具有斷電保護功能的數據存儲系統及方法技術方案

本發明專利技術提供了一種具有斷電保護功能的數據存儲系統，包括微處理器及第三存儲芯片且該微處理器包括用于執行數據操作的主控單元，該系統還包括連接到所述微處理器的第一存儲芯片和第二存儲芯片，所述微處理器包括斷電保護單元，其中：所述第一存儲芯片用于存儲無需快速處理的大容量數據；所述第二存儲芯片為具有斷電存儲功能的存儲器；所述斷電保護單元，用于在微處理器斷電時將所述主控單元正在執行數據的狀態存儲到第二存儲芯片。本發明專利技術還提供一種對應的方法。本發明專利技術通過至少兩種不同類型的存儲芯片分別存儲不同數據，從而實現了大容量數據存儲及斷電保護。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及數據存儲領域，更具體地說，涉及一種。
技術介紹
隨著電氣技術的不斷發展，國內紡織領域的自動化進程逐步加快，對于織物的品種、質量和織造效率的要求也越來越高。電子多臂技術正是基于上述需求而發展形成的一種高速、高效、花紋多樣、自動化控制的開口裝置。目前國內的電子多臂控制器的數據存儲通常分為PLC控制和單片機控制。在PLC控制存儲方式中，其數據容量一般在1000(Γ16000個字節，90%的數據支持 斷電數據保持。針對電子多臂的需求，PLC最多可以存儲一個支持可編程花紋文件，數據量不超過8000緯的花紋。該方式最直接的缺點是數據的存儲量太小(僅能滿足8000緯的花紋需求)，無法滿足多種花樣和大數據量的花紋的存儲需求。單片機控制的存儲方式中，由于一般單片機僅包含Γ16Κ的片內內存，只能滿足系統自身的運行需要，因此為了滿足電子多臂的需求，通常需要外擴片外內存。外擴的片外內存一般采用普通的大容量內存，其容量大小和芯片所提供的地址空間相關，一般單片機的擴展容量在32ΙΓ64Κ之間。然而該方式需通過增加大容量的電容或者電池，以支持上述大容量內存的斷電數據保持。但電池和電容的容量是有限的，無法滿足永久性存儲的需求。還可通過選用非易失性內存來實現內存外擴，直接達到斷電數據保持的目的。然而非易失性內存的使用壽命存在限制，在芯片工作的短時間內會多次讀取寫入常用數據，將導致其芯片非易失性功能喪失。
技術實現思路
本專利技術要解決的技術問題在于，針對上述單片機控制存儲中無法永久保存斷電數據及芯片易喪失非易失性功能的問題，提供一種。本專利技術解決上述技術問題的技術方案是，提供一種具有斷電保護功能的數據存儲系統，包括微處理器及第三存儲芯片且該微處理器包括用于執行數據操作的主控單元，該系統還包括連接到所述微處理器的第一存儲芯片和第二存儲芯片，所述微處理器包括斷電保護單元，其中所述第一存儲芯片用于存儲無需快速處理的大容量數據；所述第二存儲芯片為具有斷電存儲功能的存儲器；所述斷電保護單元，用于在微處理器斷電時將所述主控單元正在執行數據的狀態存儲到第二存儲芯片。在本專利技術所述的具有斷電保護功能的數據存儲系統中，所述第三存儲芯片為靜態隨機存儲器并通過數據線和地址線連接到所述微處理器，所述第二存儲芯片為電可擦可編程只讀存儲器并通過Iic總線連接到所述微處理器，所述主控單元將需要快速處理的數據放入靜態隨機存儲器中運行。在本專利技術所述的具有斷電保護功能的數據存儲系統中，所述第二存儲芯片為非易失性內存，所述主控單元將快速處理的數據放入非易失性內存的高速數據存儲地址運行，所述斷電保護單元在微處理器斷電時將所述主控單元正在執行的數據的狀態存儲到非易失性內存的斷電保護數據地址。在本專利技術所述的具有斷電保護功能的數據存儲系統中，所述主控單元用于實現電子多臂控制且該主控單元執行的數據為花紋數據。在本專利技術所述的具有斷電保護功能的數據存儲系統中，所述第一存儲芯片為快閃只讀存儲器并通過地址總線與數據總線連接到所述微處理器。在本專利技術所述的具有斷電保護功能的數據存儲系統中，所述微處理器還包括狀態恢復單元，用于在所述微處理器上電時從所述第二存儲芯片讀取執行狀態數據并發送給主 控單元。本專利技術還提供一種具有斷電保護功能的數據存儲方法，包括以下步驟微處理器從用于存儲無需快速處理的大容量數據的第一存儲芯片讀取數據并執行；微處理器在斷電時將該微處理器正在執行的數據的狀態存儲到第二存儲芯片，所述第二存儲芯片為具有斷電存儲功能的存儲器。在本專利技術所述的具有斷電保護功能的數據存儲方法中，所述第二存儲芯片為電可擦可編程只讀存儲器并通過IIC總線連接到所述微處理器，該方法還包括所述微處理器將需要快速處理的數據放入靜態隨機存儲器中運行，所述靜態隨機存儲器通過數據線和地址線連接到所述微處理器。