用于電子器件的化合物制造技術

本發明專利技術涉及通式(I)的化合物，涉及通式(I)化合物在電子器件中的用途，并且涉及包含一種或多種通式(I)化合物的電子器件。本發明專利技術還涉及制備通式(I)化合物的方法，并且涉及包含一種或多種通式(I)化合物的制劑。

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及通式(I)的化合物，涉及通式(I)的化合物在電子器件中的用途，并且涉及包含一種或多種通式(I)化合物的電子器件。本專利技術還涉及通式(I)化合物的制備方法，并且涉及包含一種或多種通式(I)化合物的制劑。
技術介紹
正在開發在電子器件中用于許多不同應用的有機半導體材料，例如本專利技術的化合物。例如在US 4539507, US 5151629, EP 0676461 和 WO 98/27136 中描述了其中本專利技術化合物可用作功能材料的有機電致發光器件(OLED)的結構。在有機電致發光器件的性能數據方面，特別是考慮到廣泛的商業用途，仍需要進一步改進。在這一點上特別重要的是有機電致發光器件的壽命、效率和工作電壓，和實現的色度值。特別是在發藍色光電致發光器件的情況下，在器件壽命方面有改進的可能。 另外，希望用作有機半導體材料的化合物具有高的熱穩定性和高玻璃化轉變溫度，而且在不分解的情況下可升華。在這一點上，尤其需要備選的空穴傳輸材料。在現有技術的空穴傳輸材料的情況下，電壓通常隨著空穴傳輸層的層厚度而升高。在實踐中，通常希望空穴傳輸層的更大的層厚度，但這通常產生工作電壓更高和性能數據更差的后果。在這一點上，需要具有高電荷載流子遷移率的新型空穴傳輸材料，其使得在僅略微增加工作電壓的情況下能夠實現較厚的空穴傳輸層。現有技術中已知芳基胺衍生物作為空穴傳輸和空穴注入材料。這種類型的基于茚并芴的材料例如公開在WO 06/100896和W006/122630中。上述茚并芴胺在加工性方面存在如下缺點在氣相沉積或涂覆過程期間，會發生過早的沉積，因此使工業過程復雜化。另夕卜，已知的空穴傳輸材料通常電子穩定性低，這導致包含該化合物的電子器件的壽命短。在這一點上仍需要改進。此外，需要用于電子器件的備選基質材料。特別是，需要同時導致良好效率、長壽命和低工作電壓的磷光發光體的基質材料。正是基質材料的性能通常限制有機電致發光器件的壽命和效率。根據現有技術，咔唑衍生物，例如雙(咔唑基)聯苯，通常用作基質材料。特別是在材料的壽命和玻璃化轉變溫度方面，在此處仍有改進的可能。在包含所討論材料的電子器件的工作電壓方面，仍需要改進。此外，酮(W0 04/093207)，氧化膦，砜(W0 05/003253)和三嗪化合物，例如三嗪基螺二芴(參見申請WO 05/053055和W010/015306)，用作磷光發光體的基質材料。特別是酮，可實現低工作電壓和長壽命。特別是在包含酮酮陰離子配體例如乙酰丙酮陰離子的金屬絡合物的效率和相容性方面，在此處仍有改進的可能。此外，金屬絡合物，例如BAlq或雙鋅(II)，用作磷光發光體的基質材料。在此處仍需要改進，特別是在工作電壓及化學穩定性方面的改進。純粹的有機化合物通常比這些金屬絡合物更加穩定。因此，一些金屬絡合物水解敏感，這使得處理所述絡合物更加困難。同樣特別有興趣的是提供作為混合基質體系的基質組分的備選材料。在本申請意義上的混合基質體系被認為是指其中兩種或更多種不同的基質化合物與一種(或多種)摻雜劑化合物混合在一起用作發光層的體系。在發磷光的有機電致發光器件的情況下，特別考慮這些體系。對于更多的詳細信息，參見申請WO 10/108579。在混合基質體系中可作為基質組分提及的現有技術已知的化合物，尤其是CBP (二·咔唑基聯苯)和TCTA (三咔唑基三苯胺)。然而，仍需要在混合基質體系中用作基質組分的備選化合物。特別是，需要能實現電子器件工作電壓和壽命的改進的化合物。申請WO 10/136109和WO 11/000455公開了具有茚或吲哚和咔唑單元的不同連接幾何結構的茚并咔唑和吲哚并咔唑衍生物。