一種大功率射頻電阻制造技術(shù)

本實(shí)用新型專利技術(shù)公開了一種大功率射頻電阻，包括陶瓷基體、陶瓷封帽和安裝法蘭，固連于安裝法蘭上的陶瓷基體為氮化鋁陶瓷基體或氧化鈹陶瓷基體；電阻漿料形成的電阻體，以及導(dǎo)體漿料形成的輸入導(dǎo)體和接地導(dǎo)體連接于陶瓷封帽和陶瓷基體之間；電阻體通過輸入導(dǎo)體與一引線電連接，電阻體通過接地導(dǎo)體接地。電阻漿料形成兩個(gè)或兩個(gè)以上所述電阻體，各電阻體以及輸入導(dǎo)體和接地導(dǎo)體連接于陶瓷封帽和陶瓷基體之間。本專利中，一個(gè)或多個(gè)電阻體通過輸入導(dǎo)體與引線電連接，既有利于散熱又便于組接；另外，配合以便于散熱的氮化鋁陶瓷基體或氧化鈹陶瓷基體更有利于散熱。（*該技術(shù)在2022年保護(hù)過期，可自由使用*）

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本技術(shù)涉及一種微波射頻領(lǐng)域內(nèi)使用的標(biāo)準(zhǔn)電阻元器件，尤其涉及一種大功率射頻電阻。
技術(shù)介紹
射頻電阻被廣泛應(yīng)用在微波射頻領(lǐng)域，由于射頻電阻的阻值會(huì)跟隨溫度的變化而變動(dòng)，因此，為了保證射頻電阻具有較好的穩(wěn)定性，需要具有較好的散熱性；另外，散熱性差也不易于制成大功率射頻電阻。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本技術(shù)的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供一種便于散熱且便于組接的·大功率射頻電阻。為實(shí)現(xiàn)上述目的，所述大功率射頻電阻，包括陶瓷基體、陶瓷封帽和安裝法蘭，所述陶瓷基體固定連接在安裝法蘭上；其特點(diǎn)是，所述陶瓷基體為氮化鋁陶瓷基體或氧化鈹陶瓷基體；電阻漿料形成的電阻體，以及導(dǎo)體漿料形成的輸入導(dǎo)體和接地導(dǎo)體連接于所述陶瓷封帽和陶瓷基體之間；所述電阻體通過輸入導(dǎo)體與一引線電連接，所述電阻體通過接地導(dǎo)體接地。優(yōu)選的是，電阻漿料形成兩個(gè)或兩個(gè)以上所述電阻體，各電阻體以及所述輸入導(dǎo)體和接地導(dǎo)體連接于陶瓷封帽和陶瓷基體之間。優(yōu)選的是，所述輸入導(dǎo)體和接地導(dǎo)體分別位于各電阻體的兩側(cè)。本技術(shù)的有益效果在于，所述大功率射頻電阻中，一個(gè)或多個(gè)電阻體通過輸入導(dǎo)體與引線電連接，既有利于散熱又便于組接；另外，配合以便于散熱的氮化鋁陶瓷基體或氧化鈹陶瓷基體更有利于散熱。附圖說明圖I示出了具有一個(gè)電阻體的大功率射頻電阻的結(jié)構(gòu)分解圖。圖2示出了具有兩個(gè)電阻體的大功率射頻電阻的連接關(guān)系示意圖。具體實(shí)施方式以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本技術(shù)做進(jìn)一步詳細(xì)的說明如圖I和圖2所示，所述大功率射頻電阻，包括陶瓷基體5、陶瓷封帽I和安裝法蘭6，所述陶瓷基體5固定連接在安裝法蘭6上；所述陶瓷基體5為氮化鋁陶瓷基體或氧化鈹陶瓷基體。電阻漿料形成的電阻體4，以及導(dǎo)體漿料形成的導(dǎo)體3連接于所述陶瓷封帽I和陶瓷基體5之間，所述導(dǎo)體3包括輸入導(dǎo)體和接地導(dǎo)體；所述電阻體4通過輸入導(dǎo)體與一引線2電連接，所述電阻體4通過接地導(dǎo)體接地。