金屬基底基板的制造方法及電路基板的制造方法技術

本發(fā)明專利技術提供一種絕緣粘合層中不殘存空隙、高品質(zhì)且高散熱的發(fā)熱電子部件安裝用的金屬基底基板的制造方法及電路基板的制造方法。包括如下工序：使分散相分散在含有濕潤分散劑的絕緣粘合劑的分散介質(zhì)中的分散工序（S1）；一邊抽出輥狀的導體箔（1），一邊在導體箔（1）上層合絕緣粘合劑（2）的絕緣粘合劑層合工序（S2）；加熱導體箔（1）上的絕緣粘合劑（2），形成導體箔（1）和B階段狀態(tài)的絕緣粘合層（2a）的復合體（5）的第一固化工序（S3）；在B階段狀態(tài)的絕緣粘合層（2a）上層合金屬基材（6），以獲得層合體（7）的金屬基材層合工序（S5）；及在預定條件下將層合體（7）加熱加壓，使B階段狀態(tài)的絕緣粘合層（2a）成為C階段狀態(tài)的絕緣粘合層（2b）的第二固化工序（S6），由此成為金屬基底基板（14）。另外，根據(jù)需要，還包括將復合體（5）或層合體（7）剪切成片狀的片狀剪裁工序（S4、S15）。

【技術實現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及的金屬基底電路基板的制造方法包括在通過前述的金屬基底基板的制造方法所制造的基板的導體箔上形成導體圖案的圖案形成工序；以及在前述導體圖案上形成有機絕緣被膜的被膜形成工序。本專利技術中，所謂“B階段狀態(tài)”是指絕緣粘合劑是半固化的狀態(tài)，并且在常溫(25°C)的條件下是固體狀態(tài)，以高溫(60°C以上)加熱時會再熔融的狀態(tài)，在定量上是指固化率為5 80%的狀態(tài)。另外，所謂“C階段狀態(tài)”是指絕緣粘合劑的固化反應大致結束而成為不溶解及不熔融的狀態(tài)，在定量上是指固化率為80%以上的狀態(tài)。根據(jù)本專利技術，可有效率地生產(chǎn)絕緣粘合層中不殘存空隙、高質(zhì)量且高散熱的發(fā)熱電子部件安裝用的金屬基底基板及金屬基底電路基板。附圖說明圖I是示意性表示本專利技術第一實施方式涉及的金屬基底基板的構成的剖視圖。圖2是表示本專利技術第一實施方式的金屬基底基板的制造方法的流程圖。圖3是不意性表不圖2所不的層合工序S2 金屬基材層合工序S5的剖視圖。圖4是示意性表示圖2所示的第二固化工序S6的剖視圖。圖5是表示本專利技術第一實施方式的變形例的金屬基底基板的制造方法的流程圖。圖6是示意性表示圖5所示的層合工序S12 剪裁工序S15的圖。圖7是示意性表示本專利技術第二實施方式涉及的金屬基底電路基板的構成的剖視圖。圖8是表示本專利技術第二實施方式的金屬基底基板的制造方法的流程圖。附圖標記說明I導體箔2絕緣粘合劑2a B階段狀態(tài)的絕緣粘合層2b C階段狀態(tài)的絕緣粘合層5復合體6金屬基材7層合體8絕緣粘合層連續(xù)成形部9加熱爐10夾持輥11剪裁部13a、13b加熱加壓板14 基板17金屬基底電路基板 19有機絕緣被膜SUSll分散工序S2、S12絕緣粘合劑層合工序S3、S13第一固化工序S4、S15剪裁工序S5、S14金屬基材層合工序S6、S16第二固化工序S7圖案形成工序S8被膜形成工序具體實施例方式以下，參照附圖詳細說明用于實施本專利技術的方式。此外，本專利技術未受以下所述的實施方式所限定。(第一實施方式)首先，針對本專利技術第一實施方式涉及的金屬基底基板的制造方法進行說明。