半導體電路制造技術

本發明專利技術涉及一種半導體電路，包括：延遲單元，用于將輸入信號延遲預定時間以輸出延遲信號；電壓調節單元，用于根據輸入信號的電平對電壓進行充電和放電；以及組合單元，用于根據使用輸入信號的電平和從延遲單元輸出的信號的電平產生的信號對電壓調節單元的充電和放電操作進行控制，并可有效地去除分別混合在輸入半導體電路的高電平信號和低電平信號中的低電平噪聲和高電平噪聲。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及一種安裝在電子設備上的半導體電路，更具體地，涉及一種能夠去除混合在輸入信號中的噪聲的半導體電路?！?br>技術介紹
通常，在電子設備中，在電源線或信號線中產生噪聲，并且存在由于噪聲的影響，安裝在電子設備中的半導體電路出現故障的問題。例如，當由于噪聲施加到半導體電路的復位端子導致半導體發生故障時，由于內部電路可能被初始化，在電子設備中可能發生嚴重問題。進一步地，當噪聲混合在輸入到半導體電路的信號中時，由于噪聲可能被判斷為輸入信號，這可能是干擾電子設備正常操作和電子設備故障的主要原因。因此，為了解決這個問題，提出了一種可去除噪聲的半導體電路。然而，在傳統半導體電路中，當多個噪聲不斷疊加在輸入信號上時，存在一個問題就是很難精確的去除相應的噪聲。相關在先技術文獻日本專利公開號1995-09502
技術實現思路
完成本專利技術是為了解決上述問題，因此，本專利技術的一個目的是提供一種能夠更有效地去除混合在高電平輸入信號中的低電平噪聲和混合在低電平輸入信號中混合的高電平噪聲的半導體電路。根據本專利技術的一個方面，為達到該目的，提供了一種半導體電路，包括延遲單元，用于對輸入信號延遲預定時間以輸出延遲信號；電壓調節單元，用于根據輸入信號的電平對電壓進行充電和放電；以及組合單元，用于根據使用所述輸入信號的電平和從延遲單元輸出的信號的電平產生的信號，對電壓調節單元的充電和放電操作進行控制。在此，延遲單元可包括將輸入信號的電平反相以輸出反相信號的多個反相器。進一步地，延遲單元可包括串聯連接的第一和第二反相器，電壓調節單元可連接在第一和第二反相器的連接點與地線之間。第一反相器可包括根據輸入信號的電平選擇性地執行開關操作的第一和第二開關。此時，第一和第二開關可分別由PMOS和NMOS組成。此外，第一反相器可包括分別連接至第一和第二開關的第一和第二電流源。進一步地，電壓調節單元可包括根據第一和第二開關的開關操作對電壓進行充電和放電的電容器。此外，當輸入信號從低電平變為高電平時，第一反相器可斷開第一開關并閉合第二開關，電壓調節單元可根據第二開關的閉合操作對電壓進行放電。此時，當從電壓調節單元放電的電壓比預設參考電壓低時，第二反相器可輸出高電平信號，當從電壓調節單元放電的電壓不比預設參考電壓低時，輸出低電平信號。同時，當輸入信號從高電平變為低電平時，第一反相器可閉合第一開關并斷開第二開關，電壓調節單元可根據第一開關的關閉操作對電壓進行充電。在此，當電壓調節單元中充電的電壓比預設參考電壓高時，第二反相器可輸出低電平信號，當電壓調節單元中充電的電壓不比預設參考電壓高時，輸出高電平信號。 此外，組合單元可包括第一和第二運算器，通過組合輸入信號和從延遲單元輸出的信號執行邏輯運算；第三和第四開關，根據由第一和第二運算器產生的信號的電平執行開關操作。此時，第一和第二運算器可分別有或門和與門組成。同時，延遲單元可包括順序串聯連接的第一反相器至第六反相器，電壓調節單元可連接在第三和第四反相器的連接點與地線之間。第三反相器可包括第一和第二開關，根據輸入信號電平選擇性地執行開關操作；以及第一和第二電流源，分別連接至第一和第二開關。此外，組合單元可根據由輸入第二反相器的信號和從第五反相器輸出的信號組合產生的信號，對電壓調節單元的充電和放電操作進行控制。進一步地，組合單元可包括第一和第二運算器，通過組合輸入第二反相器的信號和從第五反相器輸出的信號執行邏輯運算；第三和第四開關，根據第一和第二運算器產生的信號電平執行開關操作。在此，第一和第二運算器可分別由與非門和或非門組成。