鍍膜靜電消除裝置制造方法及圖紙

本實用新型專利技術公開一種鍍膜靜電消除裝置，包括真空鍍膜室，所述真空鍍膜室內設有放卷氣漲軸、導輥和鍍膜輥，所述放卷氣漲軸上有原膜，所述原膜先經過離子源處理后穿過導輥進入鍍膜輥再到收卷，所述真空鍍膜室內安裝有陽極膜線性離子源，該陽極膜線性離子源的正面發射溝道朝向所述原膜所在平面，所述陽極膜線性離子源連接高純氬氣瓶。本實用新型專利技術通過陽極膜線性離子源解決了鍍鋁產品變形、膜鄒及黑線條等現象，并且解決了BOPP轉移膜的靜電樹紋，無需增加電暈機處理，避免膜變形，可有效去除膜表面的有機污染物及氧化層，直接聯機處理速度可達到350M/MIN以上，提高生產效率及產品質量合格率。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

本技術屬于鍍膜
，具體涉及一種鍍膜靜電消除裝置。
技術介紹
鍍鋁產品膜上均附帶靜電離子，因原材料、涂層及環境溫度、濕度等因素影響，鍍鋁時產生放靜電火光使產品變形、膜鄒及黑線條等現象，且在BOPP轉移膜等非極性塑料薄膜上鍍鋁時會產生靜電樹紋，常用解決方法是增加一道電暈機處理，而增加電暈機后會使膜變形，速度只能達到60M/MIN，造成產品合格率與效率低下。
技術實現思路
本技術所要解決的技術問題便是針對上述現有技術的不足，提供一種鍍膜靜電消除裝置，可有效解決鍍鋁產品變形、膜鄒及黑線條等現象，提高產品合格率及生產效率。本技術所采用的技術方案是一種鍍膜靜電消除裝置，包括真空鍍膜室，所述真空鍍膜室內設有放卷氣漲軸、導輥和鍍膜輥，所述放卷氣漲軸上有原膜，所述原膜穿過導輥進入鍍膜輥后收卷，所述真空鍍膜室內安裝有陽極膜線性離子源，該陽極膜線性離子源的正面發射溝道朝向所述原膜所在平面，所述陽極膜線性離子源連接高純氬氣瓶。作為優選，所述陽極膜線性離子源為⑶NY-YJM1000。作為優選，所述陽極膜線性離子源的正面發射溝道上安裝擋板。作為優選，所述陽極膜線性離子源安裝在放卷氣漲軸與第一根導輥之間的原膜下方平行間距彡200mm以上。作為優選，所述陽極膜線性離子源的陰陽電極連接至離子源控制柜。作為優選，所述離子源控制柜上設有質量流量計。作為優選，所述質量流量計為日本山武質量流量計MPC9200BBRSW10000。作為優選，所述陽極膜線性離子源上連接冷卻水源。作為優選，所述陽極膜線性離子源與所述高純氬氣瓶之間安裝減壓閥。本技術的有益效果在于本技術通過陽極膜線性離子源解決了鍍鋁產品變形、膜鄒及黑線條等現象，使復合膜合格率83%提高到94%以上，并且解決了 BOPP轉移膜的靜電樹紋，無需增加電暈機處理，避免膜變形，可有效去除膜表面的有機污染物及氧化層，直接聯機處理速度可達到350M/MIN以上，提高生產效率及產品質量合格率。附圖說明圖I為本技術結構示意圖；圖2為本技術側視圖。圖中1、真空鍍膜室；2、放卷氣漲軸；3、導輥；4、原膜；5、高純氬氣瓶；6、離子源控制柜；7、冷卻水源；8、質量流量計；9、陽極膜線性離子源；10、擋板；11、鍍膜輥。具體實施方式下面將結合附圖及具體實施例對本技術作進一步詳細說明。實施例一如圖I和圖2所示，一種鍍膜靜電消除裝置，包括真空鍍膜室1，所述真空鍍膜室I內設有放卷氣漲軸2、導輥3和鍍膜輥11，所述放卷氣漲軸2有原膜4，所述原膜4先經過陽極膜線性離子源9處理后穿入導輥3進入鍍膜輥11再到收卷，所述真空鍍膜室I內安裝有陽極膜線性離子源9，該陽極膜線性離子源9的正面發射溝道朝向所述原膜4所在平面，如圖2所示，所述陽極膜線性離子源9安裝在放卷氣漲軸2與第一根導輥3之間的原膜4下方平行彡200mm位置，本實施例的陽極膜線性離子源9為⑶NY-YJM1000離子源。所述陽極膜線性離子源9連接高純氬氣瓶5，以接入高純氬氣，所述陽極膜線性離子源9與所述高純氬氣瓶5之間安裝減壓閥，將壓力控制在2. OMpa0所述陽極膜線性離子源9的陰陽電極連接至離子源控制柜6，本實施例采用CDNY-DCM05控制柜，所述離子源控制柜6上設有質量流量計8，本實施例采用日本山武質量流量計MPC9200BBRSW10000，用于控制離子能量大小及真空度(下室為8. 0*10-2Pa，上室為5. 0*10_lPa)。所述陽極膜線性離子·源9上連接冷卻水源7，通18-28°C冷卻水散熱離子源磁場熱能，控制頻率、占空比、電流、電壓及流量大小。