一種電纜屏蔽層續接方法技術

本發明專利技術屬于電氣裝聯技術領域，具體涉及一種針對電纜屏蔽層續接加工工藝方法。屏蔽層續接方法是對原有屏蔽護套加工工藝方法進行了改進，即：對屏蔽網套的焊錫環進行熔焊前，先對續接電纜的屏蔽層與屏蔽網套焊接部位進行搪錫處理，目的是將焊錫滲透到電纜屏蔽層中，使得焊錫與電纜屏蔽層接觸可靠；然后通過熱風槍加熱屏蔽網套兩端的焊錫環，焊錫環及續接電纜屏蔽層搪錫處的焊錫因為受熱熔化連為一體，從而使得兩根續接電纜的屏蔽層與屏蔽網套可靠接觸，保證了電纜屏蔽層的續接質量。

【技術實現步驟摘要】
本專利技術專利屬于電氣裝聯
，具體涉及一種針對電纜屏蔽層續接加工工藝方法。
技術介紹
目前飛行器上總線電纜采用符合GJB289A標準的4M數據總線(美標1553B)完成飛行器內各設備之間的通訊。與普通電纜相比，數據總線電纜具有數據傳輸速率高、較強的抗干擾能力、良好的容錯性和故障隔離性能。為保證電纜的性能可靠度，數據總線電纜對屏蔽性能要求極高，要求屏蔽層電阻值< O. 039 Ω /m。當前總線電纜是由多個耦合器串接而成，耦合器之間的總線線纜屏蔽層需要通過屏蔽網套進行續接，護套實物見附圖I所示。續接時屏蔽網套兩端的焊錫環與兩根續接的 總線電纜屏蔽層重合，然后用帶有反射片的熱風槍加熱屏蔽網套兩端的焊錫環直至焊錫熔化，通過焊錫連接保證兩根總線電纜屏蔽層與屏蔽網套可靠接觸，從而實現總線電纜的屏蔽性能連續。但是總線電纜制作為一項新型技術，而采用的耦合器和屏蔽護套均為美國瑞侃公司生產，對其質量無法進行監控，實物總會出現許多質量問題，比如屏蔽網套內焊錫環材料待料及耦合器線纜屏蔽層氧化等問題，因此在實際電纜制作過程中，如果按廠家提供的上述工藝方法進行加工，碰到質量不合格的屏蔽網套和線纜，加工過程中要想使焊錫環熔化后的焊錫滲入到總線電纜的屏蔽層中，加熱時間耗時長，此時則會出現焊錫環外的帶膠熱縮絕緣套管爆裂；如果加熱時間短，屏蔽網套的焊錫不能滲入到續接電纜的屏蔽編織層中，只是粘連，導致屏蔽網套和總線電纜的屏蔽層不能可靠接觸，電纜屏蔽層電阻值為歐姆級，遠遠不能滿足設計要求的毫歐級標準，無法滿足設計要求的< O. 039 Ω /m指標，因此制作出來的總線電纜性能測試不合格，不能滿足型號產品使用要求，影響型號生產裝配進度和試驗。為保證總線電纜質量滿足設計要求，屏蔽續接的加工工藝方法亟待改進。
技術實現思路
本專利技術的目的是改進電纜屏蔽層續接工藝方法，解決當前出現的屏蔽層電阻值超標的難題，研究一種屏蔽層續接加工工藝方法，按該方法對電纜屏蔽續接，續接后的屏蔽層電阻值滿足< O. 039 Ω /m的要求。本專利技術的屏蔽層續接方法是對原有屏蔽護套加工工藝方法進行了改進，即對屏蔽網套的焊錫環進行熔焊前，先對續接電纜的屏蔽層與屏蔽網套焊接部位進行搪錫處理，目的是將焊錫滲透到電纜屏蔽層中，使得焊錫與電纜屏蔽層接觸可靠；然后通過熱風槍加熱屏蔽網套兩端的焊錫環，焊錫環及續接電纜屏蔽層搪錫處的焊錫因為受熱熔化連為一體，從而使得兩根續接電纜的屏蔽層與屏蔽網套可靠接觸，保證了電纜屏蔽層的續接質量，續接后的電纜屏蔽層電阻值滿足指標要求即< O. 039Ω/Π1。