磁傳感器的檢查裝置和檢查方法制造方法及圖紙

本發明專利技術涉及磁傳感器的檢查裝置和檢查方法。磁傳感器檢查裝置具有矩形框，該矩形框包括平臺、探測器卡和多個磁場產生線圈。磁傳感器的晶片狀陣列被安裝在平臺上，平臺能夠在水平方向和豎直方向上移動。探測器卡包括多個探測器，多個探測器與在測量區域中包圍的多個磁傳感器接觸。驅動磁場產生線圈來朝向平臺產生磁場。多個磁場環境測量傳感器被布置在圍繞探測器的探測器卡的外圍部分中。磁場控制器基于磁場環境測量傳感器的測量結果來控制由磁場產生線圈產生的磁場。從而，能夠使用探測器卡同時檢查磁傳感器的晶片狀陣列。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及檢查裝置和檢查方法，它們用在磁傳感器的檢查例程中，特別是用于在預定環境條件下經由磁屬性測試對磁傳感器的晶片狀陣列就它們的磁屬性和靈敏度進行檢查的例程中。本申請要求日本專利申請No. 2011-175337的優先權，其內容通過引用被包含在此。
技術介紹
根據常規已知的磁傳感器的磁屬性的檢查例程，磁傳感器每ー個被置于使用諸如亥姆霍茲線圈的磁場產生線圈產生的磁場中，并且隨后進行測試以測量它們的輸出信號。 檢查在其封裝中包圍的每個單個磁傳感器需要麻煩的處理，并且可能在通過檢查被確定為有缺陷的磁傳感器的裝配成本上遭受資金損失。因為這個原因，有效的方式是集體檢查磁傳感器的晶片狀陣列。已經在諸如PLT I和PLT 2的各種文件中開發和公開了用于檢查磁傳感器的晶片狀陣列的各種技木。PLT I公開了磁傳感器芯片的檢查方法。在此，將測試探測器與磁傳感器芯片接觸，然后，在檢查的準備階段，將磁場產生器移動靠近磁傳感器芯片。具體地說，線圈探測器的遠端接近磁傳感器，以便向磁傳感器施加磁場，從而使用測試探測器來測量磁傳感器的輸出信號。線圈探測器的遠端能夠產生具有單向性的磁場。為了檢查暴露于具有多方向的外部磁場的磁傳感器的輸出信號，需要旋轉線圈探測器和磁傳感器之間的相對定位。PLT 2公開了ー種通過使用與磁傳感器接觸的探測器卡的磁傳感器的檢查方法。具體地說，將包括多個線圈的探測器卡與制造磁傳感器的晶片接觸；向探測器卡的線圈供應電流，以便向磁傳感器施加磁場，從而使用探測器卡來檢測磁傳感器的輸出信號。該技術能夠通過改變供應給在探測器卡中包括的多個線圈的電流，來改變施加給磁傳感器的磁場的幅度和/或方向。PLT 3公開了一種弱磁場產生器和磁傳感器的檢查方法,該磁傳感器的檢查方法不必涉及磁傳感器的檢查。在此，向地磁承載傳感器施加外部磁場，該地磁承載傳感器在單個平面上其間具有直角的兩個方向上具有靈敏度，然后，向地磁承載傳感器供應電信號，從而分析地磁傳感器的輸出信號。具體地說，該檢查方法利用配備有用于布置磁傳感器的插座、磁場產生線圈和磁場傳感器的基板臺，其中，磁場傳感器的檢測結果被反饋到磁場產生線圈。如上所述，一種有效的方式是集體檢查多個磁傳感器，而不是毎次單個磁傳感器。在該情況下，需要采用大線圈，該大線圈能夠產生覆蓋包圍多個傳感器的較大檢查區域的磁場。在PLT I和PLT 2中公開的上述技術利用配備有線圈的探測器卡；因此，由于其構造限制而難以放大線圈的尺寸。另外，它們可能經歷被產生來覆蓋大的檢查區域的磁場的局部變化。即，PLT I和PLT 2的上述技術可能在它們的檢查結果的精度上變差，因為它們僅控制電流來確定是否使用線圈來產生期望的磁場。諸如PLT 3的另ー種技術可能是對于這個問題的有效解決方案，因為磁場傳感器的檢測結果被反饋到磁場產生線圈。然而，該技術需要配備有磁場傳感器、插座和磁場產生線圈的單個平臺，其中，為了防止對于插座和線圈在它們的定位上的干擾，將磁傳感器布置在與插座相対的平臺的背側中。該布置可能未精確地檢測影響插座中安裝的磁傳感器的磁場。即，該技術可能遭受低檢查精度。 引用列表專利文獻PLT I :日本專利申請公布No. S62-55977PLT 2 :日本專利申請公布No. 2007-57547PLT 3 :日本專利申請公布 No. 2004-15105
技術實現思路
