發光器件封裝件及使用其的照明系統技術方案

實施方案的發光器件封裝件包括：包括腔的本體；設置在本體的腔中的第一引線電極和第二引線電極；設置在腔中的、與第一引線電極和第二引線電極中的至少之一電連接并且發出在410nm～460nm的范圍內的第一主峰波長的發光器件；以及在發光器件上的具有第一磷光體的第一樹脂層，其中第一樹脂層的第一磷光體通過激發某些具有第一主峰波長的光來發出在461nm到480nm的范圍內的第二主峰波長的光，并且第一主峰波長和第二主峰波長具有彼此不同的波長并且包括具有相同顏色的光。

【技術實現步驟摘要】
發光器件封裝件及使用其的照明系統
實施方案涉及一種發光器件封裝件以及使用其的照明系統。
技術介紹
發光二極管(LED)是一種將電能轉換為光的半導體器件。與現有的光源如熒光燈、白熾燈相比，發光二極管具有功耗低、半永久性壽命、響應速度快、安全和環保的優點。因此，正在進行許多為了使用發光二極管代替現有光源的研究，并且對于作為照明裝置如各種燈、液晶顯示器、電子顯示器以及室內用和戶外用街燈的光源的發光二極管的使用已經增加。在施加正向電壓時，發光二極管可以通過將n型層的電子和p型層的空穴進行復合由于導帶與價帶之間的能帶隙而產生光能。作為發光二極管的一種材料的氮化物半導體由于其高的熱穩定性和寬的能帶隙而在光學器件領域和高功率電子器件領域受到很多關注。具體地，使用氮化物半導體的藍光LED、綠光LED、UVLED等已經商用并且得到廣泛使用。
技術實現思路
實施方案提供了一種發光器件封裝件以及一種使用其的光單元。實施方案提供了一種具有彼此不同的藍色系主峰波長的發光器件封裝件以及一種使用其的光單元。實施方案提供了一種能夠使用藍色磷光體和藍色發光器件來控制白色的發光器件封裝件以及一種使用其的光單元。實施方案的發光器件封裝件包括：包括腔的本體；設置在本體中的第一引線電極和第二引線電極；設置在腔中的、與第一引線電極和第二引線電極中的至少之一電連接并且發出在410nm～460nm的范圍內的第一主峰波長的發光器件；以及在發光器件上的具有第一磷光體的第一樹脂層，其中第一樹脂層的第一磷光體通過激發某些具有第一主峰波長的光來發出在461nm～480nm的范圍內的第二主峰波長的光，第一主峰波長和第二主峰波長具有彼此不同的波長并且包括具有相同顏色的光。實施方案的發光器件封裝件包括：包括第一腔的本體；設置在第一腔中的第一引線電極和第二引線電極；設置在第一腔中的、與第一引線電極和第二引線電極中的至少之一電連接并且發出第一藍色波長的光的發光器件；以及設置在發光器件上并且包括發出比第一藍色波長長的第二藍色波長的第一磷光體的第一樹脂層；其中第一樹脂層的第一磷光體發出在460nm～479nm的范圍內的第二藍色波長。實施方案的照明系統包括至少一個發光器件封裝件。附圖說明圖1是根據第一實施方案的發光器件封裝件的側視截面圖；圖2示出從圖1的發光器件發出的光的光路；圖3示出根據第二實施方案的發光器件封裝件；圖4示出根據第三實施方案的發光器件封裝件；圖5示出根據第四實施方案的發光器件封裝件；圖6示出根據第五實施方案的發光器件封裝件；圖7示出根據第六實施方案的發光器件封裝件；圖8示出根據第七實施方案的發光器件封裝件；圖9示出根據第八實施方案的發光器件封裝件；圖10是圖9的發光器件的側視截面圖；圖11示出圖1的第二磷光體和第一發光器件的主峰波長；圖12示出圖1的發光器件的示例；圖13是示出具有圖1的發光器件封裝件的顯示器的示例的立體圖；圖14是示出具有圖1的發光器件封裝件的顯示器的另一示例的立體圖；以及圖15示出具有圖1的發光器件封裝件的照明系統。