本專利技術的技術方案為一種電纜屏蔽層續接方法進行介紹，該包括下述步驟步驟一清洗續接的兩根電纜屏蔽層用浸有無水乙醇的醫用脫脂棉將續接的兩根電纜屏蔽層擦洗干凈，步驟二 對續接的兩根電纜屏蔽層熔焊部位進行搪錫步驟三安裝續接屏蔽用的屏蔽網套將屏蔽網套移到兩根續接的電纜區域中部，要求屏蔽網套兩端的焊錫環與電纜屏蔽層鍍錫部位IOmm 12mm段重合，步驟四將屏蔽網套兩端焊錫環分別與兩根續接電纜的屏蔽層進行熔焊連接步驟五室溫冷卻 屏蔽網套的焊錫環與兩根續接電纜的屏蔽層熔焊連接后進行室溫冷卻，待完全冷卻后再進行后續工作。如上所述的一種電纜屏蔽層續接方法進行介紹，其中，所述的步驟二包括如下步驟用溫控電鉻鐵對需要續接的兩根電纜屏蔽層續接部位進行搪錫處理，搪錫長度IOmm 12mm，錫鉛焊料采用GB/T3131 HLSn60PbA，搪錫溫度為300°C ± 10°C，搪錫時要求電纜屏蔽層表面360°均有焊錫，錫層厚薄分布均勻、光滑明亮，且滲透到電纜屏蔽層的編織層中。如上所述的一種電纜屏蔽層續接方法進行介紹，其中，用熱風槍對屏蔽網套兩端的焊錫環進行加熱熔焊，熱風槍槍口須帶反射片，熔焊時反射片可將熱量聚攏，助于焊錫熔化，將屏蔽網套兩端的焊錫環依次放入帶有反射片的熱風槍的熱風口和反射片之間進行加熱，熱風槍的溫度為340°C ±10°C，風速為中，加熱時將續接電纜連同焊錫環緩慢均勻360°旋轉，保證加工產品360°均勻受熱，直至焊錫環及電纜屏蔽層搪錫處的焊錫熔化后熔合在一起，并滲入到電纜的屏蔽層中，保證續接電纜的屏蔽層與屏蔽網套可靠接觸，從而保證了續接后的電纜屏蔽層連續性，屏蔽層電阻值滿足< O. 039Ω/πι要求。本專利技術的有益效果是本專利技術提出一種改進電纜屏蔽層續接工藝方法，解決當前出現的屏蔽層電阻值超標的難題。本專利技術采用電纜屏蔽層與接頭屏蔽層網套熔焊前，將焊接部位進行鍍錫處理，使得焊錫與總線電纜屏蔽層接觸可靠，然后將接頭屏蔽層網套兩端的焊錫環與總線電纜的鍍錫屏蔽層，通過熔焊方式使得接頭屏蔽網套的焊錫與總線電纜上的焊錫結合在一起，使得兩端總線電纜屏蔽層與屏蔽網套可靠接觸，保證總線電纜屏蔽層的續接質量，確保低電阻值要求。附圖說明圖I :屏蔽網套實物示意2 :續接電纜屏蔽層搪錫示意3 :續接電纜屏蔽層與接頭D-150-9708-5屏蔽網套的連接示意中①焊錫②熱縮管③焊錫環④屏蔽網套⑤電纜⑥屏蔽層⑦搪錫⑧L = IOmm 12_(L為屏蔽網套兩端的焊錫環與電纜屏蔽層鍍錫部位)⑨熔焊連接具體實施例方式下面結合附圖和實施例對本專利技術提供的一種電纜屏蔽層續接方法進行介紹該包括下述步驟I.清洗續接的兩根電纜屏蔽層用浸有無水乙醇的醫用脫脂棉將續接的兩根電纜屏蔽層擦洗干凈。2.對續接的兩根電纜屏蔽層熔焊部位進行搪錫用溫控電鉻鐵對需要續接的兩根電纜屏蔽層續接部位(即與屏蔽網套焊接部位)進行搪錫處理，搪錫部位見圖2所示，搪錫長度(屏蔽網套兩端的焊錫環與電纜屏蔽層鍍錫部位)L = IOmm 12mm，錫鉛焊料采用GB/T3131HLSn60PbA，搪錫溫度為300°C ±10°C，搪錫時要求電纜屏蔽層表面360°均有焊錫，錫層厚薄分布均勻、光滑明亮，且滲透到電纜屏蔽層的編織層中。