所述陽極膜線性離子源9的陰陽電極線與高純氬氣瓶5和冷卻水源7的連接線均由f 48_高真空波紋管導出真空鍍膜室1，為避免漏真空，所述高真空波紋管通過法蘭與密封墊圈與所述真空鍍膜室I相連。所述陽極膜線性離子源9正面發射溝道上安裝有擋板10，所述擋板10通過不銹鋼支架連接。本技術的原理如下陽極膜離子源是一種具有閉合電子遷移和發射溝道的冷陰極離子源，其主要組成部分包括磁路、陰極、陽極、布氣機構和驅動電源等部分。其中離子發射溝道和陽極被磁路所包圍。放電溝道內具有很強的磁場，將電子約束在其中，在正的電子與氣體發生碰撞時，氣體電離為離子和電子。當直流正電位施加在陽極上時，陽極表面形成電場，在此電場作用下，離子被加速發射出放電溝道形成離子束，離子束對基材進行轟擊清洗、消除正負靜電離子等。其具體操作如下I、打開冷卻循環水，水溫度控制在18_28°C之間；2、將真空鍍膜室抽至本地壓強，下室8. 0*10_2Pa，5. 0*10_lPa ；3、旋開聞純1 氣瓶開關,調壓閥調至O. 2kg ；4、打開離子源電源上電空氣開關；5、設置氬氣流量計參數，使真空鍍膜室達到預定真空度；6、鍍鋁蒸發舟調整好后，啟動卷繞使膜慢慢走，防止電弧起輝時把膜燙斷，再啟動離子源控制電源；7、將電流調節旋鈕逐漸增加放電電流，離子源將起輝，把工作電流設定至所需數值(0-10A)；8、當鍍鋁到要停機關閉蒸發擋板時，先停止離子源工作，再關閉氬氣流量計；9、真空鍍膜室放氣打開清理時，把離子源保護罩蓋好，避免鋁灰飛到離子發射溝道和陽極磁場；使用前先清理檢查無灰塵后再用；10、調整狀態離子源有兩種放電模式，第一種為聚焦放電模式，其特點為放電時出現明細的離子束，此時放電電壓高，放電電流??；第二種為散焦放電模式，其特點為放電時等離子體發散至很大空間，未出現明細的離子束；11、電源控制模式恒流控制模式，即放電電流恒定，放電電壓隨其他參數變化而變化；12、占空比調整主要目的是調整離子源的工作狀態，抑制離子源光放電對薄膜或基體的損傷；占空比增加，在相同條件下離子源達到的最大放電電流增加，弧光放電抑制作用減小；反之，最大放電電流減小，弧光放電抑制作用增加；13、頻率調整范圍20-30KHZ。 本技術使用前先測試產品膜上靜電離子正負大小，再調整離子源輸出正負離子大小，達到中和消除作用，又能起到去除基片表面的有機污染物和氧化層，增加附著力作用，通過陽極膜線性離子源解決了鍍鋁產品變形、膜鄒及黑線條等現象，使復合膜合格率83%提高到94%以上，并且解決了 BOPP轉移膜的靜電樹紋，無需增加電暈機處理，避免膜變形，可有效去除膜表面的有機污染物及氧化層，直接聯機處理速度可達到350M/MIN，提高生產效率及產品質量合格率。以上所述，僅為本技術較佳實施例而已，故不能以此限定本技術實施的范圍，即依本技術申請專利范圍及說明書內容所作的等效變化與修飾，皆應仍屬本技術專利涵蓋的范圍內。權利要求1.一種鍍膜靜電消除裝置，包括真空鍍膜室，所述真空鍍膜室內設有放卷氣漲軸、導輥和鍍膜輥，所述放卷氣漲軸上有原膜，所述原膜穿過導輥進入鍍膜輥后收卷，其特征在于所述真空鍍膜室內安裝有陽極膜線性離子源，該陽極膜線性離子源的正面發射溝道朝向所述原膜所在平面，所述陽極膜線性離子源連接高純氬氣瓶。2.根據權利要求I所述的鍍膜靜電消除裝置，其特征在于所述陽極膜線性離子源為CDNY-YJMlOOO。3.根據權利要求I或2所述的鍍膜靜電消除裝置，其特征在于所述陽極膜線性離子源的正面發射溝道上安裝擋板。4.根據權利要求I或2所述的鍍膜靜電消除裝置，其特征在于所述陽本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種鍍膜靜電消除裝置，包括真空鍍膜室，所述真空鍍膜室內設有放卷氣漲軸、導輥和鍍膜輥，所述放卷氣漲軸上有原膜，所述原膜穿過導輥進入鍍膜輥后收卷，其特征在于：所述真空鍍膜室內安裝有陽極膜線性離子源，該陽極膜線性離子源的正面發射溝道朝向所述原膜所在平面，所述陽極膜線性離子源連接高純氬氣瓶。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：王創茂，
申請(專利權)人：福建泰興特紙有限公司，
類型：實用新型
國別省市：