在本專利技術所述的具有斷電保護功能的數據存儲方法中，所述第二存儲芯片為非易失性內存，所述微處理器將快速處理的數據放入非易失性內存的高速數據存儲地址運行，并在斷電時將該微處理器正在執行的數據的狀態存儲到非易失性內存的斷電保護數據地址。在本專利技術所述的具有斷電保護功能的數據存儲方法中，所述微處理器用于實現電子多臂控制且該微處理器執行的數據為花紋數據。本專利技術的，通過至少兩種不同類型的存儲芯片分別存儲不同數據，從而實現了大容量數據存儲及斷電保護。本專利技術可構建高速、穩定、大存儲量的數據存儲系統，從而滿足電子多臂系統上的高速、穩定、大容量數據存儲、多花樣文件存儲的需求。附圖說明圖I是本專利技術具有斷電保護功能的數據存儲系統第一實施例的示意圖。圖2是本專利技術具有斷電保護功能的數據存儲系統第二實施例的示意圖。圖3是本專利技術具有斷電保護功能的數據存儲方法實施例的流程示意圖。具體實施例方式為了使本專利技術的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本專利技術進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本專利技術，并不用于限定本專利技術。如圖I所示，是本專利技術具有斷電保護功能的數據存儲系統第一實施例的示意圖。本實施例的系統包括微處理器11、SRAM (靜態隨機存儲器)12、FLASH ROM (快閃只讀存儲器)13以及EEPROM (電可擦可編程只讀存儲器)14，其中微處理器11包括主控單元111以及斷電保護單元112。當然，上述SRAM12、FLASH ROMl3以及EEPR0M14包括存儲芯片及對應的外圍電路。微處理器11為工業級嵌入式ARM微處理器，用于實現設備控制。主控單元111以及斷電保護單元112為邏輯單元，其功能由運行于微處理器11上的軟件代碼實現。主控單元111用于執行數據操作以實現設備控制，例如紡織機械中的電子多臂控制，其可執行花紋數據以實現花紋紡織。當然，上述數據也可以為其他控制數據，例如機床控制數據等，相應地，主控單元111可通過執行數據實現機床控制。上述的FLASH R0M13通過地址總線和數據總線連接到微處理器11，并用于存儲無需快速處理的大容量數據，從而使該系統實現大容量數據存儲。SRAM12也通過地址總線和·數據總線連接到微處理器11，并用于存儲需要快速處理的數據，例如主控單元111當前正在執行的花紋數據。EEPR0M14則通過IIC總線與微處理器11連接，并在系統正常運行狀態不進行任何數據存儲操作。在微處理器11斷電時，微處理器11的斷電保護單元112將主控單元111正在執行數據的狀態存儲到EEPR0M14。上述系統利用FLASH R0M13的大容量特性，又回避了其讀取和寫入速度慢的缺點；當檢測到斷電狀態時，將掉電保護的狀態，存儲EEPR0M14，保證失電狀態下的快速存儲，無需使用電容或電池。EEPROM的讀寫壽命為100萬次，足以滿足掉電時的數據存儲要求，合理利用了 EEPROM的使用壽命。如圖2所示，在本專利技術的第二實施例中，數據存儲系統除了包括微處理器21外，還包括FLASH R0M23及非易失性內存22。上述FLASH R0M23及非易失性內存22都通過地址總線和數據總線與微處理器21連接。上述的非易失性內存22的地址中劃分有高速數據存儲地址和斷電保護數據地址。微處理器21的主控單元211將需要快速處理的數據放入非易失性內存22的高速數據存儲地址運行，而斷電保護單元212則在微處理器本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種具有斷電保護功能的數據存儲系統，包括微處理器及第三存儲芯片且該微處理器包括用于執行數據操作的主控單元，其特征在于：該系統還包括連接到所述微處理器的第一存儲芯片和第二存儲芯片，所述微處理器包括斷電保護單元，其中：所述第一存儲芯片用于存儲無需快速處理的大容量數據；所述第二存儲芯片為具有斷電存儲功能的存儲器；所述斷電保護單元，用于在微處理器斷電時將所述主控單元正在執行數據的狀態存儲到第二存儲芯片。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：陳天豐，
申請(專利權)人：杭州匯坤控制技術有限公司，深圳市匯川技術股份有限公司，蘇州匯川技術有限公司，
類型：發明
國別省市：