圖I是示意性表示本實施方式的金屬基底基板的構成的剖視圖。如圖I所示，本實施方式的金屬基底基板14是在金屬基材6上形成有C階段狀態(tài)的絕緣粘合層2b，并在其上層合有導體箔I。[金屬基材6]金屬基材6的材質(zhì)并未特別限定，但優(yōu)選鋁、鐵、銅、不銹鋼或它們的合金，特別是從散熱性、價格、輕量性及加工性方面能取得平衡的觀點來看，優(yōu)選為鋁。另外，為了提高金屬基材6與絕緣粘合層2b的密合性，優(yōu)選在與絕緣粘合層2b的粘合面上實施鋁陽極氧化處理、脫脂處理、噴砂、蝕刻、各種電鍍處理、使用了偶聯(lián)劑等的底涂處理等各種表面處理。<金屬基材6的厚度>另一方面，金屬基材4的厚度雖可按照針對所制造的金屬基底基板及金屬基底電路基板的要求特性而適當設定，但優(yōu)選為O. 15mm以上，特別優(yōu)選O. 2mm以上。原因在于金屬基材4的厚度太薄時，在制造工序中，處理時容易產(chǎn)生中間材料起皺或彎折，另外，金屬基材4的厚度太厚時，則導致基板的質(zhì)量增加過多。<金屬基材6的表面粗糙度>金屬基材6的與絕緣粘合層2b粘合的粘合面的表面粗糙度，以十點平均粗糙度(Rz)計，優(yōu)選為O. I 15 μ m。當該粘合面的表面粗糙度變大，Rz超過15 μ m時，有時在與絕緣粘合層2b之間無法獲得足夠的密合性。另一方面，當粘合面的表面粗糙度變小，Rz小于O. I μ m時，則容易在與絕緣粘合層2b的界面產(chǎn)生微空隙，耐電壓有可能降低。[絕緣粘合層2b]絕緣粘合層2b是通過由分散有無機填料的環(huán)氧樹脂等構成的絕緣粘合劑所形成的，屬于C階段狀態(tài)。在此，所謂“C階段狀態(tài)”是指絕緣粘合劑中的環(huán)氧樹脂與固化劑及固化催化劑的反應大致結束、不溶解及不熔融的狀態(tài)。具體而言，當利用DSC (DifferentialScanning Calorimeter :示差掃描熱量計)進行加熱固化時,表示幾乎無法觀察出發(fā)熱的情況且固化率是80%以上的狀態(tài)。另外，“固化率”是指將未反應的絕緣粘合劑進行加熱固化時的發(fā)熱量設為100時，加熱處理后的絕緣粘合劑在進行加熱固化時的發(fā)熱量的比例，該發(fā)熱量可利用DSC進行測定。 <絕緣粘合層2b的厚度>從耐電壓及散熱特性的觀點來看，C階段狀態(tài)的絕緣粘合層2b的厚度優(yōu)選為40 250 μ m。絕緣粘合層2b的厚度小于40 μ m的情況下，有時難以獲得期望的耐電壓值，另外，絕緣粘合層2b的厚度超過250 μ m時，有時熱阻變大，散熱特性降低。<絕緣粘合層2b的熱傳導率·耐電壓>C階段狀態(tài)的絕緣粘合層2b的熱傳導率優(yōu)選為I. Off/ Cm · K)以上，更優(yōu)選的是2. Off/ Cm · K)。另外，C階段狀態(tài)的絕緣粘合層2b的耐電壓優(yōu)選為I. OkV以上，更為優(yōu)選的是2. OkV。這樣，便可實現(xiàn)更聞質(zhì)量且聞散熱的金屬基底電路基板。[導體箔I]導體箔I可使用例如鋁、鐵、銅、不銹鋼或者由它們的合金構成的箔材或包覆箔，特別是從導電度及散熱性的觀點來看，優(yōu)選使用銅箔。另外，為了提高與絕緣粘合層2b的密合性，優(yōu)選在與絕緣粘合層2b的粘合面上實施脫脂處理、噴砂、蝕刻、各種電鍍處理、及使用偶聯(lián)劑等的底涂處理等各種表面處理。