耐溫耐壓電容觸摸屏面板制造技術(shù)

本實用新型專利技術(shù)公開了一種耐溫耐壓電容觸摸屏面板，包括玻璃基板，在所述玻璃基板的背面形成有金屬薄膜導(dǎo)線黑膜遮蔽邊框，所述黑膜遮蔽邊框包括沉積在所述玻璃基板上的黑色碳化鈦薄膜或黑色碳氮化鈦薄膜以及沉積在其上的二氧化硅薄膜。本實用新型專利技術(shù)利用碳化鈦（TiN）或碳氮化鈦（TiCN）薄膜具有高吸收率的特點，將真空鍍黑色碳化鈦（TiC）或碳氮化鈦（TiCN）薄膜作為遮蔽金屬薄膜導(dǎo)線的涂層，能夠有效地抵抗高溫高壓，提高了觸摸屏面板和柔性線路板（FPC）的綁定良率，大大降低了OGS電容觸摸屏模組的生產(chǎn)成本。（*該技術(shù)在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

耐溫耐壓電容觸摸屏面板
本技術(shù)涉及一種電容式觸摸屏面板，特別是涉及一種耐溫耐壓電容觸摸屏面板。
技術(shù)介紹
目前投射式電容式觸摸屏市場上出現(xiàn)了一種以單片玻璃觸控面板替代觸控玻璃(Touch Sensor)與保護玻璃(Cover Glass)整合在一起的產(chǎn)品，大家習(xí)慣稱之為 “0GS，，---one glass solution。電容觸摸屏昂貴的生產(chǎn)成本是企業(yè)競爭的主要壓力，“0GS”方式的電容觸摸屏從結(jié)構(gòu)中省去了一片玻璃，大大降低了生產(chǎn)的成本，同時觸摸屏面板可以做得更輕更薄，再有，一片玻璃結(jié)構(gòu)可以降低投射光的反射率，從而使觸摸屏的顯示更清晰。任何電容式觸摸屏都要通過一定寬度和厚度的金屬薄膜導(dǎo)線作為信號傳輸載體，而金屬薄膜導(dǎo)線的反射光透過玻璃基材進入人們視野，影響了觸摸屏正面的視覺外觀。為了遮蔽觸摸屏四周的金屬薄膜導(dǎo)線，當前的OGS電容式觸摸屏都是采用預(yù)先涂布一層有機類的黑色光阻劑或者絲網(wǎng)印刷黑色油墨的方式來進行遮蔽的。可是在后續(xù)觸摸屏模組的制程中需要通過異性導(dǎo)電膠 (又稱ACF)為介質(zhì)，在加熱15(Tl80度左右、加壓2飛Mpa左右的方式下將柔性線路板(又稱 FPC)和觸摸屏的金屬薄膜導(dǎo)線綁定在一起。這樣的綁定條件往往會引起用來遮蔽金屬薄膜導(dǎo)線的有機類黑色光阻層或油墨層無法承受而破裂，使得柔性線路板和觸摸屏的金屬薄膜導(dǎo)線發(fā)生錯位，這樣觸摸屏模組綁定的良率就大大降低了，生產(chǎn)的效率和成本也受到很大影響。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本技術(shù)為解決公知技術(shù)中存在的技術(shù)問題而提供一種耐溫耐壓電容觸摸屏面板，該面板能夠提高它和柔性線路板(FPC)綁定制程中模組的良率。本技術(shù)為解決公知技術(shù)中存在的技術(shù)問題所采取的技術(shù)方案是一種耐溫耐壓電容觸摸屏面板，包括玻璃基板，在所述玻璃基板的背面形成有金屬薄膜導(dǎo)線黑膜遮蔽邊框，所述黑膜遮蔽邊框包括沉積在所述玻璃基板上的黑色碳化鈦薄膜或黑色碳氮化鈦薄膜以及沉積在其上的二氧化硅薄膜。所述碳化鈦薄膜或所述碳氮化鈦薄膜的膜厚為50 500埃。所述二氧化硅薄膜的膜厚為1000 3000埃。