一種紅外遙控放大器制造技術

本實用新型專利技術涉及電子元器件，具體是具有電磁屏蔽的紅外遙控放大器封裝結構。本實用新型專利技術的紅外遙控放大器，包括引線框架、光電芯片、模擬IC芯片、一次封裝殼體和二次封裝殼體，光電芯片和模擬IC芯片固定于引線框架后由一次封裝殼體封裝起來，并在一次封裝殼體上除去光電芯片對應的透光窗口區域和引線框架的非地線引腳的周邊區域外的其他區域鍍上一層金屬材質鍍層，然后將二次封裝殼體封裝于一次封裝殼體外。本實用新型專利技術是紅外遙控接收放大器的一種改進封裝結構，可以提高抗電磁干擾能力。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及電子元器件，具體是具有電磁屏蔽的紅外遙控放大器封裝結構。
技術介紹
紅外遙控接收放大器(業內俗稱“紅外遙控接收頭”)是一種廣泛應用在電子電路中的電子元器件。它是一種集成的封裝元器件，主要由引線框架、封裝殼體、光電芯片和模擬IC芯片構成，用來接收紅外遙控信號并放大輸出。為了保證紅外遙控接收放大器在使用的穩定性，在對抗電磁干擾方面均會采用一定措施進行電磁屏蔽。現有的紅外遙控接收放大器的電磁屏蔽結構最常見的是采用鐵材制作的外殼，對模擬IC芯片進行屏蔽。外屏蔽產品的不足之處主要是外套外殼制作工序多，效率低，并且還需要同引線框架地端焊接相連。同時外殼受到外界氣候條件的影響，容易氧化生銹。另外，還有就是采用內屏蔽方式，內屏蔽分為一體化內屏蔽和分立內屏蔽。參閱圖Ia和圖Ib所示，一體化內屏蔽是通過將引線框架自身的一部分折起形成屏蔽層，只能有上下兩個面進行屏蔽，模擬IC芯片的四周側面都留空，沒有屏蔽；同時材質同引線框架所用材質相同，只能鐵和銅兩類材料，選擇余地較小。參閱圖2a、圖2b和圖2c所示，分立內屏蔽結構的制作比較復雜，就是先在引線框架2側面折起形成支點，然后再蓋合一個屏蔽蓋，這樣同時也最多有4個面進行屏蔽，頂部和底部也是需要留空。同時若外殼的材質引線框架材質不同，并且外殼厚度最少O. 2_，相應熱膨脹系數不同，產生的應力會影響到產品的可靠性。或者是在內屏蔽方式的基礎上再增加外屏蔽，這種屏蔽方式的屏蔽效果比單獨的內屏蔽或外屏蔽更佳，但是結構也復雜化，成本也進一步提升，同時一樣存在上述2種屏蔽方式的不足之處。
技術實現思路
本技術的目的在于提高紅外遙控放大器產品的抗電磁干擾能力。通過二次封裝，在產品內部增加一個金屬屏蔽體，增強產品對電磁干擾信號的屏蔽效果，擴大了產品應用范圍，克服了現有屏蔽方式的不足之處。本技術的技術方案是—種紅外遙控放大器,包括引線框架、光電芯片、模擬IC芯片、一次封裝殼體和二次封裝殼體，光電芯片和模擬IC芯片固定于引線框架后由一次封裝殼體封裝起來，并在一次封裝殼體上除去光電芯片對應的透光窗口區域和引線框架的非地線引腳的周邊區域外的其他區域鍍上一層金屬材質鍍層，然后將二次封裝殼體封裝于一次封裝殼體外。進一步的，所述的一次封裝殼體內的引線框架設有內屏蔽結構。更進一步的，所述的內屏蔽結構是一體化內屏蔽結構或是分立內屏蔽結構。本技術采用如上的技術方案，通過一次封裝殼體上鍍上一層金屬材質鍍層，通過該金屬材質鍍層與紅外遙控放大器引線框架的地線引腳電性連接接觸，而形成一個較密閉的金屬屏蔽體，然后進行第二次封裝保護起來。本技術與現有產品的區別在于I、屏蔽體相對封閉，可以做到5個面的完全屏蔽，并金屬屏蔽腔體不受外界氣候影響；2、金屬屏蔽體的金屬材質可以根據實際需要靈活選擇；3、金屬屏蔽體厚度薄，厚度達到微米級別，相應熱膨脹影響小。附圖說明圖Ia是一體化內屏蔽的引線框架的立體示意圖；圖Ib是一體化內屏蔽的引線框架的側面示意圖；圖2a是分立內屏蔽的引線框架的立體示意圖；圖2b是分立內屏蔽的引線框架安裝屏蔽蓋后的立體示意圖；圖2c是分立內屏蔽的引線框架的側面示意圖；圖3是光電芯片、模擬IC芯片固定于引線框架的結構示意圖；圖4是引線框架封裝一次封裝殼體后并鍍上一層金屬材質鍍層的結構示意圖；圖5是一次封裝殼體上封裝二次封裝殼體后的結構示意圖；圖6是實施例的紅外遙控放大器的剖視圖。具體實施方式現結合附圖和具體實施方式對本技術進一步說明。實施例I :參閱圖3所示，是一實施例的紅外遙控放大器的光電芯片、模擬IC芯片固定于引線框架的結構示意圖。