<導體箔I的表面粗糙度>導體箔I的與絕緣粘合層2b粘合的粘合面的表面粗糙度，以十點平均粗糙度(Rz)計，優(yōu)選為O. I 15 μ m。當該粘合面的表面變粗糙，具體來說，十點平均粗糙度(Rz)超過15 μ m時，有時與絕緣粘合層2b之間難以確保充分的密合性。一方面，當粘合面的表面較致密，具體來說，在表面粗糙度小于O. I μ m時，則在與絕緣粘合層2b的界面容易產(chǎn)生微空隙，耐電壓有時會降低。<導體箔I的厚度>導體箔I的厚度并未特別限定，可根據(jù)所制造的金屬基底基板及金屬基底電路基板的要求特性作適當設定，但優(yōu)選O. 018 O. 5mm,特別優(yōu)選O. 035 O. 14mm。導體箔I的厚度太薄時，在制造工序中，處理時容易產(chǎn)生中間材料起皺或彎折而導致不良情況的發(fā)生。另外，導體箔I的厚度太厚時，則導致生產(chǎn)率降低。其次，針對本實施方式的金屬基底基板14的制造方法進行說明。圖2是表示本實施方式的金屬基底基板的制造方法的流程圖。另外，圖3是示意性表示其層合工序S2 金屬基材層合工序S5的剖視圖，圖4是示意性表示第二固化工序S6的剖視圖。如圖2所示，本實施方式的金屬基底基板14的制造方法，按順序進行以下的工序將絕緣粘合劑2的各成分分散的工序(分散工序SI);在導體箔I上層合絕緣粘合劑2的工序(絕緣粘合劑層合工序S2);加熱絕緣粘合劑2以形成B階段狀態(tài)的絕緣粘合層2a的工序(第一固化工序S3);將導體箔I與絕緣粘合層2a的復合體5剪裁成預定長度的工序(剪裁工序S4);在絕緣粘合層2a上層合金屬基材6的工序(金屬基材層合工序S5);通過在預定條件下進行加熱加壓，使B階段狀態(tài)的絕緣粘合層2a成為C階段狀態(tài)的絕緣粘合層2b的工序(第二固化工序S6)。[分散工序SI]分散工序SI是將絕緣粘合劑2的各成分均勻地分散的工序，在該絕緣粘合劑2中，為了獲得良好的分散狀態(tài)而摻合有濕潤分散劑。在此，將絕緣粘合劑2分成“分散介質(zhì)”和“分本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】2010.05.10 JP 2010-1080511.一種金屬基底基板的制造方法，是在金屬基材上按順序層合絕緣粘合劑層和導體層而制造金屬基底基板的方法，該金屬基底基板的制造方法包括 分散工序，使分散相分散在含有濕潤分散劑且構成所述絕緣粘合層的絕緣粘合劑的分散介質(zhì)中； 層合工序，一邊抽出輥狀的導體箔，一邊在所述導體箔上層合所述絕緣粘合劑； 第一固化工序，加熱導體箔上的絕緣粘合劑使其固化至B階段狀態(tài)，形成導體箔和B階段狀態(tài)的絕緣粘合層的復合體； 金屬基材層合工序，在所述B階段狀態(tài)的絕緣粘合層上層合金屬基材以獲得層合體；以及 第二固化工序，在70 260°C、0. I IOMPa的條件下對所述層合體加熱加壓，使B階段狀態(tài)的絕緣粘合層固化至C階段狀態(tài)。2.如權利要求I所述的金屬基底基板的制造方法，還包括 片...

【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：西太樹，宮川健志，八島克憲，大越健介，石倉秀則，
申請(專利權)人：電氣化學工業(yè)株式會社，
類型：
國別省市：