附圖說明由結合附圖對實施方式的以下描述，當前總專利技術構思的這些和/或其他方面和優勢將變得明顯并更易理解圖I為根據本專利技術實施方式的半導體電路的結構圖；圖2為示出半導體電路去除噪聲操作的時序圖；圖3A為半導體電路的結構圖，其中連接第一和第二電阻器以替代圖I的第一和第二電流源；圖3B為半導體電路的結構圖，圖I的第一開關從中移除；圖3C為半導體電路的結構圖，圖I的第二開關從中移除；圖4為根據本專利技術另一實施方式的半導體電路的結構圖；以及圖5為根據本專利技術又一實施方式的半導體電路的結構圖。具體實施例方式本說明書和權利要求書中使用的術語或詞不應被解釋為限于典型的或字面的意思，而應解釋為具有關于基于規則的本專利技術技術精神的含義和概念，根據該規則專利技術人可適當地定義術語的概念，以最好的方式來描述他/她自己的專利技術。因此，本專利技術的實施方式和附圖中所示的結構更確切地說是大多數示例性實施方式的實例，而不代表本專利技術的所有技術精神。因此可以理解的是，當提交本申請時，替換該結構的各種等同物和修改都是可行的。以下將參考附圖詳細描述本專利技術的實施方式。圖I為根據本專利技術實施方式的半導體電路的結構圖，圖2為示出半導體電路去除噪聲操作的時序圖。如圖I和圖2所示，半導體電路100包括延遲單元120、電壓調節單元140以及組合單元160。 首先，延遲單元120，為對輸入到半導體電路100的輸入端子IN的信號Pl延遲預定時間以輸出延遲信號的裝置，可由多個(詳細地，偶數個)反相器組成，這些反相器對輸入信號的電平進行反相以輸出反相信號。此時，圖I所示的延遲單元120可由串聯連接的第一和第二反相器122和124組成，第一反相器122可包括根據輸入信號Pl的電平選擇性地執行開關操作的第一和第二開關Ql和Q2，和分別連接至第一和第二開關Ql和Q2以為第一和第二開關Ql和Q2供電的第一和第二電流源SI和S2。如果第一反相器122為CMOS反相器,優選第一和第二開關Ql和Q2分別由PMOS和NMOS組成。將詳細描述第一反相器122的操作。當輸入信號Pl從低電平變為高電平時,第一開關Ql (PMOS)被斷開(截止)，相反地，第二開關Q2 (NMOS)被閉合(導通)，使得電流通過第二開關Q2和第二電流源S2流向地線。如果輸入信號Pl從高電平變為低電平，第一開關Ql (PMOS)被閉合(導通)，相反地，第二開關Q2 (NMOS)被斷開(截止)，使得電流輸出從第一電流源SI流向第一開關Q1。電壓調節單元140，為根據輸入信號Pl的電平對電壓進行充電或放電的裝置，可包括位于第一和第二反相器122和124的連接點A與地線之間的電容器Cl。將更加詳細地描述以上電壓調節單元140的操作。電壓調節單元140根據第一反相器122的第一和第二開關Ql和Q2的開關操作對電壓進行充電或放電。例如，如圖2中，當輸入到輸入端子IN的信號Pl從低電平變為高電平時，第一開關Ql (PMOS)被斷開(截止)，相反地，第二開關Q2 (NMOS)被閉合(導通)，使得在電容器Cl中充電的電壓通過第二開關Q2和第二電流源S2放電。相應地，在電容器Cl中充電的電壓以預定的斜率下降，當放電電壓(信號P2的電壓)比第二反相器124的參考電壓低時，第二反相器124輸出高電平信號P3。另一方面，當放電電壓(信號P2的電壓)不比第二反相器124的參考電壓低時，通過確定高電平噪聲混合在低電平輸入信號Pl中，第二反相器124輸出低電平信號P3。如上,如圖2所不,直到輸入信號Pl從低電平變為高電平且輸出輸出信號P3的時間成為去除混合在低電平輸入信號Pl中的高電平噪聲的噪聲濾波時間to，且脈沖寬度短于噪聲濾波時間to的高本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種半導體電路，包括：延遲單元，用于將輸入信號延遲預定時間，以輸出延遲信號；電壓調節單元，用于根據所述輸入信號的電平對電壓進行充電和放電；以及組合單元，用于根據使用所述輸入信號的電平和從所述延遲單元輸出的信號的電平產生的信號對所述電壓調節單元的充電和放電操作進行控制。

【技術特征摘要】
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【專利技術屬性】
技術研發人員：許暢宰，
申請(專利權)人：三星電機株式會社，
類型：發明
國別省市：