一種太陽能電池的結構制法，其包括下列步驟：金屬箔層制作步驟：于一基材上形成一金屬箔層；蝕刻步驟：于金屬箔層的預定位置上進行蝕刻，形成數個金屬箔層凹槽；太陽能光伏層制作步驟：于金屬箔層上形成一太陽能光伏層；第一激光切割步驟：以激光切割出數個太陽能光伏層凹槽；每一太陽能光伏層凹槽完全截斷該太陽能光伏層，具有一第二寬度；透明導電層制作步驟：于該太陽能光伏層上形成一透明導電層；第二激光切割步驟：以激光切割出數個凹槽后，即完成一太陽能電池的結構。本發明專利技術具有提高轉換效率的優點及功效。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種太陽能電池的結構制法，特別涉及一種可縮小金屬箔層凹槽寬度的太陽能電池的結構制法，其具有提高轉換效率的優點及功效。
技術介紹
如圖12所示，其為傳統太陽能電池的結構，其制法是先以激光83切割的方式對一玻璃基板910上的金屬箔層920進行加工，于該金屬箔層920形成數個金屬箔層凹槽921(如圖13所示)；之后,再進行一太陽能光伏層(Photovoltaic Layer) 930、一透明導電層940及數個凹槽970的制作，即完成一太陽能電池。太陽能電池包括數個有效區A及無效區B，有效區A同時具有金屬箔層920 (下電扱)、太陽能光伏層930及透明導電層940(上電極)；當太陽光照射時，光能將硅原子(太·陽能光伏層930)中的電子激發出來，而產生電子和電洞的對流，并以上、下電極連接而形成ー個回路。也就是說，光線只會與該有效區A反應而產生電流，且當該有效區A的區域愈大時，其電能轉換效率也相對愈高。如圖13所不,但一般太陽能電池以激光83切割的方式切割該金屬箔層凹槽921,其切割寬度S4較大(約為50 μ m至100 μ m之間)，在切割數個金屬箔層凹槽921后，使得該金屬箔層920因切割的損失也相對增加，該有效區A也因此而縮小，與一光線75的反應范圍也相對較小(圖12的反射箭頭)，進而影響整體電能轉換效率(如圖12所示，該有效區A及該無效區B的總寬度為ー預定寬度W，該有效區A具有一第二有效區寬度W21，而該無效區B具有一第二無效區寬度W22)。因此，有必要研發新產品，以解決上述缺點及問題。
技術實現思路
為解決現有技術存在的金屬箔層凹槽寬度較大而使得有效區縮小的問題，本專利技術提供一種太陽能電池的結構制法，其具有提高轉換效率的優點及功效。本專利技術解決其技術問題所采用的技術方案是一種太陽能電池的結構制法，其包括下列步驟金屬箔層制作步驟于一基材上形成一金屬箔層；蝕刻步驟于該金屬箔層的預定位置上進行蝕刻，形成數個金屬箔層凹槽；又，姆ー金屬箔層凹槽完全截斷該金屬箔層，且具有一第一寬度，該第一寬度介于10 μ m至30 μ m之間；太陽能光伏層制作步驟于該金屬箔層上形成一太陽能光伏層；第一激光切割步驟以激光切割出數個太陽能光伏層凹槽；每一太陽能光伏層凹槽完全截斷該太陽能光伏層，且具有一第二寬度，該第二寬度介于10 μ m至50 μ m之間；透明導電層制作步驟于該太陽能光伏層上形成一透明導電層；第二激光切割步驟以激光切割出數個凹槽后，即完成一太陽能電池的結構；又，每ー凹槽完全截斷該透明導電層及該太陽能光伏層，且具有一第三寬度，該第三寬度介 10 μ m M 50 μ m え|1]。前述的太陽能電池的結構制法，其中金屬箔層的材質采用銅、鋁、銀或不銹鋼。本專利技術的有益效果是，其具有提高轉換效率的優點及功效。附圖說明下面結合附圖和實施例對本專利技術進ー步說明。圖I是本專利技術的太陽能電池的結構制法的流程示意圖。 圖2A是本專利技術的金屬箔層制作步驟的示意圖。圖2B是本專利技術的金屬箔層的剖視示意圖。圖3A是本專利技術的蝕刻步驟流程一的示意圖。圖3B是本專利技術的蝕刻步驟流程一的剖視示意圖。圖4A是本專利技術的蝕刻步驟流程ニ的示意圖。圖4B是本專利技術的蝕刻步驟流程ニ的剖視示意圖。圖5A是本專利技術的蝕刻步驟流程三的示意圖。圖5B是本專利技術的蝕刻步驟流程三的剖視示意圖。圖6A是本專利技術的蝕刻步驟流程四的示意圖。圖6B是本專利技術的蝕刻步驟流程四的剖視示意圖。圖7A是本專利技術的太陽能光伏層制作步驟的示意圖。圖7B是本專利技術的太陽能光伏層制作步驟的剖視示意圖。圖8A是本專利技術的第一激光切割步驟的示意圖。圖SB是本專利技術的第一激光切割步驟的剖視示意圖。圖9A是本專利技術的透明導電層制作步驟的示意圖。圖9B是本專利技術的透明導電層制作步驟的剖視示意圖。圖IOA是本專利技術的第二激光切割步驟的示意圖。圖IOB是本專利技術的第二激光切割步驟的剖視示意圖。