根據(jù)本發(fā)明專利技術(shù)之一具體實例，提供一種經(jīng)涂覆之石墨物件。該物件包含：石墨，及一覆蓋該石墨之至少一部分之導(dǎo)電涂層。該導(dǎo)電涂層包含一貫穿該石墨及該導(dǎo)電涂層之厚度所量測得的小于約50歐姆之全厚度電阻。根據(jù)本發(fā)明專利技術(shù)之另一具體實例，提供一種用于制造一包含一導(dǎo)電涂層之石墨物件的方法。該方法包含：使用一反應(yīng)性離子蝕刻制程處理該物件之石墨；及在使用該反應(yīng)性離子蝕刻制程處理該石墨之后，將該導(dǎo)電涂層涂布于該石墨之至少一部分上。在根據(jù)本發(fā)明專利技術(shù)之又一具體實例中，提供一種用于整修一包含石墨及一上覆導(dǎo)電涂層之石墨物件的方法。該方法包含：使用一反應(yīng)性離子蝕刻制程移除該石墨物件之該上覆導(dǎo)電涂層；及將一新導(dǎo)電涂層涂布于該石墨之至少一部分上。
【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術(shù)】經(jīng)涂覆之石墨物件及石墨物件之反應(yīng)性離子蝕刻制造及整修相關(guān)申請案本申請案主張2010年4月21日申請之美國臨時申請案第61/326，462號之權(quán)利；且主張2010年4月21日申請之美國臨時申請案第61/326，469號之權(quán)利；且主張2010年4月21日申請之美國臨時申請案第61/326，473號之權(quán)利。以上申請案之全部教示以引用的方式并入本文中。
技術(shù)介紹
使用離子植入技術(shù)將雜質(zhì)引入至諸如半導(dǎo)體晶圓之工件中。然而在植入期間，產(chǎn)生可能會污染工件之粒子。如Stone等人之美國專利申請公開案第2009/0179158A1號中所論述，可使用腔室襯里給執(zhí)行離子植入制程之處理腔室加襯里，該案之揭示內(nèi)容在此全文以引用方式并入本文中。 石墨已習知地用作用于處理腔室之襯里。每隔四周左右，需要替換石墨襯里以便防止對離子植入制程中所制造之半導(dǎo)體晶圓的過度污染。該替換及隨之發(fā)生之植入工具停機時間可能代價高昂，且由于在執(zhí)行維護之后需要「調(diào)適(season)」處理腔室而增加成本。典型地，調(diào)適新的植入器或剛剛執(zhí)行過預(yù)防性維護之植入器所用的的時間過長。浪費掉許多晶圓且延長停機時間，此情況給消費者帶來高成本。因此，目前需要用于真空腔室及其他應(yīng)用之經(jīng)改良保護性襯里，及制造且替換此等襯里之技術(shù)。
技術(shù)實現(xiàn)思路
根據(jù)本專利技術(shù)之一具體實例，提供一種經(jīng)涂覆之石墨物件。該物件包含石墨及一覆蓋該石墨之至少一部分之導(dǎo)電涂層。該導(dǎo)電涂層包含一貫穿該石墨及該導(dǎo)電涂層之厚度所量測得的小于約50歐姆之全厚度電阻(through-thickness resistance)。在另外的相關(guān)具體實例中，該物件可包含真空腔室之襯里，諸如離子植入工具之真空腔室之襯里。該真空腔室可包含粒子束，且該襯里之面朝該粒子束之至少一部分可包含該石墨及該上覆導(dǎo)電涂層。該襯里之整個表面可包含該石墨及該上覆導(dǎo)電涂層。該導(dǎo)電涂層可包含小于約百萬分之一的總雜質(zhì)含量(total impurity level);且可包含小于約千萬分之一的總雜質(zhì)含量。該雜質(zhì)含量可包含準許大于約I原子百分比的碳、硅、氮及氫中之至少一者。該雜質(zhì)含量可包含準許小于約I原子百分比的摻雜劑，所述準許摻雜劑包含硼、磷及砷中之至少一者。在另外的相關(guān)具體實例中，該導(dǎo)電涂層可包含碳化硅；且可包含以原子百分比計至少約40%碳與約60%硅的碳硅比。該導(dǎo)電涂層可包含非化學計量碳化硅。該導(dǎo)電涂層可包含非晶氫化碳化娃(a-SiC:H),且可包含等份之娃與碳；且可包含在約250nm之約50nm內(nèi)之厚度。該導(dǎo)電涂層可包含小于約IOOOnm之厚度。此外，該導(dǎo)電涂層可包含大于約IOOnm之厚度。此外，該導(dǎo)電涂層可包含在約250nm之約50nm內(nèi)之厚度；且可包含在約500nm之約50nm內(nèi)之厚度。在其他相關(guān)具體實例中，該石墨可包含一藉由包含以下各者之制程產(chǎn)生之產(chǎn)物在加工該石墨之前純化該石墨；加工該石墨；及在加工該石墨之后純化該石墨。該石墨可包含基于在該石墨之石墨化之前具有在約3微米與約8微米之間的平均晶粒大小之碳起始材料的石墨；且可包含基于在該石墨之石墨化之如具有約5微米的平均晶粒大小之碳起始材料的石墨。具有該導(dǎo)電涂層之該物件可包含使用光學密度帶測試產(chǎn)生大于約70%之密度計透射的表面；且可包含使用光學密度帶測試產(chǎn)生大于約80%之密度計透射的表面。該導(dǎo)電涂層可抑制該物件上之奈米柱之生長。