【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種清除羥基的化合物、其制備方法及其用途。更具體而言，涉及一種對硅橡膠中使用的填料進行表面改性的羥基清除劑、制備方法和用途。
技術介紹
硅橡膠通常需要經過填料補強后方有應用價值。常用的補強填料有碳酸鈣、氣相法或沉淀法白炭黑等，這些填料容易吸水受潮，導致填料與硅橡膠之間的相容性變差，而且這些填料表面的游離水或結合水會消耗硅橡膠體系中的催化劑和交聯劑，導致硅橡膠隨著儲存時間的延長，其硫化特性出現嚴重的衰減。在硅橡膠實際生產中，填料常常要經過脫水處理，但是這種脫水方式只能將體系中的游離水脫除，對于填料的結合水或者表面羥基仍然無法清除。最有效清除填料中的水分和表面羥基的方法是對填料進行表面處理。常用的填料表面處理劑有_■氣_■甲基娃燒、TK甲基_■娃氣燒、長鏈燒基二甲氧基娃燒等，填料經這些處理劑進行表面處理后，其表面的羥基被甲基或者其他烷基基團所取代，改善了填料與硅橡膠之間的相容性，同時還提高了硅橡膠的儲存穩定性。但是，這些硅橡膠的儲存穩定性仍然有改善的余地。另一方面，填料的表面處理與填料的補強作用之間也存在著矛盾。填料的補強作用是通過兩方面實現的，一方面是填料與硅橡膠聚合物之間的物理吸附作用；另一方面是填料表面的活性基團與硅橡膠聚合物之間形成的化學鍵作用，而后者對提高硅橡膠機械性能的影響力更大。當填料經過如六甲基二硅氮烷這類的處理劑進行表面處理后，其表面的活性基團減少，取而代之的是不具有反應性的甲基，因此減少了填料表面與聚合物之間的化學鍵作用，導致硅橡膠的機械性能變差。
技術實現思路
本專利技術的一個目的是解決一個或多個現有技術中存在的上述問題。本專...
【技術保護點】
式(1)的化合物：其中R1、R2、R3和R4彼此獨立地代表取代或未取代的C1？C20烷基、取代或未取代的C3？C20環烷基、或取代或未取代的C6？C20芳基，當取代時，所述取代基為一個或多個選自C1？C8烷基、C1？C8烷氧基和C6？C14芳基的基團；且A代表取代或未取代的C2？C20亞烷基，所述亞烷基任選在鏈中的一個或多個碳原子被氧原子替代，但所述氧原子彼此不直接相連；當取代時，所述取代基為一個或多個選自C1？C8烷基和C1？C8烷氧基的基團。FDA00002374301200011.jpg
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：樂小飛，徐珊，趙勇剛，
申請(專利權)人：廣州市回天精細化工有限公司，
類型：發明
國別省市：
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