具體實施方式在實施方案的描述中，在各襯底、層、膜或電極等描述為形成在其“上”或“下”的情形下，“上”或“下”也表示相對于該部件“直接”或“間接(通過其它部件)”地形成。此外，將基于附圖描述相對于各部件“上”或“下”的標準。在附圖中，為了方便解釋和清楚，放大、省略或示意性地示出各層的厚度或尺寸。此外，各部件的尺寸不完全反映其實際尺寸。下文中，將參考附圖描述根據實施方案的發光器件。圖1是根據實施方案的發光器件封裝件100的側視截面圖。參考圖1，實施方案的發光器件100包括：本體10、腔15、設置在本體10中的第一引線電極31和第二引線電極32、與第一引線電極31和第二引線電極32電連接并且發出光的發光器件20、將發光器件20和第二引線電極32連接的連接構件21、形成為密封發光器件20的第一樹脂層40、在第一樹脂層40上的第二樹脂層50、以及填充第二樹脂層50和腔15的第三樹脂層60。本體10可以由樹脂材料例如聚鄰苯二甲酰胺(PPA)、硅(Si)、鋁(Al)、氮化鋁(AlN)、AlOx、液晶聚合物(PSG，光敏玻璃)、聚酰胺9T(PA9T)、間規聚苯乙烯(SPS)、金屬材料、藍寶石(Al2O3)、氧化鈹(BeO)和印刷電路板(PCB)中的至少一種形成。本體10可以通過注模、蝕刻工藝等形成，但是不限于此。在本體10由具有導電性的材料形成時，在本體10的表面中形成絕緣膜(未示出)，由此防止本體10與第一引線電極31和第二引線電極32之間的電短路。此外，在本體10由硅(Si)形成時，本體10通過注入導電摻雜劑的方法形成有集成電路型的保護器件如齊納二極管。本體10形成有腔15，使得腔15的頂部開放。腔15通過例如本體10的注模工藝或蝕刻工藝單獨形成，但不限于此。腔15可以形成為杯形或凹陷容器形，腔15的側面相對于腔15的底表面垂直或傾斜。此外，從頂表面觀察時，腔15的形狀是圓形、矩形、多邊形、橢圓形等。腔15可以通過引線電極31和32中的至少之一形成為杯形結構，但是不限于此。第一引線電極31和第二引線電極32可以設置在本體10中以彼此電分離。第一引線電極31和第二引線電極32與發光器件20電連接，以給發光器件20供電。第一引線電極31和第二引線電極32的一端設置在本體10中，另一端可以通過本體10暴露于本體10的下表面或外部。此外，第一引線電極31和第二引線電極32可以形成發光器件封裝件100的下表面同時穿過本體10的頂表面和下表面。第一引線電極31和第二引線電極32的結構不限于此。第一引線電極31和第二引線電極32可以使用鍍覆方法、沉積方法或光刻方法選擇性地形成，但是不限于此。第一引線電極31和第二引線電極32可以包括具有導電性的金屬材料中的至少一種材料，如鈦(Ti)、銅(Cu)、鎳(Ni)、金(Au)、鉻(Cr)、鉭(Ta)、鉑(Pt)、錫(Sn)、銀(Ag)、磷(P)、鋁(Al)、銦(In)、鈀(Pd)、鈷(Co)、硅(Si)、鍺(Ge)、鉿(Hf)、釕(Ru)或鐵(Fe)。此外，第一引線電極31和第二引線電極32可以形成為具有單層結構或多層結構，但是不限于此。發光器件20可以形成為藍光發光器件，并且直接接合于第一引線電極31和第二引線電極32中。在發光器件20是例如藍光LED芯片時，藍光LED芯片的第一主峰波長值可以在410nm～460nm的范圍內，并且發出在例如在420nm～450nm的范圍內的第一主峰波長。發光器件20使用藍色波長和從黃色磷光體發出光的波長來設置白色的平衡以提供白色。但是，與具有短波長的藍波長相比因為長波長的藍波長的能量低，所以發光效率的提高受限。