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    PCB的蝕刻方法和PCB在制板技術(shù)

    技術(shù)編號(hào):8389632 閱讀:263 留言:0更新日期:2013-03-07 22:11
    本發(fā)明專利技術(shù)提供了一種PCB的蝕刻方法和PCB在制板,方法包括:在PCB的金層上覆蓋抗蝕刻的干膜后進(jìn)行蝕刻。本發(fā)明專利技術(shù)還提供了一種PCB在制板,所述PCB在制板表面的金屬層上覆蓋金層,所述金層上覆蓋干膜。由于在金層上覆蓋干膜后蝕刻,干膜可防止蝕刻藥水從金層表面滲入到金層下的鎳層上,避免鎳層被蝕刻藥水腐蝕。后續(xù)在金層表面焊接電子器件時(shí),由于鎳層沒有被蝕刻藥水腐蝕,可與電子器件緊密焊接在一起,焊接上的電子器件性能不會(huì)受到焊接的影響。

    【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

    本專利技術(shù)涉及PCB制造
    ,具體而言,涉及一種PCB的蝕刻方法和PCB在制板
    技術(shù)介紹
    在相關(guān)技術(shù)的PCB制造過程中,需要在PCB的圖形表面鍍閃金層。閃金層通常是指厚度在0.05~0.08μm的金層,可使PCB上的線路,或PCB上連接的器件之間具有較好的電連通性。鍍閃金層的工藝通常包括在PCB的金屬層上鍍鎳層,在鎳層上鍍閃金層。由于閃金層較薄,后續(xù)在閃金層上焊接電子器件時(shí),閃金層在高溫下熔化,使得電子器件與閃金層下的鎳層焊接在一起。PCB上的線路圖形的制作過程通常包括:在金屬層上覆蓋干膜,將圖形轉(zhuǎn)移到干膜上,在干膜的圖形上鍍上閃金層,去除閃金層周圍的干膜以曝露金屬層,以所述閃金層作為抗蝕刻層進(jìn)行蝕刻,蝕刻掉閃金層周圍的金屬層,從而使金屬層形成線路圖形。專利技術(shù)人發(fā)現(xiàn),由于電鍍金沉積速度較快,金層晶格較大,所以在蝕刻閃金層周圍金屬的過程中,蝕刻藥水容易從閃金層表面滲入到下一層的鎳層上,存在腐蝕鎳層的問題。受到腐蝕的鎳層,在后續(xù)焊接電子器件過程中,存在焊接不緊密的現(xiàn)象,導(dǎo)致焊接的電子器件性能受到影響。
    技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
    本專利技術(shù)旨在提供一種PCB的蝕刻方法和PCB在制板,以解決蝕刻藥水會(huì)從閃金層表面滲入到下一層的鎳層上,從而腐蝕鎳層,影響焊接的問題。在本專利技術(shù)的實(shí)施例中,提供一種PCB的蝕刻方法,所述方法包括:在所述PCB在制板的金層上覆蓋抗蝕刻的干膜;對(duì)所述PCB在制板進(jìn)行蝕刻。進(jìn)一步地,在所述蝕刻之前還包括對(duì)所述干膜至少執(zhí)行一次空壓膜工藝。進(jìn)一步地,在覆蓋所述干膜之后進(jìn)一步包括:采用7~8級(jí)的曝光尺強(qiáng)度對(duì)所述干膜曝光。進(jìn)一步地,在所述覆蓋之前,水洗并風(fēng)干所述PCB在制板。進(jìn)一步地,所述金層的厚度為0.05~0.08μm。進(jìn)一步地,在所述PCB在制板的金層上覆蓋抗蝕刻的干膜之前進(jìn)一步包括:將線路的圖形轉(zhuǎn)移到所述PCB在制板的銅箔表面,按照所述轉(zhuǎn)移的圖形,在所述銅箔表面上形成鎳層,在所述鎳層上形成所述金層。進(jìn)一步地,所述覆蓋的干膜窄于所述金層,并距所述金層的圖形的外緣相差1mil~1.5mil。在本專利技術(shù)的實(shí)施例中,提供一種PCB在制板,所述PCB在制板表面的金屬層上覆蓋金層,所述金層上覆蓋干膜。進(jìn)一步地,所述干膜窄于金層,并距所述金層的圖形外緣相差1mil~1.5mil。進(jìn)一步地,所述金屬層包括所述PCB在制板的銅箔層、以及所述銅箔層上的鎳層;所述金層覆蓋的區(qū)域包括在所述銅箔層上轉(zhuǎn)移的線路圖形的區(qū)域。由于在金層上覆蓋干膜后蝕刻,干膜可防止蝕刻藥水從金層表面滲入到金層下的鎳層上,避免鎳層被蝕刻藥水腐蝕。后續(xù)在金層表面焊接電子器件時(shí),由于鎳層沒有被蝕刻藥水腐蝕,可與電子器件緊密焊接在一起,焊接上的電子器件性能不會(huì)受到焊接的影響。