一種光電元件的客制化制造方法技術

本發明專利技術揭露一種光電元件的客制化制造方法。此客制化制造方法包含提供一生產流程，包含一前段流程、一客制化模塊接續此前段流程、以及一寄存步驟介于此前段流程及此客制化模塊之間；并且依前段流程生產一預定數量的半成品暫停于此寄存步驟；以及依據一客戶要求以調制該客制化模塊使符合該客戶要求。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及一種光電元件的 客制化制造方法。
技術介紹
半導體光電元件，例如發光二極管(LED)或太陽能電池(solar cell)，分別具有節能及干凈能源的功效，受到世界環保團體及各國政府廣泛的重視，并已訂定時間表積極推廣，以解決地球暖化的問題。面對快速成長的需求，光電元件制造廠傳統的人工結合半自動生產方式，至少會面臨包括交期縮短，以及客戶端為因應多元應用產生的多樣化產品規格的挑戰。因此，除了積極的擴張生產線以因應大量需求及多元的應用，有效率的生產流程及快速反應客戶的需求已為當前亟待改善的重點。本專利技術提供一光電元件的客制化生產方法，同時兼顧客戶需求及有效率的生產，以加速產業運用。
技術實現思路
本專利技術揭露一光電元件的客制化制造方法。此客制化制造方法包含提供一生產流程，包含一前段流程、一客制化模塊接續此前段流程、以及一寄存步驟介于此前段流程及此客制化模塊之間；并且依前段流程生產一預定數量的半成品暫停于此寄存步驟，依據一客戶要求以調制此客制化模塊使符合此客戶要求。依本專利技術一實施例，所述的客戶要求包含一亮度要求。依本專利技術一實施例，所述的客戶要求包含一光形或出光角度要求。依本專利技術一實施例，所述的客戶要求包含一波長要求。依本專利技術一實施例，所述的客戶要求包含一熱阻要求。依本專利技術一實施例，所述的客制化模塊更包含預置一對照表或對照曲線用以調制此客制化模塊。 依本專利技術一實施例,所述的光電兀件包含發光二極管或太陽能電池。附圖說明圖I為一流程圖，顯示依本專利技術的客制化制造方法的一實施例；圖2為一流程圖，進一步揭示圖I的客制化模塊Ql ;圖3為一流程圖，進一步揭示圖I的客制化模塊Q2 ；圖4為一流程圖，進一步揭示圖I的客制化模塊Q3 ；圖5為一流程圖，進一步揭示圖I的客制化模塊Q4 ；圖6為一流程圖，顯示依本專利技術的客制化制造方法的另一實施例。附圖符號說明al、a2 :客制化模塊Ql的子模塊；bl、b2 :客制化模塊Q2的子模塊；Cl:客制化模塊Q3的子模塊；dl、d2 :客制化模塊Q4的子模塊；ap I、ap2、bp I、bp2、cp I、dp I、dp2 客制化參數 Pl :亮度要求；P2 :光形或出光角度要求；P3 :波長要求；P4 :熱阻要求；Q1-Q4 :客制化模塊；S1-S7 :標準流程步驟；T1-T5:寄存步驟；旁通I-旁通5 :旁通步驟。具體實施例方式圖I揭示一符合本專利技術的客制化生產流程，包括標準流程步驟S1-S7、介于步驟S4及S5間的客制化模塊Q1-Q4、以及于客制化模塊Q1-Q4前的一寄存步驟Tl。各步驟說明如下SI (成長基板)提供一成長基板，用以成長一半導體磊晶迭層，此成長基板包括用以成長磷化鋁鎵銦(AlGaInP)的砷化鎵(GaAs)晶片，或用以成長氮化銦鎵(InGaN)的藍寶石(Al2O3)晶片、氮化鎵(GaN)晶片或碳化硅(SiC)晶片，或用以成長III-V族太陽能電池迭層的娃晶片、錯晶片、或神化嫁晶片；S2(磊晶成長)在此成長基板上成長一具有光電特性的磊晶迭層，例如發光(light-emitting)迭層或光伏(photovoltaic)迭層；S3 (晶片檢測):以一晶片測試機(testing prober),測試成長基板上的嘉晶迭層是否符合電性要求，如定電壓的電流值(Iv);或波長特性如峰波長值(peak wavelength)或半峰寬幅(half-peak width)；S4(晶粒形成)以微影及蝕刻工藝技術在上述的磊晶迭層定義出多個晶粒結構及電極區域；客制化模塊Ql :因應一客戶對于一亮度要求Pl，調制客制化模塊Ql，以達到此亮度要求Pl，詳細的客制化模塊Ql將在后續詳細說明；客制化模塊Q2 :因應一客戶對于一光形或出光角度要求P2，調制客制化模塊Q2，以達到此光形或出光角度要求P2，詳細的客制化模塊Q2將在后續詳細說明；客制化模塊Q3 :因應一客戶對于一波長要求P3，調制客制化模塊Q3，以達到此波長要求P3，詳細的客制化模塊Q3將在后續詳細說明；客制化模塊Q4 :因應一客戶對于一熱阻要求P4，調制客制化模塊Q4，以達到此熱阻要求P4，詳細的客制化模塊Q4將在后續詳細說明；S5(電極形成)形成P側及η側電極于各晶粒的對應的電極區域上，作為電性連接至外部線路之用；S6(晶粒檢測)以一晶粒測試機(testing prober),測試各晶粒的光電特性是否符合要求，如定電壓的電流值(Iv);或波長特性如峰波長值(peak wavelength)或半峰寬幅(half-peak width)；S7(晶粒切割)在完成上述的生產流程之后，切割具有上述結構的晶片使各晶粒分離，成為一符合客戶需求的光電兀件。為方便說明，在寄存步驟Tl之前的生產流程統稱為前段流程；在客制化模塊之后的生產流程統稱為后續流程；而在前段流程與客制化流程之間存在一寄存步驟以保留依前段流程所預先完成的半成品，在客戶要求確收后，即可將保留于寄存步驟的半成品接續至對應的客制化模塊生產，以達到客戶的要求。此外，寄存步驟包含計時前段流程所完成的半 成品保留于寄存步驟的寄存時間，并預設一臨界時間，當寄存時間小于或接近于臨界時間始可進行客制化模塊；若寄存時間相等于臨界時間仍未收到或確認客戶要求，則生產流程執行旁通I步驟直接跳至下一步驟。圖2 圖5進一步揭示對應于圖I所示的客制化模塊Q1-Q4。請參考圖2進一步揭示對應于圖I所示的客制化模塊Q1。首先，在前段流程完成的半成品保留一預定數量于寄存步驟Tl，待收到客戶的亮度要求P1，即放行保留于寄存步驟的半成品以進行客制化模塊Ql，其中，客制化模塊Ql預設子模塊al及子模塊a2，分別對應亮度提升或亮度降低的要求，其中，亮度提升或亮度降低是相對于無任何客制化模塊所生產的標準產品。子模塊al包含一表面圖案化步驟，是利用微影/蝕刻工藝技術在磊晶表面形成具粗糙度的粗化表面，或形成具規則或不規則排列圖案的圖案化表面，以逹到亮度提升的要求；其中，藉由調整客制化參數apl，例如蝕刻時間、圖案化密度、或圖案尺寸，可得到具不同粗糙度或圖案的表面。子模塊al更包含一對照表或對照曲線，預先記錄客制化參數apl與亮度提升值的對應關系，以便根據客戶的亮度要求選取對應的客制化參數值，達到客戶的亮度要求。子模塊a2包含一形成遮光膜的步驟，是利用濺鍍機臺濺鍍一薄金屬層于所述的磊晶迭層之上以吸收一部份的光線，達到亮度降低的要求，其中，藉由調整客制化參數ap2，例如遮光膜厚度，可得到不同的遮光效果。子模塊a2又包含一對照表或對照曲線，預先記錄客制化參數ap2與亮度降低值的對應關系，以便根據客戶的亮度要求選取對應的客制化參數值，達到客戶的亮度要求。請參考圖3進一步揭示對應于圖I所示的客制化模塊Q2。客制化模塊Q2主要根據客戶的光形或出光角度要求P2，將保留于對應的寄存步驟Tl的半成品放行以進行客制化模塊Q2，其中，客制化模塊Q2預設子模塊bI及子模塊b2，以分別對應光形及出光角度要求。例如，子模塊bl包含形成一微結構層于磊晶迭層上以對應一光形要求，其中，藉由調整客制化參數bpl，例如調整微結構型態，可得到不同的光形，例如為不規則型態以形成漫射的光形、光子晶體型態以形成準直光的光形、或具長斜面的微結構以形成側向發光的光形。子模塊bl更包本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種光電元件的制造方法，包含：提供一前段流程，該前段流程包含：提供一成長基板；在該成長基板上形成一磊晶迭層以形成一半成品元件，該半成品元件具有一光電特性及一客制化參數；及測試該半成品元件的光電特性；提供一暫存步驟，該暫存步驟包含：保留該半成品元件；及提供一客制化模塊，該客制化模塊包含：依一客戶要求對該半成品元件調整該客制化參數。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：謝明勛，
申請(專利權)人：晶元光電股份有限公司，
類型：發明
國別省市：