在實施方案中，磷光體吸收很多朝向靠近紫外(UV)波長范圍的藍色波長如朝向450nm或更短如420nm±5nm的波長的能量，由此更大地提高發光效率。發光器件20由III-V族元素的化合物半導體例如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP系列的半導體材料形成，使得可以發出具有半導體材料的獨特顏色的光。發光器件20可以通過芯片接合方式、倒裝芯片方式等與第一引線電極31和第本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種發光器件封裝件，包括：包括腔的本體；設置在所述本體的所述腔中的第一引線電極和第二引線電極；設置在所述腔中的、與所述第一引線電極和所述第二引線電極中的至少之一電連接并且發出在410nm～460nm的范圍內的第一主峰波長的發光器件；以及在所述發光器件上的具有第一磷光體的第一樹脂層；其中所述第一樹脂層的所述第一磷光體通過激發某些具有所述第一主峰波長的光來發出在461nm～480nm的范圍內的第二主峰波長的光，所述第一主峰波長和第二主峰波長具有彼此不同的波長并且包括具有相同顏色的光。

【技術特征摘要】
2011.07.29 KR 10-2011-00762521.一種發光器件封裝件，包括：包括腔的本體；設置在所述本體的所述腔中的第一引線電極和第二引線電極；設置在所述腔中的、與所述第一引線電極和所述第二引線電極中的至少之一電連接并且發出在410nm～460nm的范圍內的第一主峰波長的發光器件；在所述發光器件上的具有第一磷光體的第一樹脂層；在所述第一樹脂層上的第二樹脂層；在所述第二樹脂層上的具有第一磷光體的透明的第三樹脂層；以及在所述第二樹脂層中的第二磷光體，其中所述第二磷光體包括紅色磷光體、綠色磷光體和黃色磷光體中的至少兩種，其中所述第一樹脂層的所述第一磷光體通過激發某些具有所述第一主峰波長的光來發出在461nm～480nm的范圍內的第二主峰波長的光，所述第一主峰波長和第二主峰波長具有彼此不同的波長并且包括具有相同的藍色的光，其中所述第二主峰波長具有與所述第一主峰波長的強度相比為70％～95％的強度，其中所述第二磷光體通過吸收和激發從所述發光器件發出的所述第一主峰波長的光和從所述第一磷光體發出的所述第二主峰波長的光來發出第二光，其中所述發光器件的所述第一主峰波長和所述第一磷光體的所述第二主峰波長之間的波長差異為45nm～55nm。2.根據權利要求1所述的發光器件封裝件，其中所述發光器件發出在420nm±5nm的范圍內的所述第一主峰波長的光，所述第一磷光體發出在470nm±5nm的范圍內的所述第二主峰波長的光。3.根據權利要求1或2所述的發光器件封裝件，其中所述第一樹脂層中的所述第一磷光體的含量大于所述第二樹脂層中的所述第二磷光體的含量。4.根據權利要求1或2所述的發光器件封裝件，其中從所述發光器件、所述第一磷光體和所述第二磷光體發出的光被混色成白光。5.根據權利要求1或2所述的發光器件封裝件，還包括在所述第一樹脂層下的與所述第一磷光體和所述第二磷光體分離的透明樹脂層。6.根據權利要求1或2所述的發光器件封裝件，其中所述第一磷光體包括選自BaMgAl10O17:Eu(Mn)、Sr5Ba3MgSi2O8:Eu2+、Sr2P2O7:Eu2+、SrSiAl2O3N2:Eu2+、(Ba1-xSrx)SiO4:Eu2+、(Sr,Ca,Ba,Mg)10(PO4)6C12:Eu2+和CaMgSi2O6:Eu2+中的至少一種。7.根...

【專利技術屬性】
技術研發人員：金臺鎮，
申請(專利權)人：LG伊諾特有限公司，
類型：發明
國別省市：