所述化合物非常高度地適合在有機電致發光器件中用作功能材料，特別是作為磷光發光體的基質材料和作為電子傳輸材料。然而，仍舊需要備選的化合物，特別是需要借助于其可實現工作電壓降低、功率效率增加和壽命增加的那些化合物。另外，EP1860097、WO 2006/100896、WO 2007/140847、W02006/122630 和 WO2008/006449公開了在電子器件中特別是用作空穴傳輸材料的茚并芴二胺衍生物。然而，仍需要備選的化合物，特別是需要借助于其可實現工作電壓降低、功率效率增加和壽命增加的那些化合物。
技術實現思路
本專利技術描述了作為新型類別的材料，當用于電子器件、優選有機電致發光器件中時顯示有利性能的通式(I)化合物。所述化合物優選用作空穴傳輸或空穴注入材料，用作熒光或磷光發光體的基質材料，或用作電子傳輸材料。因此，本專利技術涉及通式⑴的化合物/Θ通式(I)，其中代表通式^的基團或通式1^^4的基團，其中存在的符號限定如下X1、X2、X3在每次出現時是二價基團，其相同或不同地選自BR1、C (R1) 2、Si (R1) 2、C=O、C=NR1、C=C (R1) 2、NR1、O、S、S=O、S (=0) 2、PR1 和 P (=0) R1 ；X4、X5在每次出現時相同或不同地選自CR\N和P ；Z在每次出現時相同或不同地選自CR1和N ；Ar\Ar2在每次出現時相同或不同地是具有6至60個芳族環原子的芳基基團或具有5至60個芳族環原子的雜芳基基團，所述基團中的每一個可被一個或多個基團R2取代；R1、R2 在每次出現時相同或不同地是 H，D，F，Cl，Br，I，B(OR3)2, CHO, C(O)R3,CR3=C(R3)2, CN, COOR3，CON(R3)2, Si (R3)3, N(R3)2, NO2, P(=0) (R3)2, OSO2R3, OH, S(=0) R3,S(=0)2R3，具有I至40個C原子的直鏈烷基、烷氧基或硫代烷基基團，或具有3至40個C原子的支鏈或環狀的烷基、烷氧基或硫代烷基基團，或具有2至40個C原子的烯基或炔基基團，所述基團中的每一個可被一個或多個基團R3取代，其中一個或多個CH2基團可被-R3C=CR3-、-C E C-、Si (R3)2' Ge (R3)2, Sn (R3)2, C=O、C=S、C=Se、C=NR3、-COO-、- CONR3-、NR3, P (=0) (R3)、-O-、-S-、SO或SO2代替，并且其中一個或多個H原子可被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，或具有5至60個芳族環原子的芳族或雜芳族環系，該環系在每種情況下可以被一個或多個基團R3取代，或具有5至60個芳族環原子的芳氧基、雜芳氧基、芳烷基或雜芳烷基基團，該基團可被一個或多個基團R3取代，或這些體系的組合，其中兩個或更多個基團R1或R2可以彼此連接并可以形成脂族或芳族環系；R3 在每次出現時相同或不同地是 H，D，F，Cl，Br，I，B(OR4)2, CHO, C(O)R4,CR4=C(R4)2, CN, COOR4，CON(R4)2, Si (R4)3, N(R4)2, NO2, P(=0) (R4)2, OSO2R4, OH, S(=0)R4，S(=0)2R4，具有I至40個C原子的直鏈烷基、烷氧基或硫代烷基基團，或具有3至40個C原子的支鏈或環狀的烷基、烷氧基或硫代烷基基團，或具有2至40個C原子的烯基或炔基基團，所述基團中的每一個可被一個或多個基團R4取代，其中一個或多個CH2基團可本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】...

【專利技術屬性】
技術研發人員：羅科·福特，克里斯托夫·普夫盧姆，康斯坦策·布羅克，埃米爾·侯賽因·帕勒姆，
申請(專利權)人：默克專利有限公司，
類型：
國別省市：