圖11是本專利技術的太陽能電池的結構示意圖。圖12是傳統太陽能電池的示意圖。圖13是傳統太陽能電池的金屬箔層凹槽制作的示意圖。圖中標號說明10基材20金屬箔層21金屬箔層凹槽30太陽能光伏層31太陽能光伏層凹槽40透明導電層51金屬箔層制作步驟52蝕刻步驟53太陽能光伏層制作步驟 54第一激光切割步驟55透明導電層制作步驟56第二激光切割步驟60光阻劑70凹槽75光線81預定燈源82光罩83激光920金屬箔層921金屬箔層凹槽930太陽能光伏層940透明導電層970凹槽SI第一寬度S2第二寬度S3第三寬度S4第四寬度W預定寬度Wll第一有效區寬度W12第一無效區寬度W21第二有效區寬度W22第二無效區寬度A有效區B無效區具體實施例方式如圖I所示，本專利技術為一種太陽能電池的結構制法，其包括下列步驟金屬箔層制作步驟51 :如圖2A及圖2B所示，于ー基材10上進行金屬鍍膜或為壓合貼附(例如銅、鋁、銀及不銹鋼等)，形成一金屬箔層20 (也就是下電極)。該基材10的材質可為聚酰亞胺(Polyimide,簡稱PI)、聚酯(Polyester,簡稱PET)或こ烯/醋酸こ烯酯共聚物(Ethylene Vinyl Acetate,簡稱為EVA)。蝕刻步驟52 :如于該金屬箔層20的預定位置上進行蝕刻，形成數個金屬箔層凹槽21 ;又,姆ー金屬箔層凹槽21完全截斷該金屬箔層20,且具有一第一寬度SI,該第一寬度SI介于10 μ m至30 μ m之間。關于該金屬箔層凹槽21的蝕刻,先將一光阻劑60涂布于該金屬箔層20上，再利用一預定燈源81 (例如紫外光)及一光罩82對預定位置的進行曝光(請參閱圖3A及圖3B);接著，以顯影劑移除經曝光的光阻劑60后(如圖4A及圖4B所示)，再進行蝕刻，使該金屬箔層20無光阻劑60的部份被蝕刻而形成該金屬箔層凹槽21 (如圖5A及圖5B所示)；最后，將剩余的該光阻劑60去除，即完成數個金屬箔層凹槽21的制作(如圖6A及圖6B所示)。上述舉例為一般的正光阻微影制程，在實務上，也可利用負光阻微影制程來達成(負光阻不適合小于3 μ m以下的制程技術)。太陽能光伏層制作步驟53 :如圖7A及圖7B所示，于該金屬箔層20上形成一太陽能光伏層30 (Photovoltaic),例如娃薄膜、CIGS (銅銦鎵硒，Copper Indium GalliumDiselenide);以硅薄膜來說，其可以濺鍍或電漿輔助化學氣相沉積法(PECVD)形成于該金屬箔層20上。第一激光切割步驟54 :如圖8A及圖8B所示，以ー激光83切割出數個太陽能光伏層凹槽31 ;姆一太陽能光伏層凹槽31完全截斷該太陽能光伏層30,且具有一第二寬度S2，該第二寬度S2介于ΙΟμπι至50μπι之間。透明導電層制作步驟55 :如圖9Α及圖9Β所示，于該太陽能光伏層30上形成一透明導電層40 (或稱上電極)。第二激光切割步驟55 :如圖10Α及圖10Β所示，以ー激光83切割出數個凹槽70后，即完成一太陽能電池的結構100 ;又，每ー凹槽70完全截斷該透明導電層40及該太陽能光伏層30，且具有一第三寬度S3，該第三寬度S3介于10 μ m至50 μ m之間。關于本專利技術的制法所制出的太陽能電池的結構100，其包括數個有效區A及無效區B (如圖10B)，有效區A同時具有該金屬箔層20 (本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種太陽能電池的結構制法，其特征在于，包括下列步驟：[1]金屬箔層制作步驟：于一基材上形成一金屬箔層；[2]蝕刻步驟：于該金屬箔層的預定位置上進行蝕刻，形成數個金屬箔層凹槽；又，每一金屬箔層凹槽完全截斷該金屬箔層，且具有一第一寬度，該第一寬度介于10μm至30μm之間；[3]太陽能光伏層制作步驟：于該金屬箔層上形成一太陽能光伏層；[4]第一激光切割步驟：以激光切割出數個太陽能光伏層凹槽；每一太陽能光伏層凹槽完全截斷該太陽能光伏層，且具有一第二寬度，該第二寬度介于10μm至50μm之間；[5]透明導電層制作步驟：于該太陽能光伏層上形成一透明導電層；[6]第二激光切割步驟：以激光切割出數個凹槽后，即完成一太陽能電池的結構；又，每一凹槽完全截斷該透明導電層及該太陽能光伏層，且具有一第三寬度，該第三寬度介于10μm至50μm之間。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：李碩仁，陳貽和，
申請(專利權)人：元智大學，
類型：發明
國別省市：
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