附圖說明此處所說明的附圖用來提供對(duì)本專利技術(shù)的進(jìn)一步理解,構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分,本專利技術(shù)的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本專利技術(shù),并不構(gòu)成對(duì)本專利技術(shù)的不當(dāng)限定。在附圖中:圖1示出了本專利技術(shù)實(shí)施例中鍍有金層的PCB的局部示意圖;圖2示出了本專利技術(shù)實(shí)施例中PCB制作的流程圖;圖3示出了本專利技術(shù)實(shí)施例中在金層上覆蓋干膜的PCB局部示意圖;圖4示出了本專利技術(shù)實(shí)施例中蝕刻PCB后的局部示意圖。具體實(shí)施方式下面將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例,來詳細(xì)說明本專利技術(shù)。本專利技術(shù)的實(shí)施例包括:步驟1:在PCB在制板的金層上覆蓋抗蝕刻的干膜;步驟2:對(duì)PCB在制板進(jìn)行蝕刻。由于在金層上覆蓋干膜后蝕刻,干膜可防止蝕刻藥水從金層表面滲入到金層下的鎳層上,避免鎳層被蝕刻藥水腐蝕。后續(xù)在金層表面焊接電子器件時(shí),由于鎳層沒有被蝕刻藥水腐蝕,可與電子器件緊密焊接在一起,焊接上的電子器件性能不會(huì)受到焊接的影響。優(yōu)選地,參見圖1,實(shí)施例包括:S21:清洗鍍金的PCB;參見圖2中鍍金后的PCB的局部示意圖。在PCB上具有銅箔層11,在銅箔層11上覆蓋有金層12。采用純水清洗PCB,在清洗后,風(fēng)干PCB。在清洗過程中,如果生產(chǎn)線上具有火山灰磨刷,應(yīng)將其關(guān)閉,避免磨損金面。如果生產(chǎn)線上具有酸洗、微蝕段,應(yīng)當(dāng)關(guān)閉,避免腐蝕金面。優(yōu)選地,在所述PCB在制板的金層上覆蓋抗蝕刻的干膜之前進(jìn)一步包括:將線路的圖形轉(zhuǎn)移到所述PCB在制板的銅箔層11表面,按照所述轉(zhuǎn)移的圖形,在所述銅箔層11表面上形成鎳層,在鎳層上形成所述金層12。S22:在PCB的金層表面上覆蓋干膜;參見圖3,在PCB的金層表面上貼干膜13。優(yōu)選地,在貼覆干膜13后,對(duì)所述干膜13至少執(zhí)行一次空壓膜工藝,可增加干膜在金層表面的附著強(qiáng)度。優(yōu)選地,在覆蓋所述干膜之后進(jìn)一步包括:按照PCB上金層12的圖形對(duì)貼覆的干膜13曝光,將曝光設(shè)備的曝光尺設(shè)置在7~8級(jí),對(duì)所述干膜13曝光。曝光級(jí)別在7~8級(jí)時(shí),可增加干膜13在金層上附著強(qiáng)度。優(yōu)選地,在干膜13上曝光圖形,在干膜13上轉(zhuǎn)移的圖形略小于預(yù)先設(shè)計(jì)的金層形成的圖形,并距所述金層表面的最外緣相差1mil~1.5mil,1mil(密耳)等于千分之一英寸。預(yù)留的金層邊緣,可避免由于曝光的偏移,干膜13覆蓋住需要被蝕刻掉的銅箔,導(dǎo)致部分銅箔沒有被蝕刻掉,降低PCB的圖形質(zhì)量。S23:對(duì)干膜執(zhí)行顯影工藝,并蝕刻PCB。對(duì)PCB上的干膜執(zhí)行顯影工藝。顯影后,洗掉銅箔11上金層12周圍的干膜。堿性蝕刻PCB,參見圖4,將金層12周圍非線路的銅箔蝕刻掉,露出介質(zhì)層10。S24:清除PCB上的干膜。在蝕刻圖形結(jié)束后,清除PCB的金層12上的干膜13。由于在金層上覆蓋干膜后蝕刻,干膜可防止蝕刻藥水從金層表面滲入到金層下的鎳層上,特別是對(duì)于金層的厚度為0.05~0.08μm的閃金層,可有效避免鎳層被蝕刻藥水腐蝕。后續(xù)在金層表面焊接電子器件時(shí),由于鎳層沒有被蝕刻藥水腐蝕,可與電子器件緊密焊接在一起,焊接上的電子器件性能不會(huì)受到焊接的影響。本專利技術(shù)的實(shí)施例還提供一種PCB在制板,包括:覆蓋在PCB的金屬層上的金層,所述金層上覆蓋有干膜。優(yōu)選地,覆蓋的干膜經(jīng)過空壓、曝光工藝在所述金層上形成,金屬層包括PCB在制板的銅箔層以及銅箔層上的鎳層,金層通過鎳層覆蓋在PCB在制板的銅箔層上。優(yōu)選地,干膜的外緣距金層顯現(xiàn)出的線路圖形的外緣1mil~1.5mil,即預(yù)留出1mil~1.5mil的金層邊緣未被干膜所覆蓋,這樣可避免由于曝光的偏移本文檔來自技高網(wǎng)...

