本發明專利技術涉及一種多功能漏電斷路器。一種多功能漏電斷路器，包括零相變流器ZCT、漏電檢測控制電路；單向可控硅SCR和用于半波整流的二極管D1以及過壓檢出電路。本發明專利技術巧妙的在單向可控硅SCR上連接有半波整流二極管D1，經通過單向可控硅SCR的電壓進行半波整流，在漏電檢測控制電路輸出信號向單向可控硅SCR以門信號輸入，根據單向可控硅SCR的特性當閉合的單向可控硅SCR在通過半波整流二極管D1半波整流的電壓為0時，單向可控硅SCR斷開。上限電壓比較器將取樣電路的電壓與電阻R間的電壓進行比較，在發生過壓時，單向可控硅SCR接收門信號并打開，完成上述斷開電源開關的步驟，有效保護了由于過壓帶來的危害。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種多功能漏電斷路器。
技術介紹
一般家庭或共同住宅及建筑物等安裝的基座上的主斷路器，可以按照布線用斷路器和多種負載設備類別感應漏電，并在漏電時啟動的漏電斷路器。在安裝在基座上的漏電斷路器的結構上，形成引入各相(R，S，T，N)的電源的端口，通常在漏電斷路器上形成電源端口和負載端口，并只在電源端口上供應電源。觀察以前的漏電斷路器的配置，基座上分為上列和下列，排成一列，在電源部位端口通過匯流排接受電源供應。但是這種配置狀態會讓上排的漏電斷路器和下排的漏電斷路器的電極改變，存在需要變更匯流排的形態制作的問題點。上排的漏電斷路器在手柄向下放的時候閉合，而下排的漏電斷路器在手柄向上抬的時候閉合，所以會讓管理人員混淆閉合和斷開的狀態，存在這一問題點。如果讓上排的漏電·斷路器從負載部位端口接受電源供應而逆向連接，上排的漏電斷路器和下排的漏電斷路器的極相同，可簡單制作成匯流排的形式，而且上排的漏電斷路器和下排的漏電斷路器的手柄全都提上來時會閉合，全都放下來時會斷開，形成統一，這樣可以防止管理人員混淆漏電斷路器的on/off狀態。以往的斷路器一般包括零相變流器ZCT和與零相變流器ZCT連接的漏電檢測控制電路2，漏電檢測控制電路2包括集成電路1C，集成電路IC的輸出端連接有跳閘驅動電路8，跳閘驅動電路8包括單向可控硅SCR，單向可控硅SCR通過全波整流電路4連接有電磁線圈5，還包括貫穿零相變流器ZCT的電源引入線，該對電源引入線上分別設有與電源端口連接的電源開關1，另外，為了測試斷路器在漏電時的漏電切斷功能，在斷路器內部還包括漏電測試電路部位3。在發生漏電時，零相變流器ZCT感應到這種情況后，會根據上述漏電檢測控制電路2顯示發生漏電的輸出信號，單向可控硅SCR接收門信號并打開，在電磁線圈5上接通電壓，啟動跳閘裝置打開電源開關1，上述電源開關I打開時，阻斷在電源部位端口引入的電源。如把以前的漏電斷路器逆向連接時，實際上發生漏電或打開漏電測試開關時，漏電斷路器內部的單向可控硅SCR會被閉合，電壓接通到螺線管線圈上，驅動跳閘裝置在斷開開關以后，也繼續向斷路器供應在負載部位端口引入的電源，會導致斷路器內部的電磁線圈5、單向可控硅SCR和電路基板等的燒損，并可能由此而發生火災。且該漏電斷路器不具有過壓保護的功能。
技術實現思路
為了解決上述問題，本專利技術提供一種結構簡單、既能正向連接電源又能逆向連接電源且具有過壓保護功能的多功能漏電斷路器。為了實現上述目的，本專利技術主要通過以下技術方案得以解決一種多功能漏電斷路器，包括零相變流器ZCT和與零相變流器ZCT連接的漏電檢測控制電路，漏電檢測控制電路包括集成電路1C，集成電路IC的輸出端連接有跳閘驅動電路，跳閘驅動電路包括有單向可控硅SCR，該斷路器還包括一對貫穿零相變流器ZCT的分別連接電源端口 A和負載端口 B的電源引入線，電源引入線包括電源引入線a和電源引入線b，電源引入線a和電源引入線b上分別設有與電源端口 A連接的一對電源開關，所述電源引入線b連接半波整流二級管Dl的陰極，半波整流二極管Dl的陽極通過電磁線圈連接有所述單向可控硅SCR的陰極，單向可控硅SCR的陽極與電源引入線a連接，單向可控硅SCR的控制極與所述的集成電路IC的信號輸出端連接；該斷路器還包括過壓檢出電路，過壓檢出電路包括一上限電壓比較器，上限電壓比較器的正向輸入端通過取樣電路與所述電源引入線a連接，上限電壓比較器的反向輸入端通過電阻R2與所述電源引入線a連接，通過所述的半波整流二極管Dl整流后給上限電壓比較器提供基準電壓，上限電壓比較器的反向輸入端還通過基準電阻R3接地；所述的上限電壓比較器的輸出端連接有或門電路的輸入端，或門電路的輸出端與所述的集成電路IC的輸入端連接。作為優選，該斷路器還包括包括欠壓檢出電路，欠壓檢出電路包括一下限電壓比較器，下限電壓比較器的反向輸入端通過取樣電路與所述的電源引入線a連接，下限電壓 比較器的正向輸入端通過電阻R2與所述電源引入線a，通過所述的半波整流二極管Dl整流后提供基準電壓，下限電壓比較器的正向輸入端還連接有一基準電阻R4，基準電阻R4另一端接地；所述的下限電壓比較器的輸出端連接有或門電路的輸入端，或門電路的輸出端與所述的集成電路IC的輸入端連接。