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    軟起動一體化裝置制造方法及圖紙

    技術(shù)編號:8361540 閱讀:165 留言:0更新日期:2013-02-22 22:01
    軟起動一體化裝置,包括高壓一次側(cè)繞組、至少一個低壓二次側(cè)繞組、諧波控制二次側(cè)繞組、諧波治理電路、第一開關(guān)、第二開關(guān)和第三開關(guān),每一個低壓二次側(cè)繞組與反并聯(lián)晶閘管組件連接,所述諧波治理電路與諧波控制二次側(cè)繞組連接,第一開關(guān)一端接于電網(wǎng)中,另一端與電動機(jī)相連;高壓一次側(cè)繞組的第一端連接于電網(wǎng)中,第二端通過第二開關(guān)接地,第三開關(guān)的一端與電動機(jī)相連,該第三開關(guān)的另一端與該高壓一次側(cè)繞組的抽頭或者該高壓一次側(cè)繞組的第二端相連。本實(shí)用新型專利技術(shù)將無功補(bǔ)償、諧波治理與軟起動集成一體,可以提高軟起動的性能,既可滿足系統(tǒng)軟起動的功能,也可以進(jìn)行無功補(bǔ)償和諧波治理,以提高電網(wǎng)質(zhì)量,減少電能損耗。(*該技術(shù)在2021年保護(hù)過期,可自由使用*)

