【技術實現(xiàn)步驟摘要】
【技術保護點】
用于在由半導體材料制成的襯底的具有保護層的表面上構成金屬的導體結構的方法,其通過借助于選擇性移除保護層、電鍍沉積金屬的種子層并且接著電鍍沉積至少另一金屬層來提供半導體材料的不連續(xù)的、紋理化的區(qū)域,其特征在于,在沉積所述種子層之前或者在沉積所述種子層之后對所述襯底的所述表面施加疏水的物質。
【技術特征摘要】
...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員:奧勒·盧恩,
申請(專利權)人:睿納有限責任公司,
類型:發(fā)明
國別省市:
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