作為優選，上述的電阻R2與上限電壓比較器的反向輸入端和下限電壓比較器的正向輸入端之間連接有電容C2，電容C2的另一端與所述的半波整流二極管Dl的陽極連接。作為優選，上述的上限電壓比較器和下限電壓比較器的輸出端均連接電容C3，電容C3的另一端與所述的半波整流二極管Dl的陽極連接并接地。作為優選，上述的取樣電路包括依次連接的電阻R5、電阻R6、電阻R7和電阻R8，所述的上限電壓比較器的正向輸入端和下限電壓比較器的反向輸入端連接在電阻R7和電阻R8之間，所述的取樣電路的電阻R5另一端與所述的電源引入線a連接，電阻R8的另一端與所述的半波整流二極管Dl的陽極連接。 作為優選，該斷路器還包括一漏電測試電路，漏電測試電路的一端連接任意一根電源引入線的電源端口 A與其對應的電源開關之間，其另一端貫穿零相變流器ZCT連接另外一根電源引入線上，所述的漏電測試電路包括串接的開關Kl和電阻R1。作為優選，上述的半波整流二極管Dl的陽極連接有二極管D2的陽極，二極管D2的陰極連接在所述的電源引入線a上。本專利技術巧妙的在單向可控硅SCR上連接有半波整流二極管Dl，經通過單向可控硅SCR的電壓進行半波整流，在漏電檢測控制電路輸出信號向單向可控硅SCR以門信號輸入，則單向可控硅SCR處于閉合狀態，電壓被施加到電磁線圈上，驅動跳閘裝置斷開開關后，根據單向可控硅SCR的特性當閉合的單向可控硅SCR在通過半波整流二極管Dl半波整流的電壓為O時，單向可控硅SCR斷開，所以有效的防止在負載端口 B引入電源時電源開關斷開以后，也繼續向漏電斷路器供應在負載部位端口引入的電源，導致漏電斷路器內部的螺線管線圈、單向可控硅SCR和電路基板等的燒損，并可能由此而發生火災的現象發生。上限電壓比較器將取樣電路的電壓與電阻R2間的電壓進行比較，在發生過壓時，門電路12導通，向集成電路IC輸入信號，集成電路IC輸出信號，單向可控硅SCR接收門信號并打開，完成上述斷開電源開關的步驟，有效保護了由于過壓帶來的危害。附圖說明圖I為現有技術的電路原理圖。圖2為本專利技術實施例的電路原理圖。圖3本專利技術單向可控硅SCR的工作狀態示意圖具體實施例方式下面結合附圖1-3，對本專利技術的技術方案的具體實施方式作進一步具體的說明。實施例一種多功能漏電斷路器，包括零相變流器ZCT和與零相變流器ZCT連接的 漏電檢測控制電路2，以及一漏電測試電路3。漏電檢測控制電路2包括集成電路1C，集成電路IC的輸出端連接有跳閘驅動電路8。跳閘驅動電路8包括有單向可控硅SCR，單向可控硅SCR的陰極連接有電磁線圈5。該斷路器還包括一對貫穿零相變流器ZCT的分別連接電源端口 A和負載端口 B的電源引入線，電源引入線包括電源引入線a6和電源引入線b7，電源引入線a6和電源引入線b7上分別設有與電源端口 A連接的一對電源開關1，所述電源引入線b7連接半波整流二級管Dl的陰極，半波整流二極管Dl的陽極通過上述的電磁線圈5連本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種多功能漏電斷路器，包括零相變流器ZCT和與零相變流器ZCT連接的漏電檢測控制電路（2），漏電檢測控制電路（2）包括集成電路IC，集成電路IC的輸出端連接有跳閘驅動電路（8），跳閘驅動電路（8）包括有單向可控硅SCR，其特征在于，該斷路器還包括一對貫穿零相變流器ZCT的分別連接電源端口A和負載端口B的電源引入線，電源引入線包括電源引入線a（6）和電源引入線b（7），電源引入線a（6）和電源引入線b（7）上分別設有與電源端口A連接的一對電源開關（1），所述電源引入線b（7）連接半波整流二級管D1的陰極，半波整流二極管D1的陽極通過電磁線圈（5）連接有所述單向可控硅SCR的陰極，單向可控硅SCR的陽極與電源引入線a（6）連接，單向可控硅SCR的控制極與所述的集成電路IC的信號輸出端連接；該斷路器還包括過壓檢出電路（10），過壓檢出電路（10）包括一上限電壓比較器（11），上限電壓比較器（11）的正向輸入端通過取樣電路（9）與所述電源引入線a（6）連接，上限電壓比較器（11）的反向輸入端通過電阻R2與所述電源引入線a（6）連接，通過所述的半波整流二極管D1整流后給上限電壓比較器（11）提供基準電壓，上限電壓比較器（11）的反向輸入端還通過基準電阻R3接地；所述的上限電壓比較器（11）的輸出端連接有或門電路（12）的輸入端，或門電路（12）的輸出端與所述的集成電路IC的輸入端連接。...
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：黃柄皓，李慶華，
申請(專利權)人：黃柄皓，李慶華，
類型：發明
國別省市：
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