    【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

    軟起動一體化裝置
    本技術(shù)涉及一種電氣傳動領(lǐng)域,特別是軟起動領(lǐng)域。
    技術(shù)介紹
    隨著電網(wǎng)非線性負(fù)荷的增加及電力電子裝置的廣泛使用,功率因數(shù)低,諧波污染等問題日益凸顯。目前常用的方式是對負(fù)荷分別進(jìn)行無功補(bǔ)償及諧波治理。但這種方式使得配套的裝置體積龐大,不便于安裝和維護(hù)。本技術(shù)基于此種技術(shù)背景提出一種集無功補(bǔ)償、諧波治理及軟起動一體化的新型軟起動裝置,方便用戶在軟起動時進(jìn)行補(bǔ)償及諧波治理。
    技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
    本技術(shù)所要解決的技術(shù)問題是提供一種性能優(yōu)良、可靠性高的新型無功補(bǔ)償、諧波治理及軟起動一體化裝置。為解決上述技術(shù)問題,本技術(shù)提供一種軟起動一體化裝置,包括高壓一次側(cè)繞組、至少一個低壓二次側(cè)繞組、諧波控制二次側(cè)繞組、諧波治理電路、第一開關(guān)、第二開關(guān)和第三開關(guān),每一個低壓二次側(cè)繞組與反并聯(lián)晶閘管組件連接,所述諧波治 理電路與諧波控制二次側(cè)繞組連接,第一開關(guān)一端接于電網(wǎng)中,另一端與電動機(jī)相連;高壓一次側(cè)繞組的第一端連接于電網(wǎng)中,第二端通過第二開關(guān)接地,第三開關(guān)的一端與電動機(jī)相連,該第三開關(guān)的另一端與該高壓一次側(cè)繞組的抽頭或者該高壓一次側(cè)繞組的第二端相連。本技術(shù)的積極效果是本技術(shù)將無功補(bǔ)償、諧波治理與軟起動集成一體, 可以提高軟起動的性能,既可滿足系統(tǒng)軟起動的功能,也可以進(jìn)行無功補(bǔ)償和諧波治理,以提聞電網(wǎng)質(zhì)量,減少電能損耗。附圖說明圖I是本技術(shù)的第一實(shí)施例所提供的裝置圖;圖2是本技術(shù)的第二實(shí)施例所提供的裝置圖;圖3是本技術(shù)的第三實(shí)施例所提供的裝置圖;圖4是本技術(shù)的第四實(shí)施例所提供的裝置圖;圖5是本技術(shù)的第五實(shí)施例所提供的裝置圖;圖6是本技術(shù)的第六實(shí)施例所提供的裝置圖;其中,Wl-高壓一次側(cè)繞組,W20-諧波控制二次側(cè)繞組,W21、W22、W2n_低壓二次側(cè)繞組,K21、K22、K2n-反并聯(lián)晶閘管組件,Tl-諧波治理電路,C-無功補(bǔ)償組件,KU Κ2、 Κ3-開關(guān)。具體實(shí)施方式以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對本技術(shù)作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。如圖I所示,本技術(shù)第一實(shí)施例所提供的軟起動一體化裝置,包括高壓一次側(cè)繞組Wl,諧波控制二次側(cè)繞組W20,低壓二次側(cè)繞組W21,反并聯(lián)晶閘管組件K21,諧波治理電路Tl,無功補(bǔ)償組件C,開關(guān)K1、K2、K3。諧波治理電路包括多個絕緣柵雙極型晶體管。如圖I所示,本專利技術(shù)第一實(shí)施例所提供的軟起動一體化裝置,包括高壓一次側(cè)繞組Wl,諧波控制二次側(cè)繞組W20,低壓二次側(cè)繞組W21,反并聯(lián)晶閘管組件Kl,諧波治理電路 Tl。其中,低壓二次側(cè)繞組W21與反并聯(lián)晶閘管組件Κ21連接組成閉合回路。所述諧波治理電路Tl與諧波控制二次側(cè)繞組W20連接組成閉合回路。開關(guān)Kl 一端接于電網(wǎng)中, 另一端與電動機(jī)M相連。高壓一次側(cè)繞組Wl的第一端連接于電網(wǎng)中,第二端通過開關(guān)Κ2 接地。開關(guān)Κ3的一端與電動機(jī)M相連,開關(guān)Κ3的另一端與該高壓一次側(cè)繞組的第二端相連。電機(jī)軟起動時,開關(guān)Κ1、Κ2斷開,Κ3閉合。磁控調(diào)壓的高壓一次側(cè)繞組與電動機(jī)串接于電網(wǎng)中。當(dāng)高壓一次側(cè)繞組通以交流電壓后,繞組中有交流電流流動,由于繞組中存在鐵芯,從而形成磁動勢,因此鐵芯中出現(xiàn)交變磁通,這種交變磁通通過兩個 繞組,使其分別感應(yīng)出一個電動勢。此時通過控制反并聯(lián)晶閘管的移向?qū)ń牵{(diào)節(jié)低壓二次側(cè)繞組的勵磁電流,進(jìn)而調(diào)節(jié)高壓一次側(cè)繞組側(cè)的電抗值,實(shí)現(xiàn)電動機(jī)的調(diào)壓軟起動。起動完成后,開始諧波治理,KU Κ2閉合,Κ3斷開。諧波治理電路Tl根據(jù)控制中心發(fā)出的諧波補(bǔ)償指令信號去控制絕緣柵雙極型晶體IGBT開通和關(guān)斷,以產(chǎn)生相應(yīng)的補(bǔ)償電流通過諧波控制繞組W20對系統(tǒng)的諧波進(jìn)行治理。電機(jī)起動及運(yùn)行過程中,無功補(bǔ)償組件接收由控制中心發(fā)出的投切指令,投入或切除相應(yīng)容量的電容對系統(tǒng)進(jìn)行無功補(bǔ)償。如圖2所示,軟起動一體化裝置的第二實(shí)施例。本實(shí)施例同樣包括高壓一次側(cè)繞組W1,諧波控制二次側(cè)繞組W20,磁控調(diào)壓低壓二次側(cè)繞組W21,反并聯(lián)晶閘管組件Κ21,諧波治理電路Tl,開關(guān)KU Κ2、Κ3。