下文以一貼片式的紅外遙控放大器實施例結構進行說明，插件式的紅外遙控放大器的結構與之類似。引線框架I的主體部分上固定有光電芯片2和模擬IC芯片3，引線框架I的上端和下端分別引出3根和2根管腳，其中下端的管腳11和上端的2根管腳14、15均是連接在引線框架的主體部分，構成地線引腳GND，而下端的另外2根獨立的非地線引腳12、13分別是高電平引腳VCC和輸出引腳0UT，并通過引線電性接于光電芯片2和模擬IC芯片3的相應端口。參閱圖4所示，是在圖I的引線框架的基礎上封裝一次封裝殼體4。一次封裝殼體4可以采用常規的透光的環氧樹脂材質進行封裝。并且一次封裝殼體4上除去光電芯片2對應的透光窗口區域41和引線框架I的引腳12 (高電平引腳VCC)、引腳13 (輸出引腳OUT)的周邊區域外的其他區域鍍上一層金屬材質鍍層。光電芯片2對應的透光窗口區域41不鍍金屬材質鍍層的目的是為了讓紅外光可以投射至光電芯片2。一次封裝殼體4上除引線框架I上的非地線引腳的區域均鍍上一層金屬材質鍍層，是為了構成全方位的金屬屏蔽結構。本實施例中除了引線框架I下端的下3根管腳11、12、13的面不鍍金屬材質鍍層，其他的5個面均是鍍有金屬材質鍍層的，這樣的金屬屏蔽體相對封閉，可以做到5個面的完全屏蔽。并且，由于引線框架I上端的管腳14、15是地線引腳，引線框架上端的一面鍍有金屬材質鍍層，就會與地線構成電性連接接觸，從而實現良好的電磁屏蔽效果。當然了，由于引線框架I下端最左邊的管腳11也是地線引腳GND，也可以該管腳11的周圍但避開管腳12、13的區域也鍍上金屬材質鍍層，則屏蔽效果略有提升。但在生產操作上就相對麻煩，需要先遮擋住包圍管腳12、13的區域，然后鍍完金屬材質鍍層后再移出遮擋物，不如實施例中的僅對除引線框架I下端面外的5面進行鍍層來得簡單。其中，一次封裝殼體上鍍上金屬材質鍍層的方法可以是利用塑料電鍍或者納米鏡面噴鍍的方法，即可把包括銅、銀、鋅等各種金屬材料鍍在一次封裝殼體的外表面上。參閱圖5和圖6所示，完成上述的結構后，再將二次封裝殼體5封裝于一次封裝殼體4外，形成最終的紅外遙控放大器的產品結構。二次封裝殼體5也可以是采用常規的透光的環氧樹脂材質進行封裝。實施例2 實施例2是在實施例I的金屬材質鍍層構成外屏蔽的基礎上增加一體化內屏蔽結構，以進一步提升抗電磁干擾性能，引線框架I上形成一體化內屏蔽結構與
技術介紹
中記載的現有的一體化內屏蔽結構相同，具體可以參閱圖Ia和圖Ib所示的結構，于此不再贅述。實施例3實施例3在實施例I的金屬材質鍍層構成外屏蔽的基礎上增加分立內屏蔽結構，以進一步提升抗電磁干擾性能，引線框架I上形成分立內屏蔽結構與
技術介紹
中記載的現有的分立內屏蔽結構相同，具體可以參閱圖2a、圖2b和圖2c所示的結構，于此也不再贅述。盡管結合優選實施方案具體展示和介紹了本技術，但所屬領域的技術人員應該明白，在不脫離所附權利要求書所限定的本技術的精神和范圍內，在形式上和細節上可以對本技術做出各種變化，均為本技術的保護范圍。權利要求1.一種紅外遙控放大器,包括引線框架、光電芯片、模擬IC芯片、一次封裝殼體和二次封裝殼體，光電芯片和模擬IC芯片固定于引線框架后由一次封裝殼體封裝起來，并在一次封裝殼體上除去光電芯片對應的透光窗口區域和引線框架的非地線引腳的周邊區域外的其他區域鍍上一層金屬材質鍍層，然后將二次封裝殼體封裝于一次封裝殼體外。2.根據權利要求I所述的紅外遙控放大器，其特征在于所述的一次封裝殼體內的引線框架設有內屏蔽結構。3.根據權利要求2所述的紅外遙控放大器，其特本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種紅外遙控放大器，包括引線框架、光電芯片、模擬IC芯片、一次封裝殼體和二次封裝殼體，光電芯片和模擬IC芯片固定于引線框架后由一次封裝殼體封裝起來，并在一次封裝殼體上除去光電芯片對應的透光窗口區域和引線框架的非地線引腳的周邊區域外的其他區域鍍上一層金屬材質鍍層，然后將二次封裝殼體封裝于一次封裝殼體外。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：陳巍，鐘繼發，
申請(專利權)人：廈門華聯電子有限公司，
類型：實用新型
國別省市：