本技術(shù)具有的優(yōu)點和積極效果是利用碳化鈦(TiN)或碳氮化鈦(TiCN)薄膜具有高吸收率的特點，將真空鍍黑色碳化鈦(TiC)或碳氮化鈦(TiCN)薄膜作為遮蔽金屬薄膜導(dǎo)線的涂層，能夠有效地抵抗高溫高壓，提高了觸摸屏面板和柔性線路板(FPC)的綁定良率，大大降低了 OGS電容觸摸屏模組的生產(chǎn)成本。附圖說明圖1為制造本技術(shù)步驟二)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為制造本技術(shù)步驟五)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為制造本技術(shù)步驟六)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本技術(shù)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是圖4的A-A剖視圖；圖6是圖5的局部放大圖；圖7為采用本技術(shù)與柔性線路板進行貼合制程的結(jié)構(gòu)示意圖；圖8為圖7中柔性線路板的示意圖。圖中1、玻璃基板，2、金屬薄膜導(dǎo)線設(shè)計遮蔽邊框，3、局部遮擋層，4、黑色碳化鈦 薄膜或黑色碳氮化鈦薄膜，5、二氧化硅薄膜，6、金屬薄膜導(dǎo)線黑膜遮蔽邊框，7、透明可視 區(qū)，8、透明IT0導(dǎo)電膜，9、金屬薄膜導(dǎo)線，10、0C保護層，11、柔性線路板，12、綁定區(qū)域。具體實施方式為能進一步了解本技術(shù)的
技術(shù)實現(xiàn)思路
、特點及功效，茲例舉以下實施例，并配合 附圖詳細說明如下請參見圖4 圖6，一種耐溫耐壓電容觸摸屏面板，包括玻璃基板1，在所述玻璃基 板1的背面形成有金屬薄膜導(dǎo)線黑膜遮蔽邊框6，所述黑膜遮蔽邊框6包括沉積在所述玻璃 基板1上的黑色碳化鈦薄膜或黑色碳氮化鈦薄膜4以及沉積在其上的二氧化硅薄膜5。上述耐溫耐壓電容觸摸屏面板的制造方法一)對觸摸屏用玻璃基板1進行清洗和干燥。一般采用通用的玻璃清洗劑或DI去 離子水作為清洗液，采用毛刷式清洗機或者超聲波清洗機清洗，并在清洗后進行干燥。二)請參見圖1和圖4 6，在清潔干燥的玻璃基板1背面除金屬薄膜導(dǎo)線設(shè)計遮 蔽邊框2之外的區(qū)域形成可去除的局部遮擋層3。局部遮擋層3可以采用絲印水溶性油墨 或可剝離膠的方法形成，并在絲印完畢后進行固化，以形成遮擋層3。三)待遮擋層固化后，在有局部遮擋層3的玻璃基板1的背面，采用真空鍍膜的方 法沉積一層黑色碳化鈦薄膜或黑色碳氮化鈦薄膜4，膜厚最好為50 500埃。通常的方法為在真空濺射鍍膜過程中，通入反應(yīng)高純氣體乙炔(C2H2)和氮氣 (N2)來與濺射出來的鈦發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成TiC薄膜或碳氮化鈦(TiCN)薄膜，膜厚控制在 50 500埃之間，一般要求透過率< 3%。四)為了減少碳化鈦(TiC)薄膜或碳氮化鈦(TiCN)薄膜4對后續(xù)觸摸屏制程中金 屬薄膜導(dǎo)線9的電性能干擾，在碳化鈦薄膜或碳氮化鈦薄膜4表面采用真空鍍膜的方法沉 積一層絕緣的二氧化硅薄膜5作為絕緣層，起到絕緣保護作用。二氧化硅薄膜5的膜厚最 好為1000 3000埃。