本實(shí)施例與第一實(shí)施例的區(qū)別在于該開關(guān)Κ3—端與電動機(jī)M相連,開關(guān)Κ3的另一端與的該高壓一次側(cè)繞組Wl的抽頭相連。具體而言,高壓一次繞組側(cè)設(shè)有抽頭開關(guān)Κ3與電機(jī)串聯(lián),使輸出的勵磁電壓大小可調(diào),方便不同工作電壓的電機(jī)軟起動使用。其工作原理同實(shí)施例一。圖3是多二次繞組串繞的軟起動一體化裝置的第三實(shí)施例。第三實(shí)施例與第一實(shí)施例的區(qū)別在于其包括多個低壓二次側(cè)繞組W21、W22、……、W2n,所述多個低壓二次側(cè)繞組W21、W22、W2n采取串繞式。其中每個低壓二次側(cè)繞組W21、W22、……、W2n均與一組反并聯(lián)晶閘管K21、K22、……、K2n組成閉合回路。其余部分連接方式同實(shí)施例一,這里不再贅述。圖4是一次側(cè)設(shè)置了抽頭的多二次繞組串繞的無功補(bǔ)償、諧波治理及軟起動一體化裝置的第四實(shí)施例。第四實(shí)施例與第二實(shí)施例的區(qū)別在于其包括多個低壓二次側(cè)繞組 W21、W22、……、W2n,所述多個低壓二次側(cè)繞組W21、W22、W2n采取串繞式。其中每個低壓二次側(cè)繞組W21、W22、……、W2n均與一組反并聯(lián)晶閘管K21、K22、……、K2n組成閉合回路。其余部分連接方式同實(shí)施例二,這里不再贅述。圖5是多二次繞組并繞的軟起動一體化裝置的第五實(shí)施例。第五實(shí)施例與第一實(shí)施例的區(qū)別在于其包括多個低壓二次側(cè)繞組W21、W22、……、W2n,所述多個低壓二次側(cè)繞組W21、W22、W2n采取并繞式。其中每個低壓二次側(cè)繞組W21、W22、……、W2n均與一組反并聯(lián)晶閘管K21、K22、……、K2n組成閉合回路。其余部分連接方式同實(shí)施例一,這里不再贅述。圖6是一次側(cè)設(shè)置了抽頭的多二次繞組并繞的軟起動一體化裝置的第六實(shí)施例。第六實(shí)施例與第二實(shí)施例的區(qū)別在于其包括多個低壓二次側(cè)繞組W21、W22、……、 W2n,所述多個低壓二次側(cè)繞組W21、W22、W2n采取并繞式。其中每個低壓二次側(cè)繞組W21、 W22、……、W2n均與一組反并聯(lián)晶閘管K21、K22、……、K2n組成閉合回路。其余部分連接方式同實(shí)施例二,這里不再贅述。權(quán)利要求1.一種軟起動一體化裝置,其特征在于,包括高壓一次側(cè)繞組、至少一個低壓二次側(cè)繞組、諧波控制二次側(cè)繞組、諧波治理電路、第一開關(guān)、第二開關(guān)和第三開關(guān),每一個低壓二次側(cè)繞組與反并聯(lián)晶閘管組件連接,所述諧波治理電路與諧波控制二次側(cè)繞組連接,第一開關(guān)一端接于電網(wǎng)中,另一端與電動機(jī)相連;高壓一次側(cè)繞組的第一端連接于電網(wǎng)中,第二端通過第二開關(guān)接地,第三開關(guān)的一端與電動機(jī)相連,該第三開關(guān)的另一端與該高壓一次側(cè)繞組的抽頭或者該高壓一次側(cè)繞組的第二端相連。2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的軟起動一體化裝置,其特征在于,所述低壓二次側(cè)繞組的個數(shù)為多個,所述多個低壓二次側(cè)繞組采取串繞式。3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的軟起動一體化裝置,其特征在于,所述低壓二次側(cè)繞組的個數(shù)為多個,所述多個低壓二次側(cè)繞組采取并繞式。4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的軟起動一體化裝置,其特征在于,所述諧波治理電路包括多個絕緣柵雙極型晶體管。專利摘要軟起動一體化裝置,包括高壓一次側(cè)繞組、至少一個低壓二次側(cè)繞組、諧波控制二次側(cè)繞組、諧波治理電路、第一開關(guān)、第二開關(guān)和第三開關(guān),每一個低壓二次側(cè)繞組與反并聯(lián)晶閘管組件本文檔來自技高網(wǎng)...

    【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
    一種軟起動一體化裝置,其特征在于,包括高壓一次側(cè)繞組、至少一個低壓二次側(cè)繞組、諧波控制二次側(cè)繞組、諧波治理電路、第一開關(guān)、第二開關(guān)和第三開關(guān),每一個低壓二次側(cè)繞組與反并聯(lián)晶閘管組件連接,所述諧波治理電路與諧波控制二次側(cè)繞組連接,第一開關(guān)一端接于電網(wǎng)中,另一端與電動機(jī)相連;高壓一次側(cè)繞組的第一端連接于電網(wǎng)中,第二端通過第二開關(guān)接地,第三開關(guān)的一端與電動機(jī)相連,該第三開關(guān)的另一端與該高壓一次側(cè)繞組的抽頭或者該高壓一次側(cè)繞組的第二端相連。

    【技術(shù)特征摘要】

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:王怡華程世國寧國云黃聲華
    申請(專利權(quán))人:大禹電氣科技股份有限公司
    類型:實(shí)用新型
    國別省市:

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