    【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
    一種PCB的蝕刻方法,其特征在于,所述方法包括:在所述PCB在制板的金層上覆蓋抗蝕刻的干膜;對(duì)所述PCB在制板進(jìn)行蝕刻。

    【技術(shù)特征摘要】
    1.一種PCB的蝕刻方法,其特征在于,所述方法包括:
    在所述PCB在制板的金層上覆蓋抗蝕刻的干膜;
    對(duì)所述PCB在制板進(jìn)行蝕刻。
    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,在所述蝕刻之前還
    包括對(duì)所述干膜至少執(zhí)行一次空壓膜工藝。
    3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,在覆蓋所述干膜之
    后,對(duì)所述PCB在制板進(jìn)行蝕刻之前,進(jìn)一步包括:
    采用7~8級(jí)的曝光尺強(qiáng)度對(duì)所述干膜曝光。
    4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,在覆蓋所述干膜之
    前,水洗并風(fēng)干所述PCB在制板。
    5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述金層的厚度為
    0.05~0.08μm。
    6.根據(jù)權(quán)利要求1~5任一項(xiàng)所述的方法,其特征在于,在所述
    PCB在制板的金層上覆蓋抗蝕刻的干膜之前進(jìn)一步包括:
    將線...

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:陳文德鄭朝屹奉小飛
    申請(qǐng)(專利權(quán))人:北大方正集團(tuán)有限公司珠海方正科技高密電子有限公司
    類型:發(fā)明
    國別省市:

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