五)去除局部遮擋層3及其上的黑色碳化鈦薄膜及二氧化硅薄膜5或碳氮化鈦薄 膜以及二氧化硅薄膜5，得到下一制程中所需要的帶有金屬薄膜導(dǎo)線黑膜遮蔽邊框6和透 明可視區(qū)7的玻璃基板，請參見圖2。如果局部遮擋層是用水溶性油墨形成的，用DI去離子水進行清洗，就可去除局部 遮擋層3及其上的黑色碳化鈦薄膜及二氧化硅薄膜或碳氮化鈦薄膜及二氧化硅薄膜；如果 遮擋層是用可剝離膠形成的，手撕可剝離膠，就可去除局部遮擋層3及其上的黑色碳化鈦薄膜及二氧化硅薄膜或碳氮化鈦薄膜及二氧化硅薄膜。六)進行觸摸屏黃光制程處理，請參見圖3，在玻璃基板I的背面，透明可視區(qū)7上形成透明ITO導(dǎo)電膜8，在黑膜遮蔽邊框6上形成與透明ITO導(dǎo)電膜8相連的金屬薄膜導(dǎo)線 9，并在金屬薄膜導(dǎo)線9上形成OC保護層10，用于保護金屬薄膜導(dǎo)線9，防止其被氧化，請參見圖3和圖4 6。OC又稱有機光阻，由有機溶劑、樹脂、感光劑等組成。觸摸屏黃光制程處理為現(xiàn)有技術(shù)，在此不再贅述。七)用CNC數(shù)控機床進行外形尺寸加工，形成耐溫耐壓電容觸摸屏面板，請參見圖 4 圖6。請參閱圖7和圖8，采用上述方法制造的觸摸屏面板通過專用的貼合機與柔性線路板(FPC) 11進行貼合時，采用異性導(dǎo)電膠(又稱ACF)為連接介質(zhì)，貼合需要在溫度為 150 180度、壓力為2 5Mpa的條件下完成。由于黑色碳化鈦(TiC)薄膜或碳氮化鈦(TiCN) 薄膜和二氧化硅(Si02)薄膜均屬于無機化合物，具有極高的耐溫耐壓特性，不會發(fā)生斷裂， 也不會造成柔性線路板(FPC) 11與金屬薄膜導(dǎo)線9錯位，因此采用上述方法制造的觸摸屏面板能夠在滿足對金屬薄膜導(dǎo)線形成遮蔽的同時，提高OGS電容式觸摸屏面板和柔性線路板(FPC)綁定制程中模組的良率，圖中用圓圈圈定的區(qū)域為綁定區(qū)域12。盡管上面結(jié)合附圖對本技術(shù)的優(yōu)選實施例進行了描述，但是本技術(shù)并不局限于上述的具體實施方式，上述的具體實施方式僅僅是示意性的，并不是限制性的，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本技術(shù)的啟示下，在不脫離本技術(shù)宗旨和權(quán)利要求所保護的范圍情況下，還可以作出很多形式，這些均屬于本技術(shù)的保護范圍之內(nèi)。權(quán)利要求1.一種耐溫耐壓電容觸摸屏面板，包括玻璃基板，其特征在于，在所述玻璃基板的背面形成有金屬薄膜導(dǎo)線黑膜遮蔽邊框，所述黑膜遮蔽邊框包括沉積在所述玻璃基板上的黑色碳化鈦薄膜或黑色碳氮化鈦薄膜以及沉積在其上的二氧化硅薄膜。2.根據(jù)權(quán)利要求I所本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護點】
一種耐溫耐壓電容觸摸屏面板，包括玻璃基板，其特征在于，在所述玻璃基板的背面形成有金屬薄膜導(dǎo)線黑膜遮蔽邊框，所述黑膜遮蔽邊框包括沉積在所述玻璃基板上的黑色碳化鈦薄膜或黑色碳氮化鈦薄膜以及沉積在其上的二氧化硅薄膜。

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：陳奇，沈勵，許沭華，遲曉暉，
申請(專利權(quán))人：蕪湖長信科技股份有限公司，
類型：實用新型
國別省市：