本實(shí)用新型專利技術(shù)公開了一種太陽能電池的選擇性發(fā)射極結(jié)構(gòu)，包括n型晶體硅襯底，上表面分布有間斷的輕摻雜區(qū)，所述輕摻雜區(qū)的間斷處設(shè)有P++重?fù)诫s區(qū)。本實(shí)用新型專利技術(shù)工藝簡單、成本較低。（*該技術(shù)在2022年保護(hù)過期，可自由使用*）
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本技術(shù)涉及太陽能電池領(lǐng)域，特別涉及太陽能電池的選擇性發(fā)射極結(jié)構(gòu)。
技術(shù)介紹
低成本、高效率的太陽能電池(簡稱“電池”)是工業(yè)化電池生產(chǎn)的方向，而選擇性發(fā)射極電池?zé)o疑是實(shí)現(xiàn)高效率電池的重要方法之一。選擇性發(fā)射極電池的結(jié)構(gòu)主要特點(diǎn)首先和金屬化區(qū)域接觸的襯底形成重?fù)诫s區(qū)，非金屬區(qū)域形成輕摻雜區(qū)。目的是在保證金屬半導(dǎo)體接觸質(zhì)量的情況下，降低發(fā)射極的復(fù)合速率，提高藍(lán)波段的內(nèi)量子效率，提高短路電流密度和開壓。選擇性發(fā)射極具有良好的金屬接觸，金屬化區(qū)域重?fù)诫s區(qū)節(jié)深大，燒結(jié)過程中金屬等雜質(zhì)不容易進(jìn)入耗盡區(qū)形成深能級；金屬化高復(fù)合域和光照區(qū)域分離，載流子復(fù)合低，橫向高低結(jié)前場作用明顯，有利于光生載流子收集等優(yōu)點(diǎn)。目前實(shí)現(xiàn)選擇性發(fā)射極電池的主要方法有掩膜二次擴(kuò)散和一次重?cái)U(kuò)散后利用掩膜保護(hù)重?cái)U(kuò)散區(qū)進(jìn)行化學(xué)腐蝕形成輕摻雜區(qū)。但是這兩種方法工藝相對復(fù)雜，成本較高。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
技術(shù)目的針對上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問題和不足，本技術(shù)的目的是提供工藝簡單、成本較低的太陽能電池的選擇性發(fā)射極結(jié)構(gòu)及其制備方法。技術(shù)方案為實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，本技術(shù)采用的第一種技術(shù)方案為一種太陽能電池的選擇性發(fā)射極結(jié)構(gòu)，包括η型晶體硅襯底，上表面分布有間斷的輕摻雜區(qū)，所述輕摻雜區(qū)的間斷處設(shè)有P++重?fù)诫s區(qū)。進(jìn)一步地，所述襯底的厚度為160微米至220微米。本技術(shù)采用的第二種技術(shù)方案為一種太陽能電池的選擇性發(fā)射極結(jié)構(gòu)的制備方法，包括如下步驟(I)提供η型晶體硅片作為半導(dǎo)體襯底；(2)在半導(dǎo)體襯底表面在900至1100°C的環(huán)境下重?cái)U(kuò)散形成p++重?fù)诫s區(qū)(又稱重?fù)诫s發(fā)射極)；(3)在P++重?fù)诫s區(qū)上形成掩膜阻隔層；(4)利用等離子體干法刻蝕P++重?fù)诫s區(qū)，在掩膜阻隔層以外的區(qū)域形成輕摻雜區(qū)(又稱淺發(fā)射極)。進(jìn)一步地，所述半導(dǎo)體襯底的電阻率為O. 5至15 Ω ·αιι，襯底的厚度為160微米至220微米。進(jìn)一步地，所述步驟(2)中，以液態(tài)BBr3S原料擴(kuò)散形成ρ++重?fù)诫s區(qū)，該ρ++重?fù)诫s區(qū)的方塊電阻為20至60ohm/ 口。進(jìn)一步地，所述步驟(2)中，還包括在常溫下用重量百分比1%至10%的氫氟酸清洗P++重?fù)诫s區(qū)O. 5至lOmin，去除p++重?fù)诫s區(qū)表面的硼硅玻璃。進(jìn)一步地，所述步驟(3)中，使用噴墨印刷抗蝕劑作為掩膜阻隔層，然后烘干。更進(jìn)一步地，烘干溫度為100至350°C，烘干后的掩膜阻隔層的高度為5至20um，寬度為100至 500um。進(jìn)一步地，所述輕摻雜區(qū)的方塊電阻為60至150ohm/ 口。進(jìn)一步地，所述步驟(4)中，還包括先去除掩膜阻隔層，再清洗等離子體干法刻蝕后在硅片表面形成的殘留物。有益效果本技術(shù)采用一步擴(kuò)散工藝，相對二次擴(kuò)散工藝流程更簡單，并避免二次高溫造成的損傷；采用抗蝕劑作為掩膜阻隔層，通過等離子體選擇性的刻蝕在沒有掩膜阻隔層的區(qū)域形成輕摻雜區(qū)，和化學(xué)濕法刻蝕相比，工藝更加穩(wěn)定，易控制，腐蝕更均勻；等離子體干法刻蝕減少了環(huán)境污染，降低了廢液處理的成本。