在另外的相關(guān)具體實例中，該導(dǎo)電涂層可包含碳；且可包含類鉆碳。該導(dǎo)電涂層可包含在約500nm之約50nm內(nèi)之厚度。該導(dǎo)電涂層可包含非晶碳；且可包含非晶氫化含氮碳。該導(dǎo)電涂層可包含以原子百分比計最多25%之氫，且該導(dǎo)電涂層可包含基于除了氫之外之元素的組成物，所述元素為以原子百分比計至少約80%之碳與約20%之氮。該導(dǎo)電涂層可包含基于除了氫之外之元素的組成物，所述元素介于(i)以原子百分比計約85%之碳與約15%之氮及(ii)以原子百分比計約90%之碳與約10%之氮之間。在另外的相關(guān)具體實例中，該石墨可包含微量的由離子源賦予之至少一種物質(zhì)；該導(dǎo)電涂層可不包含微量的由該離子源賦予之該至少一種物質(zhì)；且該物件可包含使用光學密度帶測試產(chǎn)生大于約70%之密度計透射的表面。該物件可包含使用光學密度帶測試產(chǎn)生大于約80%之密度計透射的表面。由該離子源賦予之該物質(zhì)可包含光阻、硼、砷、硅及磷中之至少一者；且可包含來自離子植入制程之背部濺鍍材料及來自離子植入制程之蒸發(fā)材料中之至少一者。在根據(jù)本專利技術(shù)之另一具體實例中，提供一種用于制造包含導(dǎo)電涂層之石墨物件的方法。該方法包含使用反應(yīng)性離子蝕刻制程處理該物件之石墨；及在使用該反應(yīng)性離子蝕刻制程處理該石墨之后，將該導(dǎo)電涂層涂布于該石墨之至少一部分上。在另外的相關(guān)具體實例中，使用該反應(yīng)性離子蝕刻制程處理該物件可包含使用氬氧電漿來處理該物件。該石墨可包含基于在該石墨之石墨化之前具有在約3微米與約8微米之間(諸如，在該石墨之石墨化之如為約5微米)的一平均晶粒大小之碳起始材料的石墨。該石墨可由以下步驟產(chǎn)生在加工用于該物件之石墨之前純化用于該物件之該石墨；加工用于該物件之該石墨；及在加工用于該物件之該石墨之后純化用于該物件之該石墨。該制成物件可包含使用光學密度帶測試產(chǎn)生大于約70%之密度計透射(諸如大于約80%之密度計透射)的表面。該物件可包含真空腔室之襯里，諸如離子植入工具之真空腔室之襯里。該真空腔室可包含粒子束，且該方法可包含將該上覆導(dǎo)電涂層涂布至該襯里之面朝該粒子束之至少一部分。該方法可包含將該上覆導(dǎo)電涂層涂布至該襯里之整個表面。在另外的相關(guān)具體實例中，該反應(yīng)性離子蝕刻制程可包含在小于約150°C之溫度下進行沈積蝕刻。該反應(yīng)性離子蝕刻制程可包含使用氬氣態(tài)前驅(qū)體、氧氣態(tài)前驅(qū)體及氮氣態(tài)前驅(qū)體中之至少一者；且可包含使用射頻功率。該反應(yīng)性離子蝕刻制程可包含使用氬氣態(tài)前驅(qū)體及氧氣態(tài)前驅(qū)體，使用針對氬為約I. 5毫托且針對氧為約O. 5毫托的開放式擋板部分壓力(open baffle partial pressure),使用為約5毫托之制程擋板壓力(processbaffle pressure),使用為約500W之射頻功率,歷時約10分鐘。在另外的相關(guān)具體實例中，該所涂布導(dǎo)電涂層可包含貫穿該石墨及該導(dǎo)電涂層之厚度所量測得的小于約50歐姆之全厚度電阻。該導(dǎo)電涂層可包含碳化硅；且可包含非晶氫化碳化硅(a-SiC:H)，該非晶氫化碳化硅(a-SiC:H)包含等份之硅與碳且包含一在約250nm之約50nm內(nèi)之厚度。該導(dǎo)電涂層可包含類鉆碳；且可包含在約500nm之約50nm內(nèi)之厚度。在根據(jù)本專利技術(shù)之另一具體實例中，提供一種用于整修包含石墨及上覆導(dǎo)電涂層之石墨物件的方法。該 方法包含使用反應(yīng)性離子蝕刻制程移除該石墨物件之該上覆導(dǎo)電涂層之至少一部分；及將新導(dǎo)電涂層涂布于該石墨之該至少一部分上。在另外的相關(guān)具體實例中，該反應(yīng)性離子蝕刻制程可包含使用氬氧電漿來處理該物件。該石墨及該導(dǎo)電涂層之被移除之該至少一部分中的至少一者可包含微量的由一離子源賦予之至少一種物質(zhì)。由該離子源賦予之該物質(zhì)可包含光阻、硼、砷、硅及磷中之至少一者；且可包含來自離子植入制程之背部濺鍍材料及來自一離子植入制程之蒸發(fā)材料中之至少一者。該石墨可包含基于在該石墨之石墨化之前具有在約3微米與約8微米之間(諸如，在該石墨之石墨本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護點】
【技術(shù)特征摘要】
【國外來華專利技術(shù)】...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：理查德·A·庫克，尼雷須·困達，史蒂芬·唐涅爾，劉研，
申請(專利權(quán))人：恩特格林斯公司，
類型：
國別省市：
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