本專利技術的目的是提供一種檢查裝置和一種檢查方法，它們能夠以高精度集體地檢查磁傳感器的晶片狀陣列。本專利技術涉及ー種磁傳感器檢查裝置，包括平臺，用于在其上安裝磁傳感器的晶片狀陣列，所述平臺能夠在水平方向和豎直方向上移動；探測器卡，所述探測器卡被定位得與所述平臺相對，并且所述探測器卡配備了多個探測器，所述多個探測器與被包圍在測量區域中的所述多個磁傳感器接觸；多個磁場產生線圈，所述多個磁場產生線圈被定位為圍繞所述探測器卡和所述平臺，以便朝向在所述平臺上安裝的所述多個磁傳感器產生磁場；多個磁場環境測量傳感器，所述多個磁場環境測量傳感器被布置在圍繞所述多個探測器的所述探測器卡的外圍部分中；以及，磁場控制器，所述磁場控制器用于基于所述多個磁場環境測量傳感器的測量結果來控制由所述多個磁場產生線圈產生的磁場。本專利技術涉及ー種使用磁傳感器檢查裝置的磁傳感器檢查方法，所述磁傳感器檢查裝置包括平臺、具有多個探測器的探測器卡、圍繞所述探測器卡和所述平臺的多個磁場產生線圈，以及布置在圍繞所述多個探測器的所述探測器卡的外圍部分的多個磁場環境測量傳感器。具體來說，所述磁傳感器檢查方法包括以下步驟在所述平臺上安裝磁傳感器的晶片狀陣列；在水平方向和/或豎直方向上移動所述平臺，以便使得所述多個探測器與所述平臺上的所述多個磁傳感器接觸；驅動所述多個磁場產生線圈，以便朝向所述平臺上的所述多個磁傳感器產生磁場；基于所述多個磁場環境測量傳感器的測量結果，通過反饋控制來調節由所述多個磁場產生線圈產生的磁場；以及，使用所述探測器卡來同時檢查所述多個磁傳感器。本專利技術的特征在于不在所述探測器卡上而是在所述探測器卡的外部布置所述磁場產生線圈，從而產生覆蓋包圍探測器和它們的外圍的較大空間的磁場。隨后，所述探測器被集體地使得與磁傳感器接觸，使得同時在平臺上的磁傳感器上施加磁場。這使得能夠同時使用探測器卡來檢查磁傳感器。在檢查例程中，使用磁場環境測量傳感器來測量在探測器卡的測量區域中施加的磁場，其測量結果被反饋到磁場產生線圈，從而控制磁場產生線圈以精確地產生在測量區域中具有期望強度和期望方向的磁場。水平地和豎直地適當移動平臺，使得磁傳感器的晶片狀陣列與探測器接觸。這使得能夠連續地檢查磁傳感器，而沒有中斷。另外，本專利技術其特征在于在探測器卡的外圍部分中的磁場環境測量傳感器附近布置溫度環境測量傳感器，其中，所述磁場控制器基于所述溫度環境測量傳感器的測量結果來校正(或調節)所述磁場環境測量傳感器的所述測量結果，從而基于已校正(或調節)測量結果來控制由所述磁場產生線圈產生的磁場。這是因為磁場環境測量傳感器的靈敏度可能取決于由于周圍環境或檢查例程而可能變化或改變的溫度而波動。因此，需要基于在測量場中的當前檢測的溫度來校正(或調節)磁場環境測量傳感器的測量結果。這實現了精確的磁測試(或精確的磁檢查)，而不受周圍的溫度或溫度相關條件的影響。而且，能夠安裝溫度調節器，溫度調節器能夠將平臺溫度調節在期望的溫度。這使得能夠容易地檢查在不同溫度下的磁屬性的變化。在這一點上，除了溫度環境測量傳感器的測量結果之外，還可以向磁場控制器反饋平臺溫度。如上所述，本專利技術被設計來同時檢查磁傳感器的晶片狀陣列，而不是彼此分離的單獨的磁傳感器,其中，集體地向磁傳感器施加磁場，以便同時檢查多個磁傳感器的磁屬性。另外，使用在探測器卡中安裝的磁場環境測量傳感器測量當前在測量區域中施加的磁場，并且將其反饋到磁場控制器，所述磁場控制器繼而控制磁場產生線圈，以精確地產生具·有期望強度和期望方向的期望磁場。因此，能夠在檢查磁傳感器的磁屬性時改善檢查精度。附圖說明 將參考下面的附圖來更新地描述本專利技術的這些和其他目的、方面和實施例。圖I是根據本專利技術的一個優選實施例的磁傳感器檢測裝置的透視圖。圖2是磁傳感器檢查裝置的框圖。圖3是圖示在磁傳感器檢測裝置中包括的探測器卡和平臺1本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種磁傳感器檢查裝置，包括：平臺，所述平臺用于在其上安裝磁傳感器的晶片狀陣列，所述平臺能夠在水平方向和豎直方向上移動；探測器卡，所述探測器卡被定位為與所述平臺相對，并且所述探測器卡配備了多個探測器，所述多個探測器與被包圍在測量區域中的所述多個磁傳感器接觸；多個磁場產生線圈，所述多個磁場產生線圈被定位為圍繞所述探測器卡和所述平臺，以便朝向在所述平臺上安裝的所述多個磁傳感器產生磁場；多個磁場環境測量傳感器，所述多個磁場環境測量傳感器被布置在圍繞所述多個探測器的所述探測器卡的外圍部分中；以及磁場控制器，所述磁場控制器用于基于所述多個磁場環境測量傳感器的測量結果來控制由所述磁場產生線圈產生的磁場。

【技術特征摘要】
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【專利技術屬性】
技術研發人員：鈴木隆嗣，
申請(專利權)人：雅馬哈株式會社，
類型：發明
國別省市：