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    一種電抗器隔離的礦用變頻器調速裝置制造方法及圖紙

    技術編號:8343812 閱讀:224 留言:0更新日期:2013-02-17 14:27
    本實用新型專利技術公開了一種電抗器隔離的礦用變頻器調速裝置,包括用于放置元器件的兩個腔室;在所述兩層腔室之間,具有用于隔熱的隔離層,兩層腔室形成上下層結構。輸入電抗器、輸出電抗器、進線腔、出線腔等位于上層隔離腔室內。功率器件及水冷系統放在下層主腔室內。隔離腔室和主腔室之間裝有隔熱板,同時兩電抗器用絕緣導熱材料進行澆鑄。本結構方案簡單,隔離腔室和主腔室的散熱相對隔開,系統的穩定性大大加強。(*該技術在2022年保護過期,可自由使用*)

    【技術實現步驟摘要】

    本技術涉及一種礦用機電設備,特別是一種電抗器隔離的礦用變頻器調速裝置。
    技術介紹
    ·隨著變頻技術的不斷發展,在很多場合對功率的要求越來越大,功率越大,意味著熱量越高,因此散熱問題成了結構設計的關鍵。另,影響變頻器腔內溫度的不僅僅是功率器件的發熱,隨著功率的增大,輸入電抗器、輸出電抗器等發熱也不容忽視。傳統技術的散熱解決方案主要采用熱管散熱和水冷散熱兩種方式,但是以上兩種方式在系統內所占的體積都較大,且不能有效降低變頻器腔內的溫度。
    技術實現思路
    有鑒于此,本技術的目的在于提供一種電抗器隔離的礦用變頻器的調速裝置,以解決上述散熱方式不能有效降低變頻器腔內的溫度的問題。為了實現上述目的,本技術采用如下技術方案一種電抗器隔離的礦用變頻器的調速裝置,包括用于放置元器件的兩個腔室;在所述兩層腔室之間,具有用于隔熱的隔離層。優選地,所述隔離層包括至少一層隔熱板。優選地,所述隔熱板的材質為環氧板或PC板。優選地,所述兩層腔室形成上、下層結構;所述上層腔室為上層隔離腔室;所述上層隔離腔室的兀器件至少包括一個輸入電抗器和一個輸出電抗器。優選地,所述輸入電抗器和輸出電抗器的外表面具有澆鑄形成的絕緣導熱材料體。優選地,所述絕緣隔熱材料體為有機硅彈性體。 優選地,所述有機硅彈性體為RTV硅橡膠或LTV硅凝膠。優選地,下層腔室安裝有為元器件散熱的水冷系統。相對于現有技術,本技術具有以下優點將上層腔與下層腔采用隔熱板進行隔離,形成隔熱層。進一步地,將上層腔的主要發熱器件電抗器采用絕緣導熱材料進行澆鑄,這種設計的好處是,可以很有效隔離上下層腔室工作時產生的熱量,從而在保證系統工作穩定性的同時不增加產品的成本。附圖說明圖I為本技術的結構示意圖。具體實施方式為清楚說明本技術中的技術方案,下面給出優選的實施例并結合附圖詳細說明。參見圖1,為本技術優選的實施例的結構示意圖,本實施例所涉及的礦用變頻器調速裝置為包括用于放置元器件的兩個腔室,在本優選實施例中為上下層的結構,上層腔體為隔離腔7,下層腔體為主腔室6,隔離腔7與主腔室6之間有一個隔熱材料層5作為隔離層,隔熱材料層5可根據現場的散熱環境進行層數的增刪,易用性強,隔熱板材料一般選用有環氧板或PC板等。優選地,隔熱材料層可安裝多層,各層的隔熱板材料可以相同,也可以不同。隔離腔 7包括兩個電抗器和兩個線腔,分別是輸入電抗器12、輸出電抗器11、進線腔4和出線腔2。兩個電抗器的外表面用絕緣導熱材料3進行澆鑄,所澆鑄的絕緣導熱材料一般選用有機硅彈性體等,例如RTV硅橡膠、LTV硅凝膠等,這些絕緣導熱澆鑄材料不影響上層腔器件的導電性,但卻能將電抗器工作時產生的熱量相對快速散出去,因為該材料的冷卻性比空氣的冷卻性要好,進一步地上下層腔室之間裝有隔熱材料層,因此上層腔的元器件在工作時產生的熱量不會傳導至下層主腔室6里。優選地,在下層主腔室6中,安裝有為元器件散熱的水冷系統和功率器件。本技術的裝置,通過將多個元器件分別放置上下兩層腔室內,并在兩層之間形成隔離層用于隔熱,從而可有效避免上層腔的元器件的熱量傳導至下層腔室,導致下層腔室工作不穩定。本技術由于對上層腔室中的電抗器進行澆鑄絕緣導熱材料,從而可實現進一步將上層腔室元器件的熱量相對快速散發到外界,避免由于熱量堆積導致的元器件工作性能不穩定。對于本技術各個實施例中所闡述的裝置,凡在本技術的精神和原則之內,所作的任何修改、等同替換、改進等,均應包含在本技術的保護范圍之內。本文檔來自技高網...

    【技術保護點】
    一種電抗器隔離的礦用變頻器調速裝置,其特征在于,包括用于放置元器件的兩個腔室;在所述兩層腔室之間,具有用于隔熱的隔離層。

    【技術特征摘要】
    1.一種電抗器隔離的礦用變頻器調速裝置,其特征在于,包括用于放置元器件的兩個腔室;在所述兩層腔室之間,具有用于隔熱的隔離層。2.根據權利要求I所述的裝置,其特征在于,所述隔離層包括至少一層隔熱板。3.根據權利要求2所述的裝置,其特征在于,所述隔熱板的材質為環氧板或PC板。4.根據權利要求I所述的裝置,其特征在于,所述兩個腔室形成上、下層結構; 上層腔室為上層隔離腔室; 所述上層隔離腔室的元...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:田建業,劉學良,黃小光,蘇位峰,衛三民茍銳鋒,李俠
    申請(專利權)人:中國西電電氣股份有限公司北京西電華清科技有限公司,
    類型:實用新型
    國別省市:

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