附圖說明圖I為η型晶體硅片作為半導(dǎo)體襯底的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為形成ρ++重?fù)诫s區(qū)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為形成掩膜阻隔層的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為形成輕摻雜區(qū)的結(jié)構(gòu)示意圖。具體實(shí)施方式以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例，進(jìn)一步闡明本技術(shù)，應(yīng)理解這些實(shí)施例僅用于說明本技術(shù)而不用于限制本技術(shù)的范圍，在閱讀了本技術(shù)之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員對本技術(shù)的各種等價(jià)形式的修改均落于本申請所附權(quán)利要求所限定的范圍。如圖I所示，提供η型多晶硅片為半導(dǎo)體襯底1，電阻率為O. 5^15 Ω cm。襯底的厚度190 ±30微米。如圖2所示，在多晶硅襯底I表面之上，以液態(tài)BBr3S原料在1000± 100°C的高溫下重?cái)U(kuò)散形成P++重?fù)诫s區(qū)2, P++重?fù)诫s區(qū)的方塊電阻宜控制在2(T60ohm/ □,然后常溫下用重量百分比1%至10%的HF，清洗時(shí)間為O. 5 lOmin，去除ρ++重?fù)诫s區(qū)表面的硼硅玻3 ο如圖3所示，在ρ++重?fù)诫s區(qū)2上使用噴墨印刷AZ4620抗蝕劑作為掩膜阻隔層3，在P++重?fù)诫s區(qū)表面形成電極柵線區(qū)，以100-350°C烘干后掩膜阻隔層的高度5-20um，寬度100_500umo如圖4所示，使用等離子體干法刻蝕，在掩膜阻隔層3以外的區(qū)域，形成輕摻雜區(qū)4，刻蝕氣體包括但不限于SF6和O2的混合氣體，例如CF4和O2或NF3和O2等亦可，以SF6和O2的混合氣體為例，SF6氣體流量200-3000sccm，O2氣體流量20-1000sccm，壓強(qiáng)10_80pa，功率3-20kw，刻蝕時(shí)間10-300S，刻蝕后的淺發(fā)射極方塊電阻宜控制在6(Tl50ohm/ □，量測49點(diǎn)方塊電阻值的方差可以控制在10以內(nèi)，比化學(xué)腐蝕形成的方塊電阻均勻性好，進(jìn)一步提高了效率。之后先用嘧啶酮化合物剝離液將抗蝕劑去除，然后使用重量百分比1%至10%的HF去除等離子刻蝕后在硅片表面形成的殘留物，后者的時(shí)間為5 20分鐘。權(quán)利要求1.一種太陽能電池的選擇性發(fā)射極結(jié)構(gòu)，包括η型晶體硅襯底，上表面分布有間斷的輕摻雜區(qū)，所述輕摻雜區(qū)的間斷處設(shè)有P++重?fù)诫s區(qū)。2.根據(jù)權(quán)利要求I所述太陽能電池的選擇性發(fā)射極結(jié)構(gòu)，其特征在于所述襯底的厚度為160微米至220微米。專利摘要本技術(shù)公開了一種太陽能電池的選擇性發(fā)射極結(jié)構(gòu)，包括n型晶體硅襯底，上表面分布有間斷的輕摻雜區(qū)，所述輕摻雜區(qū)的間斷處設(shè)有P++重?fù)诫s區(qū)。本技術(shù)工藝簡單、成本較低。文檔編號H01L31/0224GK202749378SQ201220324559公開日2013年2月20日 申請日期2012年7月5日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月5日專利技術(shù)者陳同銀, 馬杰華, 邢國強(qiáng) 申請人:合肥海潤光伏科技有限公司本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種太陽能電池的選擇性發(fā)射極結(jié)構(gòu)，包括n型晶體硅襯底，上表面分布有間斷的輕摻雜區(qū)，所述輕摻雜區(qū)的間斷處設(shè)有p++重?fù)诫s區(qū)。
【技術(shù)特征摘要】
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：陳同銀，馬杰華，邢國強(qiáng)，
申請(專利權(quán))人：合肥海潤光伏科技有限公司，
類型：實(shí)用新型
國別省市：
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