3.安裝續接屏蔽用的屏蔽網套將屏蔽網套移到兩根續接的電纜區域中部，要求屏蔽網套兩端的焊錫環與電纜屏蔽層鍍錫部位IOmm 12mm段重合。 4.將屏蔽網套兩端焊錫環分別與兩根續接電纜的屏蔽層進行熔焊連接用熱風槍對屏蔽網套兩端的焊錫環進行加熱熔焊，熱風槍槍口須帶反射片，熔焊時反射片可將熱量聚攏，助于焊錫熔化。將屏蔽網套兩端的焊錫環依次放入帶有反射片的熱風槍的熱風口和反射片之間進行加熱，熱風槍的溫度為340°C ±10°C，風速為中，加熱時將續接電纜連同焊錫環緩慢均勻360°旋轉，保證加工產品360°均勻受熱，直至焊錫環及電纜屏蔽層搪錫處的焊錫熔化后熔合在一起，并滲入到電纜的屏蔽層中，保證續接電纜的屏蔽層與屏蔽網套可靠接觸，從而保證了續接后的電纜屏蔽層連續性，屏蔽層電阻值滿足< O. 039 Ω/m要求,熔焊位置具體見圖3所示。5.室溫冷卻屏蔽網套的焊錫環與兩根續接電纜的屏蔽層熔焊連接后進行室溫冷卻，待完全冷卻后再進行后續工作。綜上所述，本專利技術中，電纜屏蔽層續接加工工藝方法通過借鑒導線焊接時先對導線線芯進行搪錫處理工藝方法從而對電纜屏蔽層續接工藝方法進行了改進，在對屏蔽網套的焊錫環進行熔焊前，先對電纜的屏蔽層(與屏蔽網套相接觸部分)進行搪錫處理，然后再與屏蔽網套進行熔焊連接，該方法通過焊錫將續接電纜的屏蔽層和屏蔽網套連為一體，既用熱風槍加熱，使得本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種電纜屏蔽層續接方法進行介紹，其特征在于：該包括下述步驟步驟一：清洗續接的兩根電纜屏蔽層用浸有無水乙醇的醫用脫脂棉將續接的兩根電纜屏蔽層擦洗干凈，步驟二：對續接的兩根電纜屏蔽層熔焊部位進行搪錫步驟三：安裝續接屏蔽用的屏蔽網套將屏蔽網套移到兩根續接的電纜區域中部，要求屏蔽網套兩端的焊錫環與電纜屏蔽層鍍錫部位L＝10mm～12mm段重合，步驟四：將屏蔽網套兩端焊錫環分別與兩根續接電纜的屏蔽層進行熔焊連接步驟五：室溫冷卻屏蔽網套的焊錫環與兩根續接電纜的屏蔽層熔焊連接后進行室溫冷卻，待完全冷卻后再進行后續工作。

【技術特征摘要】
1.一種電纜屏蔽層續接方法進行介紹，其特征在于該包括下述步驟 步驟一清洗續接的兩根電纜屏蔽層 用浸有無水乙醇的醫用脫脂棉將續接的兩根電纜屏蔽層擦洗干凈， 步驟二 對續接的兩根電纜屏蔽層熔焊部位進行搪錫 步驟三安裝續接屏蔽用的屏蔽網套 將屏蔽網套移到兩根續接的電纜區域中部，要求屏蔽網套兩端的焊錫環與電纜屏蔽層鍍錫部位L = IOmm 12_段重合， 步驟四將屏蔽網套兩端焊錫環分別與兩根續接電纜的屏蔽層進行熔焊連接 步驟五室溫冷卻 屏蔽網套的焊錫環與兩根續接電纜的屏蔽層熔焊連接后進行室溫冷卻，待完全冷卻后再進行后續工作。2.如權利要求I所述的一種電纜屏蔽層續接方法進行介紹，其特征在于所述的步驟二包括如下步驟用溫控電鉻鐵對需要續接的兩根電纜屏蔽層續接部位進行搪錫處理，搪錫長度IOmm 12mm，錫鉛焊料采用GB/T31...

【專利技術屬性】
技術研發人員：張海云，鐘玉維，
申請(專利權)人：北京星航機電設備廠，
類型：發明
國別省市：