如圖2所示，當(dāng)所述大功率射頻電阻具有第一電阻體41和第二電阻體42兩個(gè)電阻體時(shí)，該第一電阻體41、第二電阻體42與輸入導(dǎo)體和接地導(dǎo)體連接于所述陶瓷封帽I和陶瓷基體5之間，所述輸入導(dǎo)體包括彼此分離的第一輸入導(dǎo)體31和第二輸入導(dǎo)體32兩部分，且所述接地導(dǎo)體包括第一接地導(dǎo)體33和第二接地導(dǎo)體34兩部分，第一接地導(dǎo)體33、第二接地導(dǎo)體34形成“L”形。其中，一方面，第一輸入導(dǎo)體31連接第一電阻體41的后端，第一電阻體41的前端通過一第二輸入導(dǎo)體32連接所述第二電阻體42的后端；另一方面，第一接地導(dǎo)體33連接第一電阻體41的左端，第二接地導(dǎo)體34連接第二電阻體42的前端。 綜上所述僅為本技術(shù)較佳的實(shí)施例，并非用來限定本技術(shù)的實(shí)施范圍。即凡依本技術(shù)申請(qǐng)專利范圍的內(nèi)容所作的等效變化及修飾，皆應(yīng)屬于本技術(shù)的技術(shù)范疇。·權(quán)利要求1.一種大功率射頻電阻，包括陶瓷基體、陶瓷封帽和安裝法蘭，所述陶瓷基體固定連接在安裝法蘭上；其特征在于所述陶瓷基體為氮化鋁陶瓷基體或氧化鈹陶瓷基體；電阻漿料形成的電阻體，以及導(dǎo)體漿料形成的輸入導(dǎo)體和接地導(dǎo)體連接于所述陶瓷封帽和陶瓷基體之間；所述電阻體通過輸入導(dǎo)體與一引線電連接，所述電阻體通過接地導(dǎo)體接地。2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種大功率射頻電阻，其特征在于電阻漿料形成兩個(gè)或兩個(gè)以上所述電阻體，各電阻體以及所述輸入導(dǎo)體和接地導(dǎo)體連接于陶瓷封帽和陶瓷基體之間。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種大功率射頻電阻，其特征在于所述輸入導(dǎo)體和接地導(dǎo)體分別位于各電阻體的兩側(cè)。專利摘要本技術(shù)公開了一種大功率射頻電阻，包括陶瓷基體、陶瓷封帽和安裝法蘭，固連于安裝法蘭上的陶瓷基體為氮化鋁陶瓷基體或氧化鈹陶瓷基體；電阻漿料形成的電阻體，以及導(dǎo)體漿料形成的輸入導(dǎo)體和接地導(dǎo)體連接于陶瓷封帽和陶瓷基體之間；電阻體通過輸入導(dǎo)體與一引線電連接，電阻體通過接地導(dǎo)體接地。電阻漿料形成兩個(gè)或兩個(gè)以上所述電阻體，各電阻體以及輸入導(dǎo)體和接地導(dǎo)體連接于陶瓷封帽和陶瓷基體之間。本專利中，一個(gè)或多個(gè)電阻體通過輸入導(dǎo)體與引線電連接，既有利于散熱又便于組接；另外，配合以便于散熱的氮化鋁陶瓷基體或氧化鈹陶瓷基體更有利于散熱。文檔編號(hào)H01C13/00GK202758698SQ20122045088公開日2013年2月27日 申請(qǐng)日期2012年9月6日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月6日專利技術(shù)者顧亞 申請(qǐng)人:深圳市禹龍通電子有限公司本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種大功率射頻電阻，包括陶瓷基體、陶瓷封帽和安裝法蘭，所述陶瓷基體固定連接在安裝法蘭上；其特征在于：所述陶瓷基體為氮化鋁陶瓷基體或氧化鈹陶瓷基體；電阻漿料形成的電阻體，以及導(dǎo)體漿料形成的輸入導(dǎo)體和接地導(dǎo)體連接于所述陶瓷封帽和陶瓷基體之間；所述電阻體通過輸入導(dǎo)體與一引線電連接，所述電阻體通過接地導(dǎo)體接地。

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：顧亞，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：深圳市禹龍通電子有限公司，
類型：實(shí)用新型
國(guó)別省市：