軸體的側(cè)視圖。圖9(a)為顯示圖7所示的粘接片中的卷痕樣子的平面圖，(b)為(a)的Y-Y線截面圖。圖10(a)為顯示以往的粘接片的其他例子的平面圖，(b)為(a)的Z-Z線截面圖。圖11顯不粘接片的變形例的截面不意圖。符號(hào)說(shuō)明1，2…半導(dǎo)體裝置制造用粘接片、10···基材薄膜、20···粘接層(第I粘接層)、25…從開(kāi)口露出的部分、30···粘接層(第2粘接層)、30a···開(kāi)口、40，45…芯片接合薄膜、50···環(huán)形框架、60···半導(dǎo)體晶圓、100…半導(dǎo)體裝置。具體實(shí)施例方式以下根據(jù)需要參照附圖詳細(xì)說(shuō)明本專利技術(shù)的適宜的實(shí)施方式。圖中，相同或同等的構(gòu)成要素賦予相同符號(hào)，適當(dāng)省略重復(fù)說(shuō)明。圖I為顯示粘接片的一種實(shí)施方式的平面圖，圖2為沿圖I的II-II線的截面示意圖。圖3為顯示粘接片上粘貼了半導(dǎo)體晶圓及環(huán)形框架的層積物的截面示意圖。圖1、2所示的半導(dǎo)體裝置制造用粘接片(芯片粘接薄膜一體型片)1，具備長(zhǎng)的基材薄膜10、長(zhǎng)的粘接層(第I粘接層)20、粘接層(第2粘接層)30、芯片接合薄膜40。半導(dǎo)體裝置制造用粘接片I上，如圖3所示，配置有環(huán)形框架(切割環(huán))50、半導(dǎo)體晶圓60。作為基材薄膜10，可使用例如聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚氯乙烯薄膜、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯薄膜、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物薄膜、離子聚合物樹(shù)脂薄膜等?；谋∧?0的厚度優(yōu)選例如15 200 μ m左右。 粘接層20配置為覆蓋基材薄膜10的整個(gè)一側(cè)主面。粘接層20的厚度優(yōu)選例如5 50μπι左右。作為構(gòu)成粘接層20的粘接劑，可使用例如丙烯系粘接劑、橡膠系粘接劑、硅酮系粘接劑等。粘接層20是拾取工序中可從芯片接合薄膜40方便地剝離的弱粘結(jié)性的壓敏粘接劑層。粘接層20與芯片接合薄膜40的粘附力優(yōu)選O. 6N/25mm以下，更優(yōu)選O. 4N/25mm以下，進(jìn)一步優(yōu)選O. 3N/25mm以下。粘接層20具有此種粘附力的話，拾取工序中粘接層20及芯片接合薄膜40間可方便地剝離。粘接層20的粘附力可使用例如Orientec (才U 二 >〒'”、制造的“Tensilon ( f 口 >)拉伸強(qiáng)度試驗(yàn)機(jī)RTA-100型”或與此類似的試驗(yàn)機(jī)，以在垂直方向(90°剝離)以200mm/min的速度剝離時(shí)的剝離力測(cè)定。粘接層30沿基材薄膜10的長(zhǎng)度方向每隔一定間隔配置于粘接層20上，配置有多個(gè)。粘接層30配置于粘接層20中計(jì)劃粘貼環(huán)形框架50的區(qū)域。各粘接層30例如呈圓環(huán)狀，各粘接層30的中央部上，設(shè)置有貫穿粘接層30的表面至背面的截面為圓形的開(kāi)口 30a。粘接層20中的從開(kāi)本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

【技術(shù)特征摘要】
【國(guó)外來(lái)華專利技術(shù)】...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：中村祐樹(shù)，宮原正信，片山陽(yáng)二，玉置剛士，畠山惠一，池谷卓二，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：日立化成工業(yè)株式會(huì)社，
類型：
國(guó)別省市：